【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い温度領域において磁場中で高い超電導特性を有する酸化物超電導線材、および該酸化物超電導線材を少ない工程数で製造可能な酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０は、テープ状の基材１１と、基材１１の上方に設けられた中間層１２と、中間層１２の上方に設けられたＲＥ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δ（式中、ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上を表す。）の組成式で表される酸化物超電導体からなる酸化物超電導層１３と、を備え、酸化物超電導層１３を構成する酸化物超電導体のＲＥ元素の種類が、酸化物超電導層１３の幅方向で異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小さな曲げ直径で曲げ加工を行う場合であっても、充分な超電導特性を維持することができる薄膜超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板および超電導層を有する本体部の周囲に銅保護層が形成された薄膜超電導線材の製造方法であって、超電導層側に位置する銅保護層の厚みを基板側に位置する銅保護層の厚みより厚くして、薄膜超電導線材の厚みの中心位置を示す中立線から超電導層表面までの距離が所定値以下となるように、銅保護層をめっき法により形成する。 （もっと読む）

【課題】リールから取り外された薄膜超電導線材を使用する場合であっても、基板側と超電導層側とを容易に識別することができる薄膜超電導線材を提供する。
【解決手段】基板および超電導層を有する本体部と、本体部を被覆する銅保護層あるいは本体部を被覆するはんだ層を介して本体部の上下に貼付された銅保護層とを備えた薄膜超電導線材であって、銅保護層のうち、基板側に位置する銅保護層または超電導層側に位置する銅保護層のいずれかの表面に、超電導層が設けられた側を識別するための識別標識が設けられている。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エキシマレーザー光１８ａ及びＹＡＧレーザー光１８ｂを同時にターゲット１５に照射することで、基材１２上に常電導部分となる不純物の比率を０．３〜６質量％含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉄ヒ素系超電導材料において、従来はフッ素置換型や酸素欠損型により超伝導転移温度Ｔｃを向上させていたが、Ｔｃがより高い５０Ｋを超えるような超電導材料及び超電導薄膜を提供することが望まれている。
【解決手段】ＺｒＣｕＳｉＡｓ型の結晶構造を有する鉄ヒ素系超電導材料において、水素を含有させることにより、化学式ＬｎＦｅＡｓＯ_１−ｙＨ_ｘ（ただし、ＬｎはＹ及びランタノイド元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素、ｙは０以上０.５以下、ｘは０．０１以上０．５以下）で表される鉄ヒ素系超電導材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したプルームを長時間均一に発生させ、長尺の基材に対し均一な膜質の酸化物超電導層を生成することを可能とする方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットに集光照射し、プルームを生成させ、該プルームからの粒子をテープ状の長尺基材上に堆積させて酸化物超電導層を形成する方法であって、減圧チャンバー内部の転向部材間に長尺基材が複数の隣接するレーンを構成するように巻き掛け、長尺基材のレーンに近接させてターゲットを配置し、ターゲットに対してレーザー光を集光照射する集光手段を設けたレーザー蒸着装置を用い、集光手段の焦点距離を１．０〜２．０ｍの範囲に、レーザー光のエネルギー密度を１．０〜４．０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定し、ターゲットに対し斜め方向からレーザー光を集光照射しターゲット上で走査し、レーザー光の照射位置毎にプルームを発生させて成膜する方法である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】超電導層への水分の侵入を抑えるとともに、外部からの機械的あるいは化学的なダメージを受け難い構造を有することにより、臨界電流密度の低下を抑制し、良好な超電導特性を有する超電導線材とその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る超電導線材１００は、長尺状の第一基材１の一方の面に、中間層２、超電導層３、保護層４の順に重ねて配してなる第一基体１０と、該保護層４に重なり、安定化材から構成された長尺状の第二基材５からなる第二基体２０とを少なくとも備え、前記第二基体２０の前記保護層４と対向する面には、その長手方向に連続する凹部が配されており、該凹部の内底面が前記保護層４と導電性の接合部材６を介して接合され、かつ、前記超電導層３は、その側面が全て該凹部内に収まるように配されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｔｃが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂からなる超伝導物質層と、ＭｇＢ₂及びＮｉからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤ法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層が形成されたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体であって、該ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物のＢａ組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅrのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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