【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有するとともに耐久性にも優れたガラスセラミックスと、これを用いた光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。
【解決手段】ガラスセラミックスの製造方法は、光触媒活性を有するガラスセラミックスの製造方法であって、ＳｉＯ_２成分、Ｂ_２Ｏ_３成分、Ｐ_２Ｏ_５成分及びＧｅＯ_２成分からなる群より選択される１種以上と、ＴｉＯ_２成分と、を含有するガラス体から得られる粉砕ガラスを所望形状の成形体に成形する成形工程と、前記成形体を加熱して焼結を行うことで、焼結体を作製する焼結工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有するとともに耐久性にも優れたガラスセラミックスと、これを用いた光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。
【解決手段】ガラスセラミックスの製造方法は、光触媒活性を有するガラスセラミックスの製造方法であって、ニオブ成分及び／又はタンタル成分を含有するガラス体から得られる粉砕ガラスを所望形状の成形体に成形する成形工程と、前記成形体を加熱して焼結を行うことで、焼結体を作製する焼結工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン伝導性に優れるイオン伝導性セラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。上記元素を含むことで、良好なＬｉイオン伝導性を発揮するセラミックス材料。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく赤外領域においても透過性に優れ、耐熱性の高い酸化物透明導電膜、その膜を成膜しうるスパッタリングターゲット、そのターゲットに使用しうる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００５〜０．１、Ｍｇ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００１〜０．０５であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子（ａ）と、アルミニウムを含有し平均粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子（ｂ）からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】イオン化チューブ及びこれを備えるイオン化生成装置の提供。
【解決手段】本発明のイオン化生成チューブは、中空のチューブ構造を有するものであって、チューブはセラミック及び放射性物質の混合によって形成され、放射性物質はチューブの長さ方向全体にわたって分布する。よって、本発明に係るイオン化生成チューブは、アルファ粒子が放出される面積を増加させることができるため、イオン化率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率とともに高い発光効率を有する透光性セラミックを提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型化合物ＡＢＯ₃（ただし、ＡはＢａを含む）を主成分とし、希土類元素Ｒ（ＲはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる少なくとも一種）を含む組成を有する透光性セラミックであり、希土類元素ＲがＡサイトに含まれる。 （もっと読む）

本発明は高温耐性の基部を具えるモジュール型部品に関連しており、当該高温耐性基部は、セラミックキャピラリ膜を導入するための少なくとも１の貫通路、及び金属又はセラミックの底部と少なくとも１のセラミックキャピラリ膜との間に十分な気密と高温耐性の接合部として形成される少なくとも１のポッティングを有する少なくとも１の金属又はセラミック底部を有している。少なくとも１の金属又はセラミック底部の少なくとも１の貫通穴は、金属又はセラミック底部の少なくとも一面上に十分な気密と高温耐性の接合に対応するための拡張部を有している。 （もっと読む）

【課題】蛍石と同程度の高いアッベ数を有すると共に、蛍石より高い屈折率を有するＣａ−Ｇｄ−Ｆ系材料を、透光性セラミックスとして提供する。
【解決手段】ＣａＦ_２微粒子と、該ＣａＦ_２微粒子とは別に作製されたＧｄＦ_３微粒子とを混合して微粒子混合物を調整し、前記微粒子混合物を焼結し、透明化することで透光性セラミックスを製造する。 （もっと読む）

【課題】特性向上の要因となりうる熱膨張係数、キュリー点等、新たな指標ないし項目を見出し、それらに基づいて、電気的特性を向上させた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】マトリックスとフィラーが、それぞれ、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも一種の元素をＡサイト構成元素として含むとともに、ＮｂをＢサイト構成元素として含むペロブスカイト型酸化物を主結晶相とする、多数の粒子が相互に結合した第一のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料及び第二のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料で構成されており、第二のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料の熱膨張係数が、第一のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料に比して低く、マトリックスとフィラーの合計に対する、フィラーの体積分率が、０．５体積％以上、４５体積％以下である圧電／電歪セラミックス焼結体である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下であり、成膜により比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下、可視光領域における光の屈折率が２．０以上、透過率が９６％以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度が高く、絶縁抵抗性・機械品質係数に優れ、圧電特性に優れたタングステンブロンズ構造の化合物を提供する。
【解決手段】 そのために、下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を含む化合物。
ｘ（ＢａＢ_２Ｏ_６）−ｙ（ＣａＢ_２Ｏ_６）−ｚ｛（Ｂｉ_１／２Ｃ_１／２）Ｂ_２Ｏ_６｝（式中、ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種の元素である。ＣはＮａ、Ｋのうちの少なくとも１種の元素である。ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｘは０．２≦ｘ≦０．８５、ｙは０≦ｙ≦０．５、ｚは０＜ｚ≦０．８の数値を表す。）を提供する。 （もっと読む）

【課題】触媒担持体として用いられるセラミックハニカム構造体の暖機性と保温性を向上させ、排気ガス浄化性能に優れたセラミックハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】隔壁の内部及び表面の何れか又は両方に、隔壁を形成する材料より、熱容量が大きく、且つ、熱伝導率が大きい、物質が含有されているセラミックハニカム構造体の提供による。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】室温付近での圧電特性の変動の少ない非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電磁器として、組成式で（１−ｘ）（Ｎａ_ａＫ_１−ａ）_１−ｂＬｉ_ｂＮｂＯ_３＋ｘＢａ（Ｃａ_０．５Ｔｅ_０．５）Ｏ_３と表したとき、０．４２≦ａ≦０．５８、０．０３≦ｂ≦０．１５、０．０００５≦ｘ≦０．０１００であるものを用いる。組成が（ＮａａＫ１−ａ）１−ｂＬｉｂＮｂＯ３である圧電磁器では室温付近にある相転移点により−４０〜＋１００℃の範囲内で急激な圧電特性の変化を生じるが、該発明の圧電磁器は−４０〜＋１００℃での圧電特性の変化が緩やかになる。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】内孔の研磨加工の生産性向上が図れ、機械的強度も確保されたセラミック製フェルールを提供する。
【解決手段】セラミック製フェルール１は、筒状であって、一端２から他端３にかけて光ファイバが保持される内孔４が形成されている。そして、外周面６側のセラミック密度が内孔４の内周面７側のセラミック密度より大きくなるように一体焼結されている。緻密な外周面６側セラミックスによって機械的強度が確保されるとともに、内孔４の内周面７の研磨加工が容易なセラミック製フェルール１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドと記録媒体との接触を抑制することができる磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドならびに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３を６０〜７０質量％、ＴｉＣを３０〜４０質量％含有する磁器ヘッド用基板７、７′であって、平均結晶粒径が４００ｎｍ以下のＡｌ_２Ｏ_３結晶粒子７９と平均結晶粒径が２００ｎｍ以下のＴｉＣ結晶粒子７７を有するとともに、任意断面の１０μｍ×８μｍの領域に、Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子７９に内包されたＴｉＣ結晶粒子７７ａが２０個以上存在する。 （もっと読む）

【課題】吸着特性と均熱性と耐絶縁破壊特性に優れるヒータ付き静電チャックの提供。
【解決手段】アルミナを含む焼結体からなる基体２と、基体２中の上部側に設けられたESC電極３と、基体中の下部側に埋設された抵抗発熱体４とを備えているヒータ付き静電チャック１の基体２は、ESC電極３から基体２の上面２ａまでの誘電体層２１と、ESC電極３から基体２の下面２ｂまでの支持部材２２とから構成されている。支持部材２２は、誘電体層２１と接するESC電極近傍領域２２ａと、このESC電極近傍領域２２ａよりも下方の下方領域２２ｂとで炭素含有量が相違し、誘電体層２１中の炭素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下、ESC電極近傍領域２２ａの炭素含有量が、０．１３ｗｔ％以下、下方領域２２ｂの炭素含有量が０．０３ｗｔ％以上であり、このESC電極近傍領域の炭素含有量が下方領域の炭素含有量よりも小さい。抵抗発熱体４はニオブ又は白金を含む。 （もっと読む）