【課題】複雑で設計の自由度が高く、粒子構造に応じた機能を発現可能な階層構造の粒子集合体、及び、該粒子集合体を簡便かつ安価な方法で製造可能とする階層構造の粒子集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の階層構造の粒子集合体は、基板と、該基板上に形成したテンプレートと、該テンプレート上に形成されたナノ構造体とを備える階層構造の粒子集合体であり、前記テンプレートは、球状粒子が規則的に配列された球状粒子層が前記基板側から前記ナノ構造体側に向けて少なくとも２層積層されて形成され、前記球状粒子の粒径サイズは、前記球状粒子層間で異なり、前記基板側から前記ナノ構造体側に向けて小さく、前記ナノ構造体は、前記テンプレートの最表層を形成する前記球状粒子層における個々の前記球状粒子上に配され、前記球状粒子の粒径サイズよりも小さな粒径のナノ粒子で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の低い金属酸化物薄膜及び金属酸化物半導体を提供する。
【解決手段】膜中の水素濃度が３×１０^２１／ｃｍ^３以下であることを特徴とする金属酸化物薄膜。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

金属酸化物膜を、前記膜のための支持体の表面上に堆積させるための方法であって、堆積チャンバーを準備する工程と、電子およびプラズマからなるパルスビームを前記堆積チャンバー中に与える工程と、支持体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記支持体は堆積表面を有する工程と、金属酸化物を含んだ材料で作られたターゲット体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記ターゲット体はターゲット表面を有する工程と、前記電子およびプラズマからなるパルスビームを前記ターゲット表面に衝突させることによって前記ターゲット表面からアブレーションされた金属酸化物のプルームを形成する工程と、前記プルームを前記堆積表面に接触させることによって前記堆積表面上に金属酸化物膜を堆積させる工程とを含む方法。
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【課題】光学特性の変化を抑制可能な位相差フィルムを製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板の表面に無機材料の粒子を供給して、基板の表面に位相差フィルムを形成する動作と、形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給する動作と、を含む。 （もっと読む）

【課題】形成しようとする酸化物系ナノ構造物と同じ組成を持つナノ核を利用してナノ構造物を成長させる酸化物系ナノ構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（Ｍは、遷移金属元素または半金属元素）を含む有機物前駆体が有機溶媒に溶解されている混合溶液を基板の表面にコーティングするステップと、混合溶液がコーティングされた基板を熱処理して、基板上にＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ核を形成するステップと、Ｍを含む反応前駆体をナノ核に供給しつつナノ核を成長させて、ＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ構造物を形成するステップと、ナノ構造物を熱処理するステップと、を含む酸化物系ナノ構造物の製造方法。 （もっと読む）

基板上に、第１の金属成分からなる金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の金属成分を除去すること、又は基板上に、第１の金属成分からなる第１の金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分からなる第２の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の第１又は第２のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法を提供する。
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