【課題】ニオブ酸系圧電磁器の実用化に際して問題となっている、斜方晶から正方晶への相転移温度を室温以下に降下させた圧電磁器を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔｉを主成分とするペロブスカイト化合物を主体とした圧電磁器であって、圧電磁器の組成が、モル比による組成式を、以下の式；
（１−ｘ−ｙ）ＫＮｂＯ_３＋ｘＮａＮｂＯ_３＋ｙ（ＬｉＮｂＯ_３＋ＳｒＴｉＯ_３）
とした時、ｘ及びｙの値が０．４２≦ｘ≦０．５０、０．０６≦ｙ≦０．１２を満たすことを特徴とする圧電磁器。
【効果】鉛を含まない環境低負荷型の新規ニオブ酸系圧電磁器、圧電素子及び圧電部材を作製し、提供することができる。 （もっと読む）

希土類酸硫化物シンチレータ用セラミック体を製造する方法は、圧密化物体を形成するための熱処理と、次のガス熱間等静圧圧縮成形（ＧＨＩＰ化）を含む。Ｍが希土類元素であり、ＬｎがＥｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ、およびＨｏからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、および１×１０^-6＜Ｘ＜２×１０^-1である一般式（Ｍ_1-XＬｎ_X）₂Ｏ₂Ｓを有する粉末が最初に用意される。粉末は、熱処理が温度Ｔ_htで行われる熱処理を受けて閉鎖気孔率を有する圧密化物体を形成する。圧密化物体は、１１００℃＜Ｔ_hip＜１５００℃の温度Ｔ_hipを有するＧＨＩＰ化環境中で理論密度の９９％以上の密度にＧＨＩＰ化されて、それによって高密度化物体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含有せず高圧電定数を有するニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその生成方法を提供する。
【解決手段】 構成成分が（１−ｎ）Ｋ_ｘＮａ_１−ｘＮｂＯ_３・ｎＭＨ（式中のＭＨは金属酸化物または金属炭酸塩であり、Ｍは価数の異なる金属元素、ＨはＯまたはＣＯ_３ラジカル、０．２１≦ｘ≦０．９５、０≦ｎ≦０．３０）で示され、ＮａＮｂＯ_３とＫＮｂＯ_３との両者の合計は材料総量の７０〜１００ｗｔ％の間を占めており、併せて０〜３０ｗｔ％のＭＨが複合されていることを特徴とするニオブ酸カリウムナトリウム系無鉛圧電セラミック。 （もっと読む）

【課題】溝の側面が曲面で繋がり、かつ、溝の長さ方向の深さのバラツキ、ならびに溝の開口部の幅の差が少なく、前記溝を分割用として形成したとき分割性に優れ、分割工程までの工程で割れが発生せず、分割した単体の抗折強度が低下しないセラミック部材を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面１ａに溝２を有し、溝２の内面２ａを、凹曲面をなす底部２ｂと、該凹曲面の両側に、前記凹曲面の曲率よりも大きな曲率の凸曲面をなす開口部２ｄを、連続的に配置させて形成してなるものであり、且つ、溝２の深さｄの最大値ｄ１と最小値ｄ２の差を６μｍ以下であることを特徴とし、溝２を分割用の溝として用いると、分割性が向上するとともに、分割した側面が滑らかな連続する曲面状であることから、分割したセラミック部材１の単体の端部のチッピングの発生を防止できるとともに、単体におけるセラミック部材１の抗折強度の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 複屈折がなく、高屈折率を示すペロブスカイト型化合物を主成分とする透光性セラミックにおいて、研磨効率に優れるメカノケミカル研磨加工を行っても表面粗さが小さく、表面散乱による透過率低下の懸念の少ない透光性セラミックを得る。
【解決手段】 一般式：ＡＢ_vＯ_w（ｖおよびｗは電気的中性を保つために必要な正の数）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、ＳｉＯ₂およびＢ₂Ｏ₃のうち少なくとも１種を含む透光性セラミックであって、前記ＳｉＯ₂およびＢ₂Ｏ₃の合計の含有量が、前記主成分１００重量部に対して０．００２５重量部以上０．２重量部以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 室温から高温にわたって優れた機械的強度を有し、ＴＰＶ発電機の作動温度での耐熱性、耐酸化性、耐熱衝撃性に優れ、かつ、ＧａＳｂ光電変換セルに適した高い選択放射率を示す熱光起電力発電用エミッタ材料を提供する。
【解決手段】 本発明の熱光起電力発電用エミッタ材料は、熱により選択的な波長で強い放射光を発する熱光起電力発電用エミッタ材料であって、Ａｌ_２Ｏ_３と、一般式（Ｍ_ｘＥｒ_１-ｘ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２で表わされるＭ（Ｍは、Ｙｂ及びＴｍのうち少なくとも１つ）、ＥｒおよびＡｌの複合酸化物とから構成される凝固体からなり、前記ｘが０．０５以上０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
製造原価を低くでき、しかも性質が安定し、かつ人体の体温付近での遠赤外線放射性に優れた遠赤外線放射セラミックおよび該セラミックを含有する繊維、フィルムその他の成形物を提供する。
【解決手段】
ＳiＯ₂４０〜５０重量％、Ａl₂Ｏ₃２５〜３５重量％、Ｆe₂Ｏ₃１５〜２５重量％、ＴiＯ₂１〜５重量％、ＺrＯ₂０．０１〜２重量％およびＰtＯ₂０．０１〜１重量％の混合物で構成され、ケイ素原料としては珪石、珪砂、珪藻土、カオリナイト、モンモリナイト等を、アルミニウム原料としてはアルミナを、鉄原料としては酸化鉄を、チタン原料として酸化チタンを、白金原料として白金アルミナを、またジルコニウム原料としては酸化ジルコニウムを用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】 複雑形状の回路基板において基板の放熱性を高めることにより、基板表面に実装される各種デバイスの効率を高めたアルミナ基板の提供を課題とする。
【解決手段】 中心粒径が０．３〜０．７μｍの第１のアルミナ粉末２０〜４０質量％及び中心粒径が１．５〜２．８μｍの第２のアルミナ粉末６０〜８０質量％からなるアルミナ粉末組成物を含有する成形用材料を成形・焼結することにより得られるアルミナ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＲ温度依存性を劣化させることなく、卑金属を用いた内部電極層の端部酸化を改善できる結果、容量バラツキを改善することができる、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 層間厚みが５μｍ以下の誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、誘電体層用ペーストと、卑金属を含む内部電極層用ペーストとを、交互に１００層以上配置した積層体を、還元性雰囲気下で焼成し、その後アニール処理する工程と、該アニール処理後の積層体を、酸素分圧Ｐ３が２．９×１０^−３９ Ｐａを超え６．７×１０^−２４ Ｐａ未満の強還元性雰囲気下で、３００℃を超え６００℃未満の保持温度Ｔ３で第１の熱処理をする工程と、該熱処理後の積層体を、酸素分圧Ｐ４が１．９×１０^−７Ｐａを超え４．１×１０^−３Ｐａ未満の雰囲気下で、５００℃を超え１０００℃未満の保持温度Ｔ４で第２の熱処理をする工程とを、有する積層セラミック電子部品の製造方法。
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【課題】金属製相手部品の磨耗が抑制されると共に、セラミックス焼結体からなる耐磨耗部材自体の磨耗が抑制され、より耐久性に優れた機器を提供すること。
【解決手段】窒化珪素、ジルコニア、炭化珪素、サーメット、サイアロン、窒化アルミニウムおよびアルミナの中から選択される少なくとも１種からなるセラミックス焼結体からなり、カムローラ、ベアリングボール、チェックボール、ウエアパッド、プランジャーまたはコロとして用いられる耐磨耗部材と、前記耐磨耗部材に少なくとも一部が接するように設けられる金属製相手部品とを有する機器であって、前記耐磨耗部材は、前記金属製相手部品との摺接面のスキューネスが０〜−２であり、かつ、前記摺接面から５００μｍの深さまでにポアが占める面積が単位面積（１ｍｍ^２）当たり５％を越えないもの。 （もっと読む）

【課題】 高硬度と高靭性とを両立できる複合焼結体を提供する。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３と、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＴｉＣＮの群から選ばれる少なくとも１種の化合物とで構成された長尺状の芯材４の外周を、Ｍｇを含有したＳｉ_３Ｎ_４質焼結体からなる表皮材８にて被覆した繊維状構造からなる複合焼結体１である。
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【課題】
セラミックス材料を低反射材料として用いる場合、素材自体の反射率は低くても、加工によって高くなることがある。この加工によって高くなった反射率を素材のもつ反射率に戻した露光処理用基板保持盤を提供する。
【解決手段】
少なくとも基板保持側表面がセラミックスからなり、その基板保持側表面の彩度指数ｂ＊がプラスであり、明度指数Ｌ＊が７０以下で、かつ面粗度Ｒａが０．６μｍ以下である露光処理用基板保持盤であり、好ましい態様において、基板保持側表面の光波長２５０〜５５０ｎｍの範囲における全反射率は１３％以下であり、また、基板保持側表面の彩度指数ｂ＊はプラスであり、セラミックスの主成分は、炭化硅素またはアルミナである。
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拡張された粒径分布を有する支持材混合物は、狭い粒径分布を有する従来の製品と比べて、例えば破砕強度および透過係数のような特性の改善を示す。 （もっと読む）

【課題】焼結体（一次焼結体）を所望の形状に容易かつ確実に修正し得る焼結体の形状修正方法を提供すること。
【解決手段】本発明の焼結体の形状修正方法では、治具２０を用いて一次焼結体１の形状修正が行われる。治具２０は、支持体２１と押圧体２２から構成されている。支持体２１は、その上面２１ａが下方に向かって凹没する凹曲面となっており、押圧体２２は、その下面２２ａが下方に向かって突出する凸曲面となっている。図１（ａ）に示すように、支持体２１の上面２１ａに、一次焼結体１を載置し、この上面に押圧体２２の下面２２ａが当接するようにして、押圧体２２を載置する。これにより、押圧体２２の自重によって、一次焼結体１が下方に向かって押圧される。この状態で、治具２０ごと一次焼結体１に対して焼成を行う。これにより、図１（ｂ）に示すように、一次焼結体１の形状修正がなされ、二次焼結体１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】 点欠陥導入による圧電材料についてさらに大きな電歪効果を発現させる。
【解決手段】 ＡＢＯ₃型強誘電体材料において、ホスト原子ＡおよびＢの少くともいず
れかよりも価数の小さいイオン価を有するアクセプターとともに、価数の大きいドナーが添加されている圧電材料とする。 （もっと読む）

【課題】 少なくともＢａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１１１｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともＢａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１１１｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。また、本発明に係る結晶配向セラミックスは、少なくともＢａ及びＴｉを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１１１｝面が配向し、かつ、その相対密度が９７％以上であり、平均粒径が５〜２μｍと小さく、機械的強度が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、焼結性を損なうことなく分割性を向上させた積層パッケージ用着色セラミック焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分とし、ＳｉＯ_２、ＣａＯ、ＭｇＯを焼結助剤として３．５％乃至４重量％含有し、顔料成分としてＴｉ、Ｃｒ及びＭｏの酸化物を含有し、ＳｉＯ_２及びＣａＯの合計重量に対するＳｉＯ_２の重量割合を８２％乃至８９％とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性と機械的強度に優れたセラミックス部材を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、アルミナ焼結体１２と、アルミナ焼結体１２上に形成され、腐食性ガスに曝されるイットリア焼結体１３とを備える基体１１と、基体１１に埋設された静電電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 制振性を向上させた制振材料を提供するとともに、アクティブ（能動的）制御で制振できるような制振機構を提供する。
【解決手段】 平板状の圧電体であって、圧電歪定数の平板状の面内分布が不均一で傾斜している圧電特性傾斜構造を有する圧電体、及び該圧電特性傾斜構造を有する圧電体を制振機構として備えた制振構造体。 （もっと読む）

【課題】 光電気変換効率の高い光電気変換素子実装用アルミナ基板を提供する。
【解決手段】 硫酸バリウムの含有率が２〜６質量％であることを特徴とする。硫酸バリウムによりアルミナのみの基板に比べて光の反射率を向上させることができる。また、硫酸バリウムによる吸水率の増加を低く抑えることができる。さらに、本発明を利用して３次元成形基板等の作製が可能である。 （もっと読む）