【課題】 粒界内炭素の含有量が少なく、焼結性に優れ、さらに高い熱伝導率を有する焼結体を得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法により窒化アルミニウム粉末を製造する方法であり、アルミナ粉末、カーボン粉末、ナトリウム化合物、及び、上記還元窒化温度下でアルミナと共融解し得るアルカリ土類金属化合物又は希土類金属化合物を特定量使用した組成物を、１３００℃〜１７５０℃の温度で還元窒化する。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化アルミニウム基板の製造に関し、酸化性、非酸化性と雰囲気の相反する脱脂炉と焼結炉において共用可能な台板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粒子と焼結助剤と有機バインダーとから成る窒化アルミニウム成形体を酸化性雰囲気の脱脂炉中で脱脂し、次いで１６００〜２１００℃の非酸化性雰囲気の焼結炉中で焼成して窒化アルミニウム焼結体を得る製造方法において、窒化アルミニウム成形体を積載した耐酸化性及び耐熱性を有する台板を前記脱脂炉及び焼結炉内で共用可能に使用すること、また前記台板が、グラファイト板の全表面を炭化珪素の皮膜で被覆していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 分離材を介して薄いグリーンシートを複数枚積層して焼結する製造方法を用いた場合に、焼結体同士を容易に剥離でき、うねりが少なく、曲げ強度及び密度が高い窒化珪素基板を製造する。
【解決手段】 本願第1の発明は、分離材を介して複数枚のグリーンシートを積層して焼結した後に分離することによって複数枚の窒化珪素焼結体を得て、該窒化珪素焼結体から窒化珪素基板を得る、窒化珪素基板の製造方法であって、前記分離材が酸素量０．０１〜０．５重量％、平均粒子径４〜２０μｍ、比表面積２０ｍ^２／ｇ以下の窒化ホウ素（ＢＮ）粉であり、前記ＢＮ粉を０．０５〜１．４ｍｇ／ｃｍ^２の塗布量でグリーンシート表面に塗布することを特徴とする窒化珪素基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】形状自由度が高く、熱伝導率と曲げ強度が高い炭素繊維強化炭化ケイ素複合材と、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を、ピッチ系炭素繊維を２方向に製繊して成る織物で強化したことを特徴とする炭素繊維強化炭化ケイ素複合材。この炭素繊維強化炭化ケイ素複合材の曲げ強度は５０ＭＰａ以上、曲げ弾性率は１０ＧＰａ以上である。ピッチ系炭素繊維を２方向に製繊して成る織物を作成し、樹脂又はピッチを含浸後、成形及び焼成し、その後、熱硬化性物質及び／又は熱可塑性物質を含浸して焼成し、その後、溶融金属を含浸することにより製造される。 （もっと読む）

本発明は、多結晶の立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を固体のインサートとして又は支持体に取り付けられるものとして含む、その上に硬質かつ耐摩耗性のＰＶＤコーティングが堆積された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、Ａ層及びＢ層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、Ａ層は（Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｅ１）ＮでありＭｅ１は周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、Ｂ層は（Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｅ２）Ｎであり、Ｍｅ２は、Ａｌを含む周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、厚さは、０．５〜１０ｍである。本発明のインサートは、高温を発生する金属切削用途、例えば、鋼、鋳鉄、超合金及び硬化鋼の高速加工において特に有用である。
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【課題】
炭化処理された成形体に一酸化珪素ガスを反応させて、炭化珪素成形体を製造する方法において、気孔率の値が制御された炭化珪素成形体、特に気孔率が１５〜５０％である炭化珪素成形体を再現性良く製造する技術を提供する。
【解決手段】
成形体に含浸される熱硬化性樹脂の含浸量を変えて、炭化珪素成形体の気孔率を制御することにより、所望の気孔率を有する炭化珪素成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータとしての発熱量を確保しつつ、部位毎の発熱量の差をさらに抑制させたヒータ、ヒータに用いられる発熱体、及び発熱体の製造方法を提供すること。
【解決手段】電力の供給に伴って発熱する発熱体１０と、発熱体１０の両端部に接続され、電源からの電力を供給する端子２０と、を備えたヒータ１００であって、発熱体１０は、純度が、９９．９９％以上の炭化珪素の粉末を成型するステップと、粉末を窒素雰囲気において、１７００℃以上で１時間以上焼成するステップとにより製造されること。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートを複数枚積層して焼成する製造方法を用いた場合に、信頼性の高い窒化珪素基板を得る。
【解決手段】窒化ホウ素からなる分離材を介して複数枚のグリーンシートを積層してから焼成することによって複数枚の窒化珪素焼結体を同時に得た後に当該窒化珪素焼結体を分離し、切断することによって得られた、Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とする窒化珪素基板であって、算術平均粗さが０．３μｍ以上であり、基板表面の残留ＢＮに由来するＢの蛍光Ｘ線強度とＳｉの蛍光Ｘ線強度の比（Ｂ／Ｓｉ）を５×１０^−５〜２×１０^−３とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４及びβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分４よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域部５を有するとともに、該Ａｌ多領域部５が希土類元素を含有する被覆層６で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。
【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を１×１０^１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素セラミックスとなるグリーンシートにおける膜厚の均一性を向上させると共に、粒子の配向度の制御を適切に行い、良好な特性の窒化珪素セラミックス基板を容易に製造する。
【解決手段】マイラーシート１２が巻き取り側ロール１６で巻き取られ、生シートがマイラーシート１２から離脱した（離脱工程）後でも、生シート１４においてはそのままシート状となった形態が維持される。離脱工程後の生シート１４は、加熱装置１８を通過する（加熱工程）。この加熱装置１８中においては、生シート１４は再び加熱され、その中に含まれるバインダー成分が軟化する。生シート１４においては、乾燥工程で有機溶媒が蒸発することによって定形性が得られ、その後でバインダーの軟化温度以上での圧延工程を行うことにより、β型窒化珪素粒子の配向が進み、窒化珪素セラミックス基板における面内配向度を０．４以上の値とすることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）