【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が０．１０〜０．２５ＭＰａとなるように噴射して、Ｘ線回折を用いたｓｉｎ^２ψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの（１１２）面の残留応力値が−５０ＭＰａ以下、かつ、表面粗さが０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素材接合体、炭素材接合体用接合材及び炭素接合体の製造方法を提供する
【解決手段】炭素材接合体６は、第１の部材４と、第２の部材５と、接合層１とを備えている。第１の部材４は、炭素材からなる。第２の部材５は、炭素、セラミックスまたは金属からなる。接合層１は、第１の部材４と第２の部材５とを接合している。接合層１は、複数の炭素粒子２と、セラミック部３とを有する。セラミック部３は、複数の炭素粒子２間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に付着する離型材などを確実に除去しつつ、金属基板接合後の窒化アルミニウム−金属接合板の抗折強度と熱サイクル特性に優れる窒化アルミニウム−金属接合基板を安定してかつ再現性よく得ることを可能にした製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記被処理面に金属基板を接合する方法であって、前記砥粒として、窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して、該被処理面にかかる圧力が０．０７〜０．１２ＭＰａとなるように噴射する。 （もっと読む）

【課題】高温において使用可能な金属材とセラミックス−炭素複合材との接合体及びその製造方法を提供する
【解決手段】金属材４とセラミックス−炭素複合材１との接合体６は、金属からなる金属材４と、セラミックス−炭素複合材１との接合体である。セラミックス−炭素複合材１は、複数の炭素粒子２と、セラミックスからなるセラミック部３とを有する。セラミック部３は、複数の炭素粒子２間に形成されている。金属材４と、セラミックス−炭素複合材１とは、接合層５を介して接合されている。接合層５は、金属の炭化物とセラミックスとを含む。 （もっと読む）

【課題】ガス分散板のガス噴出口として用いたときに安定した流量を得ることができるセラミックス接合体を製造することができる方法及びそれを用いたガス分散板を歩留まり良く製造することができる方法を提供する。
【解決手段】セラミックス粗粒の成形体を加圧焼結させ、多孔質セラミックス１１を得る（第１焼結工程）。セラミックス微粒の環状成形体に多孔質セラミックス１１を嵌め込み、環状成形体１２を緻密化させるとともに、環状の緻密質セラミックス１２と多孔質セラミックス１１とを直接接合させる（第２焼結工程）。セラミックス接合体１０を、焼結後にガス分散板２０の本体となるセラミックス成形体３３に設けられた穴部３４ａに嵌め込む。セラミックス成形体３３を緻密化させるとともに、ガス分散板２０の本体とセラミックス接合体１０とを直接接合させる（第３焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が２００℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極１４が埋設されたセラミックス基体１２と、セラミックス基体１２の裏面に設けた凹部１６の底面に露出する電極端子１４ａと、電極１４に給電するための給電部材２０と、この給電部材２０とセラミックス基体１２とを接続する接合層２２とを備えている。接合層２２は、ＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成されている。セラミックス基体１２と給電部材２０とは、給電部材２０の熱膨張係数からセラミックス基体１２の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されたものである。 （もっと読む）

【課題】金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請があり、例えばろう材を形成する工程のコスト低減が考えられる。
【解決手段】金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板上に金属板上の前記ろう材が接触するように金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合することにより金属セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックスにアルミニウム溶湯を接触させて接合する溶湯接合法において、鋳型もセラミックスと同様アルミニウム溶湯と反応し、鋳型が損傷したり寿命が短くなるといった不具合が発生することがあった。
【解決手段】本発明においては金属からなる鋳型にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯し、該溶湯を加圧した状態でセラミックス部材を該溶湯中に挿入した後、冷却することで、金属−セラミックス接合部材を得ることができるとともに、鋳型の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、両金属層に同じ材質のものを使用しても、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】高温になると短寿命になったり、故障したりするＬＥＤパッケージ、高負荷半導体、高負荷コンデンサー、集光型太陽光発電素子などの冷却に有用な電気絶縁性を有する放熱基板を提供する。
【解決手段】電気絶縁性を有するセラミック板３と、熱拡散率の良好な黒鉛板４を隣接させて、高圧鋳造することにより、安価で、接合強度も強く、かつ良好な熱拡散率を有する放熱基板を完成する。黒鉛として、炭素繊維の黒鉛化したものの使用も可能である。 （もっと読む）

【課題】更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムを含む棒状の取付体２３と、窒化アルミニウムを含み、前記取付体２３の先端部２３ａが支持穴２５に螺合された被取付体２７と、これらの取付体２３と被取付体２７との当接部のうち、少なくとも、前記螺合によって取付体２３が圧接力を受ける圧接部に形成され、前記取付体２３及び被取付体２７を接合する接合層１１とを備えた窒化アルミニウム接合体である。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｇａ及びＬｉから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に複数の金属板回路板をした場合でも、セラミックス基板を分割することなくその反りを矯正する手段を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に、金属溶湯Ｍを接触させた後に冷却して固化させることによりセラミックス基板に複数の凸部が形成された金属板を接合した金属セラミックス接合体１を所定の曲率Ｒを有するポンチ２１とダイス２０で挟み込んで押圧し、その後、金属セラミックス接合体をエッチング処理して当該金属セラミックス接合体の各凸部に所定の回路パターンを形成すると共に凸部以外の箇所を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）