【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は複数のセラミックブリストル及び複数のセラミックブリストルを保持する支持部材を備えるセラミックブラシールを提供する。複数のセラミックブリストルは一方端から他方端まで延在する。複数のブリストルは支持部材を覆って曲げられて、一方端から他方端が支持部材の一方の側にブラシ表面を、支持部材の他方の側に折りたたみ部を形成する。複数のセラミックブリストルは１５００°Ｆを超える温度で動作するように選択されたセラミック材料で構成される。
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【課題】フラットパネルディスプレイ基板等のガラス基板がスリップしにくいガラス基板の熱処理用セッターを提供する。
【解決手段】上面にガラス基板を載せて熱処理するためのセッターであって、２０〜６００℃の熱膨張係数が０〜１０×１０^−７／℃であり、かつ３次元網目構造の連通気孔を有する多孔質セラミックス焼結体よりなるガラス基板熱処理用セッター。空気透過率は好ましくは０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２である。好ましくは、リチア系焼結体よりなる。 （もっと読む）

複合磁気‐誘電体ディスク・アッセンブリーを製造する手段は、誘電体セラミック・シリンダーを形成すること、磁気セラミック・ロッドを形成すること、誘電体セラミック・シリンダーの内側に磁気セラミック・ロッドを同軸状に組み立てること、ロッドとシリンダー・アッセンブリーを焼成すること、複数の複合磁気‐誘電体ディスク型アセンブリーを形成するためにロッドとシリンダー・アッセンブリーをスライスすることを包含する。磁気‐誘電体ディスク・アッセンブリーは例えばサーキュレータ、アイソレータ、あるいは同様の電気部品を製造するために使用することができる。従って、ディスク・アッセンブリーを作る手段はそのような電気部品を作る手段の一部として含むことができる。
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【課題】アーキングやノジュールの発生を低減させ、製品の品質が安定しているＩＴＯ等の酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化物焼結体からなる酸化物スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの被スパッタリング領域の算術平均粗さ（Ｒａ）や最大高さ粗さ（Ｒｚ）と酸化物焼結体の結晶粒径（ｄ）とが以下の少なくとも１式を満たすことにより、アーキングやノジュールの発生を低減することができる。
０．０５μｍ≦Ｒａ（μｍ）≦ｄ（μｍ）×０．２ （１）式
０．４μｍ≦Ｒｚ（μｍ）≦ｄ（μｍ）×１．８ （２）式 （もっと読む）

【課題】酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲットは、（ＭＯ_２）_ｘ（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｙ（ＺｎＯ）_ｚの組成を有し、ｘ：ｙは１：０．０１〜１：１であり、ｙ：ｚは１：０．１〜１：１０であり、Ｍは、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、およびチタニウム（Ｔｉ）からなる群から選択された１つ以上の金属である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性をさらに向上させた圧電材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ_３系圧電材料は、焼結体の表面微構造が、粒径５μｍ未満の微細粒、粒径５μｍ以上１５μｍ未満の中間粒、粒径１５μｍ以上５０μｍ以下の粗大粒からなり、面積基準で粗大粒を３％以上含むことにより、高い電気的特性（比誘電率、圧電定数、誘電損失、電界誘起歪）が得られる。微細粒、中間粒、粗大粒で構成され、粗大粒を３％以上含む圧電材料とするために、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ_３で表される組成となるように金属元素を含有する化合物を混合して仮焼した後に粉砕して仮焼／粉砕粉を得、昇温過程において、８００〜９５０℃の範囲の一定温度で一定時間維持するキープ工程で処理した後、さらに昇温して焼結温度にて焼結して製造する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】（１）Ｇａ：０．２〜４．０質量％、Ｃｅ：４０ｐｐｍ〜２．５質量％、Ｚｎ：７４．０〜８０．１質量％、残部：酸素からなり、前記Ｃｅは常に前記Ｇａよりも少なく含む成分組成を有する透明導電膜、（２）Ｇａ：０．２〜４．０質量％、Ｃｅ：４０ｐｐｍ〜２．５質量％、Ｚｎ：７４．０〜８０．１質量％、残部：酸素からなり、前記Ｃｅは常に前記Ｇａよりも少なく含む成分組成を有する透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲット強度に優れ、スパッタ速度が速いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】金属亜鉛、酸化亜鉛及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、前記金属亜鉛がスパッタリングターゲット中で分散しているスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】緻密で研削抵抗が小さい快削性磁器および摺動部材ならびにポンプを提供する。
【解決手段】実質的にアルミナ結晶粒子と粒界相とからなる快削性磁器であって、開気孔率が０．１％以下であるとともに、アルミナ結晶粒子は、内部に気孔７を有する粒径１０μｍ以上のアルミナ大径粒子１と、粒径５μｍ以下のアルミナ小径粒子３とを含有することにより、開気孔率が０．１％以下であるため、緻密質となり、強度を向上できるとともに、研削加工する際には、アルミナ大径粒子１の気孔７からクラックが発生し、脱粒して研削することができ、研削抵抗を小さくすることができ、加工性を向上できる。 （もっと読む）

流体およびペースト製品を供給するための、高い温度変化に耐えることができるシリンダーまたはスリーブの形態にある要素の部材は、互いに同心に配置された、前記流体と接触することが意図されたセラミック材製のパーツ(6、16)と、前記セラミック材製のパーツ(6、16)の上にオーバーモールドされたポリマー材製の支持体(14、16)を含んでいる。セラミック材で作られたパーツ(6、16)は、その外側面上に、セラミックパーツのうちポリマー材製の支持体と接触した表面上に広がり、このパーツ(6、16)および支持体(14、22)のあらゆる相対移動を防ぎ、高い温度差動によって生じ得る張力を分配する少なくとも1つの右巻き螺旋溝および少なくとも1つの左巻き螺旋溝(24)とを含む少なくとも1つのレリーフ(24)を有している。
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塞栓するセメント組成物、セグメントセメントとして、または後で施用する人工表皮またはコーティングとしてハニカム体に施用するためのセメント組成物が開示される。セメント組成物は、一般に、無機粉末バッチ混合物、有機結合剤、液体溶媒、およびゲル化無機結合剤を含む。開示するセメント組成物が施用されたハニカム体、およびその製造方法についても開示する。
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【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、十分な偏心精度で芯出しされた光学部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光学レンズ１は、光が入射する面である第１レンズ面１２Ｂと、第１レンズ面１２Ｂの反対側の面である第２面としての第２レンズ面１１を備えている。第１レンズ面１２Ｂは非球面形状を有しており、第２レンズ面１１は、曲率半径Ｒ_１の球面形状を有している。そして、光学レンズ１は、光学レンズ１の光軸αを含む断面において、第１レンズ面１２Ｂおよび第２レンズ面１１に、傾斜関数Ｄの値が０．１以上となる部位である点Ｐ_２および点Ｐ_１をそれぞれ有している。
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【課題】Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらに成膜の品質を向上させる。
【解決手段】構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし、ガス成分を除き、焼結用原料粉末の平均粒径が５０μｍ以下、比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、焼結工程中に８５０°Ｃ以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度である５００〜１０００°Ｃの温度で焼結することにより、相対密度９０％以上であるＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】本発明は、Ｌｉ₃ＰＯ₄の原材料粉を仮焼する工程と、仮焼した原材料粉を分級する工程と、分級した原材料粉を所定形状に焼結する工程とを有するリン酸リチウム焼結体の製造方法であって、原材料粉の仮焼温度を６５０℃以上８５０℃未満とすることによって、原材料粉に吸着している水分を効果的に除去し、焼結工程で得られるバルク体（焼結体）へのマクロサイズの内部欠陥の発生を抑制する。仮焼温度が６５０℃未満の場合、原材料粉の仮焼処理が不十分なため、マクロな内部欠陥の発生を効果的に抑制できない。特に、４００μｍ以下の粉砕、篩い分けを容易に行える仮焼温度として、６５０℃以上７５０℃以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 放電空間に一様で安定したプラズマを形成させるために用いられる、高い絶縁耐力、高い耐放電スパッタ性、優れた耐オゾン性を有する放電用電極部材を提供すること。
【解決手段】 ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９重量％以上含有する焼結体からなり、２０ｎｍ以下の粒界層を有する放電用電極部材とする。また、一対の電極が互いに対向して配置されたオゾン発生器において、前記電極の少なくとも一方に前記放電用電極部材が取り付けられているオゾン発生器とする。 （もっと読む）

【課題】 透光性セラミックスにおいて、紫外線照射により生じた着色を簡単に改善する方法を提供する。
【解決手段】 バンドギャップの大きさがＥｇ（ｅＶ）である透光性セラミックに対し、波長が１２４０／Ｅｇ+１２０ｎｍ〜７００ｎｍの光を照射する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深の深さで検出される炭素量が５ｍａｓｓ％以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 （もっと読む）

【課題】動圧軸受けにおいて、回転数が高い場合にも、多数回の起動−停止サイクル後にも定常回転を可能とすることである。
【解決手段】高速回転軸体を流体膜層を介して非接触で保持する動圧軸受けを使用する。動圧軸受けがセラミック焼結体からなり、高速回転軸体の回転時に流体膜層に面する保持面を備えている。セラミック成形体の所定面を加工することなく焼結させてセラミック焼結体を生成させると共に保持面を生成させる。この保持面を加工することなく高速回転軸体に対向させる。 （もっと読む）