【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

高度に均一なシリコン／ゲルマニウムナノ粒子が、望ましい小さな二次粒子サイズを有する安定な分散物に形成されることができる。シリコン／ゲルマニウム粒子は、分散物を形成するために表面改質されることができる。シリコン／ゲルマニウムナノ粒子は、粒子特性を変化させるためにドーピングされることができる。分散物は、適切な／用途のためのインクとして印刷されることができる。分散物は、光起電力電池の形成のため又は印刷された電子回路の形成のためなどの、選択的にドーピングされた半導体材料の堆積物を形成するために用いられることができる。
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本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

還元剤、好ましくは、炭素質の作用物質の存在下で、水溶液中で予備精製したシリカの還元を用いる、光電池に適する高純度シリコンの調製方法であって、前記予備精製したシリカが光電池に適する少量のホウ素を有する方法が開示される。

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本発明は、リチウムの繰り返し挿入脱離が可能なコア層、非晶質炭素層及び結晶質炭素層を順に含む電極活物質であって、前記結晶質炭素層は、板状構造を有する炭素層単位体から構成され、前記板状構造を有する炭素層単位体のｃ軸方向と電極活物質粒子の接線方向とが垂直に配列されていることを特徴とする電極活物質及びこれを含む二次電池に関する。
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【課題】 安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持ったシリコン結晶粒子を得ることができるシリコン結晶粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン結晶粒子１の製造方法は、不純物ドープされたシリコン層３が表面に形成されている、不純物ドープされていないシリコン結晶粒子１を、台板２上に載置して加熱炉内に導入し、シリコン結晶粒子１を加熱してその形状を保持した状態で溶融させた後、シリコン結晶粒子１を固化させることによって、不純物ドープされたシリコン結晶粒子１を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で１５０ｐｐｍ以上、１０％以下含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。本発明の球状シリカ粒子は、従来、不純物として考えられていた１３族元素が発現する機能を効果的に利用しており、樹脂組成物に適用した場合に硬化剤を減少できるという効果のほかに、球状シリカ粒子を製造する際の１３族元素に対する不純物管理を低減できる点からも優れている。 （もっと読む）

【課題】比抵抗バラツキが小さく、品質が均一で特性に優れた半導体インゴットの製造方法を提案する。
【解決手段】第一導電型を規定する第一ドーパント材１０６を含有する半導体融液１０７を、鋳型１０３内で所定方向に凝固させてなる半導体インゴットの製造方法において、前記凝固過程で、前記第一導電型と逆の第二導電型を規定する第二ドーパント材１０９を、前記半導体融液１０７中に供給するものとする。 （もっと読む）

【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】鋳型内に保持した、ドーパントを含有するシリコンの融液に温度勾配を与え、低温部から高温部に向けて一方向凝固させてシリコンのインゴットを形成する工程を有し、インゴットの凝固開始位置から固化率５０％の位置までの融液の凝固速度をＶ１としたとき、０．８≦Ｖ１≦１．８（単位：ｍｍ／ｍｉｎ）を満たすようにシリコンの融液を凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗ばらつきが小さく、品質が均一で特性に優れた半導体インゴットの製造方法を提案する。
【解決手段】第一導電型を規定する第一ドーパント材を含有する半導体融液９を、鋳型内で所定方向に凝固させてなる半導体インゴットの製造方法において、前記凝固過程における前記半導体融液９の液面を測定し、該測定値に応じて前記半導体融液の第一ドーパント濃度よりも第一ドーパント濃度が低い半導体原料を、前記半導体融液中に供給することとする。 （もっと読む）

【課題】高品質シリコンインゴットを低コストで製造するための多結晶シリコンインゴットの鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】内面に離型材皮膜を具備し、内部でシリコン原料を融解、又はシリコン融液を保持あるいは凝固させた後、冷却するシリコン鋳造用鋳型であって、鋳型の鋳型部材が二酸化珪素を主成分とする粉体を焼成した焼結体で形成され、鋳型部材の９００℃における熱伝導率が１．０（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以上である。 （もっと読む）

【課題】 より高いキャリア拡散長を有する結晶質シリコン基板、その製造方法およびこれを用いた光電変換素子を提供すること
【解決手段】 シリコンと水素との結合モードが最適化され、かつシリコン内部の水素密度プロファイルが最適化されていることを特徴とする結晶質シリコン基板であって、該基板を加熱した際に生じる脱離水素を測定する昇温脱離ガス分析よって測定した、温度に対する脱離水素速度の関係を表すスペクトルにおいて、前記基板温度が６００℃以上の範囲に脱離水素速度のピークを有し、さらに、前記基板温度が７００℃以上の範囲の脱離水素速度のピーク最大値は、６００℃以上７００℃未満の範囲内の脱離水素速度のピーク最大値より大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの１３族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。本発明の球状シリカ粒子は、ウラン元素を質量基準で０．５ｐｐｂ以下、周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で４０ｐｐｍ以上、４１０ｐｐｍ未満含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】製造装置を構成するサセプタ２は、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２で構成され、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２を組み合わせた状態で各サセプタ２１，２２間に所定の隙間が形成される。この隙間は、基板ウェーハがサセプタ２に載置された際に基板ウェーハおよびサセプタ２の間で形成される空間部とサセプタ２外部とを連通する連通路２３として構成される。 （もっと読む）

【課題】 変換効率が大きい太陽電池を作製することができる多結晶シリコンならびにこの多結晶シリコンを含む太陽電池および太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】 第１のドーパントとして半導体の導電型を決定するドーパントと、第２のドーパントとしてＡｌ、Ｃａ、Ｓｒ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種類の元素とを含有する多結晶シリコン１０。この多結晶シリコン１０を含む太陽電池。この太陽電池を含む太陽電池モジュール。 （もっと読む）

珪素を含有するガス（２）を分離するための反応装置（１）には少なくとも一つの電気加熱可能な珪素の析出要素（１５）がコスト削減のために設けられ、その要素はその電気伝導率を改善するために少なくとも一つの不純物によるドーピングを有し、そのドーピングは、最終段階においてその上に析出された珪素を有する析出要素（１５）が、光起電力用多結晶珪素ブロック又は珪素単結晶製造用の珪素溶融物の製造に適するような濃度を初期段階において有する。本発明に係る反応装置（１）によって珪素を製造する方法、及び、その製造された珪素の光起電力分野における使用についても記載する。
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本発明は、リンを含むシリコン材料を製造する新規の方法に関する。本方法は、高レベルのリンがシリコンと化合することを可能にする。本発明の１つの態様では、リンサンプルは、シリコンサンプルで包囲される。次いで、リンの少なくとも一部は蒸発され、シリコンとの反応が引き起こされる。
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２０〜１５０ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料、不活性ガスおよび水素をホットウォール反応器中で加熱し、該反応混合物を冷却するか、または反応混合物を冷却させ、かつ生成物を粉末の形で気体状の物質から分離することにより製造され、その際、シランの割合は、シラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、かつその際、水素の割合は、水素、シラン、不活性ガスおよびドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲である。該粉末は電子部品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）