【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】粗面の割合が低い、高純度シリコンからの多結晶ロッドを、より経済的に製造する。
【解決手段】反応器壁、少なくとも２０本のフィラメントロッド、並びに反応器チャンバー内での反応ガス用のガス取り込み口を有する反応器チャンバーを包含する、多結晶シリコンを析出させるための装置であって、その際、各々のフィラメントロッドには、反応器壁付近のフィラメントロッドを除いて、１５０〜４５０ｍｍの間隔で、更に別の３本の隣接するフィラメントロッドと、１つ乃至３つの隣接するガス取り込み口とが存在している、多結晶シリコンを析出させるための装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ベルジャ型反応炉の内壁面への胴部の内壁面を流下したポリマーの付着を最小限に抑え、炉内の洗浄を簡略化することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン反応炉１０は、シリコン芯棒２０が立設される炉底４０の外周部に、その炉底４０の上面４０ａを隆起させてなる環状段部４０ｅが設けられ、環状段部４０ｅの上面４０ｆと、その上面４０ｆに重ねられて設置される胴部３０の下端部３０ｅの下面３０ｆとの間に、これらを気密に接合するガスケット７０が設けられ、胴部３０の下端部３０ｅの内周部に、環状段部４０ｅの上面４０ｆより下方に延びる突出部３３が周方向に沿って設けられ、突出部３３の半径方向外方に、環状段部４０ｅの上面４０ｆが配置されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン析出後の回収に於いて、電極ユニットなどの材質からの汚染を防ぎ、回収するシリコンの収量を十分に確保できる多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の前記外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを含有する成分と水素とを含有する反応ガスを、１つ又はそれ以上のノズルを用いて少なくとも１本の加熱されたフィラメントロッドを有するリアクター中へ導通し、前記フィラメントロッド上にシリコンを析出させることを含む多結晶シリコンの製造方法。
【解決手段】リアクター中の流動条件を説明するアルキメデス数Ａｒ_nが、リアクターの空間容積に対するロッド体積の比［単位：パーセント］で示される充填度ＦＧに依存して、５％までの充填度ＦＧについては下方へは関数Ａｒ＝２０００×ＦＧ^-0.6によりかつ上方へは関数Ａｒ＝１７０００×ＦＧ^-0.9により区切られた範囲内にあり、かつ５％よりも大きい充填度の場合には少なくとも７５０から多くとも４０００までの範囲内にある。 （もっと読む）

多結晶ケイ素を生成するための反応器（１０）が開示され、この反応器は、そこに形成された多数のノズル（４）を有する反応器のベースプレート（２）を提供されている。ケイ素含有ガスは、ノズル（４）を通って流れる。複数のフィラメントロッド（６）は、同じように反応器のベースプレート（２）上に取り付けられている。さらに、使用済みのケイ素含有ガスを、濃縮および／または処理ステージに供給するためのガスの出口開口（８）が提供されている。ガスの出口開口（８）は、内部管（２０）の自由終端（２１）に形成され、内部管（２０）が反応器のベースプレート（２）を通って導入されている。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンの製造方法に関する。本発明の方法は、シリコン含有ガスに基づくガス混合物を配管システムを通して還元リアクターに供給し、流出ガス混合物が形成されるようにシリコンを加熱面に析出させる工程を含む。シリコン析出プロセスは、ガス混合物を輸送する配管システムによって直列に連結された少なくとも2基のリアクターで同時に行う。そして、全てのリアクターの稼働に用いられるガス混合物を最初のリアクター入口に供給し、直列に連結された全てのリアクター中を通して連続的に輸送する。 （もっと読む）

【課題】反応炉の底板部と電極との熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に、シリコン芯棒４を上下方向に沿って立設する複数の電極５が配設されており、その電極５は、底板部２に形成した貫通孔２１内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダ２２と、電極ホルダ２２の上端部に設けられシリコン芯棒４を保持する芯棒保持部２３とを有し、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ２２との間に貫通孔２１内で電極ホルダ２２の周りを囲む環状絶縁材３４が設けられ、反応炉の底板部２上に、環状絶縁材３４の上端部よりも大径の遮熱リング４１が電極ホルダ２２を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒と連結部材との接触面積を良好に確保させるとともに、品質の安定した生産を行う。
【解決手段】シリコン芯棒２の先端部２ｂと本体部分２ａとの間に形成される段部に、シリコン芯棒２の延在する向きと直交する支持面２ｃが形成されており、連結部材３には、前記先端部２ｂを挿入するための貫通孔４が該連結部材３を貫通して設けられており、前記連結部材３における前記貫通孔４の一方側３ｂの開口端周縁が、他方側３ａの開口端周縁よりも鋭利に形成されるとともに、前記一方側の開口端の周囲の表面が、前記貫通孔４の貫通方向に直交する当接面３ｃとされており、前記当接面３ｃが、シリコン芯棒２の前記支持面２ｂに当接されるようにして、前記先端部２ａが前記貫通孔４に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】反応炉以降の配管が反応炉からの排ガス中のシリコン粉末やポリマー化合物によって閉塞する現象を抑制し、オーバーホールの周期を長くして生産性を高める。
【解決手段】反応炉内で複数のシリコン芯棒を加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、反応炉の底部に、反応後の排ガスを排出するガス排出口７が設けられるとともに、該ガス排出口７から外部に通じる排ガス管２１が接続され、該排ガス管２１内に、ガス排出口７から排ガス管２１に至る内周面を覆うスリーブ２２が抜き差し可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、シリコンロッドを長手方向で均等に成長させ、シリコンロッドの倒壊事故を防止する。
【解決手段】電極の頂部中心をＡ点、原料ガス供給ノズルの頂部中心をＢ点、電極中心線からの水平方向の離間距離をＤ、Ａ点レベルから下方へのレベル差をＬとしたとき、前記複数本の電極の全てが下記の条件１、２、３を共に満足する。 １：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝６を満足する面Ｘより下でＤ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より上の領域Ｂ₁ 内に少なくとも１個のＢ点が存在する。 ２：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より下でＬ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｃ₁ 内にＢ点が存在しない。 ３：Ｄ＝８０ｍｍ未満を満足する電極回りの領域Ｄ内で、Ｌ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｅ内にＢ点が存在しない。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

固体シリコンは、混合され、かつプレートの全表面にわたって注入されたガス状のトリクロロシランおよび水素の還元反応によって、通電加熱された析出プレート上に析出される。プレートは、同心円筒、渦巻状、またはＳ字形の繰返しのような、表面積を拡張する多数の幾何学形状を有する。一旦必要量のシリコンが析出されると、析出プレートはシリコンの融点以上に加熱され、析出されたシリコンは、重力によってクラストの形状のままプレートから滑落する。プレートは、プレートから浸出した不純物を含む液体シリコンの薄膜で覆われたまま残される。この膜は、主要なシリコンが汚染されるのを避けるために、主要なシリコンのクラストとは別に溶融され、そして、次の析出サイクル用のプレートとして準備される。
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