【課題】簡単かつ短時間でソーダ化反応に対する耐用性を試験することができ、しかも、実機での試験と同等程度の結果を得ることが可能である耐アルカリ炉材の耐用性評価試験方法を提供する。
【解決手段】アルカリ系材料３ａを使用したソーダ化反応を行う炉に使用される炉材の評価試験方法であって、炉材の材料によって形成された炉材成形体２の試験面２ａに、アルカリ系材料３ａを含有する試験材料３を載せて試験体１を形成する試験体形成工程と、試験体形成工程において形成された試験体１を加熱する加熱工程と、加熱工程終了後、試験体１を冷却する冷却工程と、を繰り返して行う。実機よりも過酷な条件で炉材成形体２の試験を行うことができるから、炉材成形体２の損傷の評価を短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】イオン導電性を向上させ、長期間の使用に耐え得る化学的安定性を賦与させることが可能なアパタイトセラミックスの製造方法と、このアパタイトセラミックス用いた燃料電池を提供する。
【解決手段】ランタノイドとＳｉ(ケイ素)とを含む原料を反応させてランタノイドシリケートからなるアパタイトセラミックスを合成する際に、下記組成式（１）のアパタイトセラミックスが生成されるようＡｌ又はＭｇの少なくとも一方をドープすると共に、遷移金属を添加することを特徴とするアパタイトセラミックスの製造方法。(１−α){Ｌｎ_9.333+x(Ｓｉ_6-yＴ^u+_y)Ｏ_{26+1.5x-(2-0.5u)y}}−α(ＭＯ_γ)…（１）（但し、Ｌｎ；ランタノイド、Ｔ；Ａｌ又はＭｇの少なくとも一方の元素、Ｍ；遷移金属、0.3＜x＜0.867、0.1≦y≦0.4、0.002≦α＜0.05、γ；遷移金属Ｍの価数に応じて決定される変数） （もっと読む）

【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Ｅｒを添加したＹＡＧの単結晶粒子群と希土類を添加しないＹＡＧの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Ｅｒを添加したＹＡＧがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないＹＡＧがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、高い絶縁性を有してリーク電流が抑制される液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス及び鉄を含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、マグネシウムからなる第１ドープ元素と、マンガン、チタン、バナジウム、ニオブ及びスズからなる群から選択される少なくとも一種の第２ドープ元素とを含む。 （もっと読む）

【課題】付加元素を水に溶出させることができ、かつ、付加元素が短期間に消尽することを抑制できるセラミックスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】熱水保持装置用セラミックスの製造方法において、ケイ素酸化物とケイ素含有酸化物とから選ばれる少なくとも一種のケイ素材料粉末と、アルカリ土類金属、アルカリ金属、バナジウム、亜鉛、セレン、リン、硫黄、塩素、鉄、ホウ素、フッ素、アルミニウム、ケイ素、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ヒ素、モリブデン、ヨウ素、炭素から選ばれる少なくとも一種の付加元素と、を含む混合物を、付加元素が非酸化物状体で含まれるような雰囲気で焼成・冷却する。 （もっと読む）

【課題】必要量のコバルト酸化物が残存し、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒが２０ｍｏｌ%以下、残余がＣｏである強磁性合金と非金属無機材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下で、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。金属粉末と少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含む非金属無機材料粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末を保持温度は８００°Ｃ以下で加圧焼結装置により成型・焼結するスパッタリングターゲット用焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープＺｎＯ粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料（またはガラス粉末）を別に調製するステップと、最後に前記ドープＺｎＯ粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ＺｎＯバリスタ（または積層バリスタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｖａｒｉｓｔｏｒ、ＭＬＶ）とも呼ばれる）の従来の作製手法に従って、８５０℃〜９００℃の低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したＺｎＯバリスタを作製するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波誘電共振器（ＤＲ）に使用する従来技術に係る高Ｑ誘電体は高価な材料、すなわちＴａを使用すること、１５５０〜１６２０℃もの高い焼結温度、その他によって、非常に高価なものになっていた。
【課題を解決する手段】本発明のＴａを使用しない新規なセラミックはＢａ、Ｍｇ及びＮｂを含む。このセラミックは組成式Ｂａ_４−５ｘＭｇ_５ｘＮｂ_２＋ｙＯ_９で表される。ここで、０．３５＜ｘ≦０．４７及び−０．０５≦ｙ≦０．０１であり、また共振周波数の温度係数は−５〜＋６ｐｐｍ／℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、１３６０℃未満である。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）