【課題】アルカリ金属等にかかる未反応成分等の残存イオン分を少なくした非鉛系アルカリ含有圧電性物質を更に改良して、該物質中にわずかに残存する水に可溶なアルカリ金属等にかかる未反応成分等のイオン溶出を抑制した、圧電体として利用した場合に、より安定した圧電特性を実現できる非鉛系アルカリ含有圧電性物質を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属元素或いはアルカリ土類金属元素を構成成分として含んでなる圧電性能を有する粉末状の焼成物からなる非鉛系圧電性物質において、その粒子表面がカルボキシ基を有する親油性物質で撥水処理されていることを特徴とする非鉛系圧電性物質及び、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
がいし廃材から有価物として経済価値を有する実用品へとリサイクルすること、がいし廃材による環境負荷をなくすることなど、上述のがいし廃材の材料としての特質を生かした有用資源としての有効利用のための応用の基盤となる製品とその製造法を開発することによりその再利用サイクルの確立に資する。
【解決手段】
がいし廃材２１を出発物質として同出発物質からがいしの微粉体を得るがいし廃材粉砕工程、この粉砕物から目的の粒径範囲の微粉体を得る粉砕物分級工程、成形材料用の混合物として調合する成形材料調製工程、この混合物を混練して成形材料を得る成形材料混練工程、この混練物から加工により成形物を得る混練物成形工程、この成形物を焼成して焼結物を得る成形品焼成工程を順次行って多孔性焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】 α−石英成分の含有量を調整して、一定の比誘電率の差を確保しつつ、線熱膨張係数を制御できる低温焼成基板材料を提供する。また、この低温焼成基板材料により、低誘電率層と高誘電率層を有する多層配線基板において、大型化する集合基板の反りを低減でき、誘電率層の配置設計上の自由度を確保できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２４６〜６０重量％、Ｂ_２Ｏ_３０．５〜５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯであるガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを１２〜３８ｖｏｌ％、及び、α−石英を２〜１０ｖｏｌ％を含有することを特徴とし、多層配線基板とするときはα−石英の含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内とする。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｔｉ_ｘ１Ｍ_ｘ２（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ１＋ｘ２＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ１＋ｘ２≦０．９０、０＜ｘ１≦０．９０、０≦ｘ２≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ≦１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、
屈折率が高く、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｍ_ｘ（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種でありｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ＜１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、屈折率が大きく、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）

使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子／酸素Ｏ^２−アニオン伝導性化合物（Ｃ_１）少なくとも７５ｖｏｌ％、および
酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物（Ｃ_１）とは異なる化合物（Ｃ_２）０．０１〜２５ｖｏｌ％、および式：ｘＦ_ｃ１＋ｙＦ_ｃ２→ｚＦ_ｃ３（式中、Ｆ_ｃ１、Ｆ_ｃ２およびＦ_ｃ３は、化合物Ｃ_１、Ｃ_２およびＣ_３それぞれの実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の比の数値を表す）により表される少なくとも１の化学反応から生成する化合物（Ｃ_３）０ｖｏｌ％〜２．５ｖｏｌ％を含む複合物（Ｍ）。本発明は、複合物の製造方法、並びにメタンまたは天然ガスの接触酸化により合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および／または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としてのその使用にも関する。 （もっと読む）