【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンの溶融時間を短縮することができる多結晶シリコンの溶融方法を提供すること。
【解決手段】溶融容器に、亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンと、シリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンと、を充填し、次いで、充填物を１４１０〜１６００℃で加熱して、該充填物を溶融させることを特徴とする多結晶シリコンの溶融方法。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にＩＣＰコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの１次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの２次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数の生体分子を同時に効率よく検出可能であり、かつ生体に悪影響を与えることなく安全性に優れた生体物質標識剤、を与える半導体ナノ粒子、それを用いた生体物質標識剤、生体物質標識剤のセットおよび生体分子検出方法を提供することにある。
【解決手段】半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

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【課題】
従来のＳｉ合金電熱合金は、抵抗温度曲線が急峻な山の形状で、均一な温度分布が得がたい。温度の暴走、昇温不能に陥りやすい欠点がある。
【解決方法】
必須相成分としてＳｉ相と珪化物相が存在するミクロ組織を持つＳｉ電熱合金の珪化物相の面積率を２５体積％以上にすることで課題を解決する。またＳｉ成分の出発原料として９９質量％純度以下のシリコン原料を使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】物理的に異なる低次元構造体から構成される装置を受取基板上に製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の細長い構造体(７)の各々の物質組成がその長さ方向に沿って変化することにより、細長い構造体内において物理的に異なる第１および第２の部分が形成されるように、第１の基板(３)上に、細長い構造体(５)を形成する工程を含む。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)が細長い構造体中において形成される。物理的に異なる第１および第２の部分は、それらが製造された後に、細長い構造体の中において形成されてもよい。細長い構造体は被覆され、第２の基板(７)に移動されてもよい。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)を共通の基板上に設けることが必要とされる回路基板の形成方法を改善することができる。特に、移動工程は１回だけしか必要とされない。 （もっと読む）

本発明は、光輝性シリコンナノパーティクルに、表面機能、例えばアミン基や、ラベル付けの応用のための生物学において特にそれらの使用を助けるや他の基を与えるための処理に関する。ナノパーティクルに、これらの機能、特に水性媒質内での溶解に対する保護を与える表面コーティングを生成するために、次いで、反応がナノパーティクルに適用される。本発明の意味における方法は、このコーティング反応の前に、その表面でのＳｉ−ＯＨタイプ結合の生成を助けるシリコンナノパーティクルの不動態化を含み、このタイプの結合は、表面基として、特に、アミン、チオール、ポリエチレングリコールを含む多数の機能を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、この還元シリコンから、経済的に、ホウ素添加シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、得られた還元シリコンを加熱溶融し、ホウ素を添加した後、鋳型内で温度勾配を一方向に設けた状態で凝固させることにより精製することを特徴とする。好ましくは、還元シリコンを酸洗したのちに、加熱溶融し、ホウ素を添加する。還元シリコンを減圧下に加熱溶融させたのちに、ホウ素を添加する。還元シリコンを加熱溶融した後に一方向に凝固させて精製し、その後に加熱溶融し、ホウ素を添加する。 （もっと読む）

【課題】 一定の横方向寸法及び有意なドーピング・レベルを有する半導体ナノワイヤを形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上の触媒粒子が反応器内の半導体材料を含有する反応物質に暴露される。一定の横方向寸法を有する真性半導体ナノワイヤは、十分に低い温度で成長させることで、真性半導体ナノワイヤの側壁上での反応物質の熱分解が抑制される。真性半導体ナノワイヤが所望の長さまで成長すると、半導体ナノワイヤの側壁上での熱分解が可能となるように反応器内の温度が高められ、その後ドーパントが反応物質を含む反応器内に供給される。内側の真性半導体ナノワイヤとドーピング半導体シェルとを有する複合半導体ナノワイヤが形成される。触媒粒子が除去され、その後アニールによってドーパントが複合半導体ナノワイヤの体積中に均一に分散され、その結果、一定の横方向寸法及び実質的に均一なドーピングを有する半導体ナノワイヤが形成される。
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【課題】本発明は、ハイブリッド半導体材料と、それを含有するデバイスとに関する。
【解決手段】本発明のハイブリッド半導体材料は、有機実体によってグラフト化された半導体ナノ物質が分散している有機半導体マトリックスを含み、この有機マトリックスは小半導体分子を含み、前記有機実体は、前記小半導体分子の場合と同様の活性電気官能基を有する。
本発明のハイブリッド半導体材料には、特に、大衆消費者エレクトロニクスの分野における用途がある。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

前駆体ガスからＩＶ族半導体ナノ粒子の組を生成するためのプラズマ処理装置が開示される。この装置は、外側チューブ内面と外側チューブ外面とを含み、外側チューブ内面は外側チューブ内面エッチング速度を有する、外側誘電体チューブを含む。この装置はまた、内側チューブ外面を含み、外側チューブ内面及び内側チューブ外面は環状チャネルを定め、さらに内側チューブ外面は内側チューブ外面エッチング速度を有する、内側誘電体チューブも含む。この装置は、外側チューブ外面上に配置された第１の外側電極内面を有する、第１の外側電極をさらに含む。この装置はまた、内側誘電体チューブの内部に配置され、第１のＲＦエネルギー源が第１の外側電極及び第１の中央電極の一方に加えられたとき、第１の外側電極に結合されるようにさらに構成された第１の中央電極と、第１の外側電極と第１の中央電極との間に定められた第１の反応域とを含む。 （もっと読む）

補償されたシリコン原料からシリコンインゴットを形成する際に抵抗率を制御する方法が、補償され改質された金属級シリコン原料を調製して溶融させてシリコン融液を形成する。補償され改質された金属級シリコン原料によりｐ型優勢の半導体が得られる。このｐ型半導体について、当該方法がホウ素およびリンの濃度を評価し、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムを添加する。当該方法はさらに、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムと一緒にシリコン原料を溶融させてシリコン融液を形成し、このシリコン融液から一方向凝固を実行し、アルミニウムまたは／およびガリウムを添加することにより、シリコンインゴット全体に亘ってシリコンインゴットの抵抗率を均一に維持する。個々のインゴット中でシリコン原料の抵抗率が小さくなる（典型的には０．４Ωｃｍよりも小さく）なる場合、釣り合いの取れた量のリンをアルミニウムまたは／およびガリウムに場合によっては添加することができる。抵抗率が非常に小さい（典型的には、０．２Ωｃｍ付近および０．２Ωｃｍより僅かに小さい）場合には、リンの添加が必要になる。
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【課題】従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。 （もっと読む）