【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】波長９μｍ前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が１Ωｃｍ以上、かつ、酸素濃度が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも１つのＧｅＯＩ構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ＳｉＧｅ領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。 （もっと読む）

さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

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【課題】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、この還元シリコンから、経済的に、ホウ素添加シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、得られた還元シリコンを加熱溶融し、ホウ素を添加した後、鋳型内で温度勾配を一方向に設けた状態で凝固させることにより精製することを特徴とする。好ましくは、還元シリコンを酸洗したのちに、加熱溶融し、ホウ素を添加する。還元シリコンを減圧下に加熱溶融させたのちに、ホウ素を添加する。還元シリコンを加熱溶融した後に一方向に凝固させて精製し、その後に加熱溶融し、ホウ素を添加する。 （もっと読む）

【課題】 無毒で伝導性に優れたｎ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること
【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。これは、Ｘを構成する元素であるＳｉ及びまたはＧｅに予めＰを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をＰを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。具体的に、本発明は、薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル物質としてＳｉを含む酸化亜鉛系物質を用いる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。また、本発明は、チャネル物質の蒸着後にプラズマ窒化工程および酸素熱処理工程を経る薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに、本発明は、基板、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Ｓｉを含む酸化亜鉛系半導体チャネル物質を含む薄膜トランジスタに関する。
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【課題】 安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持ったシリコン結晶粒子を得ることができるシリコン結晶粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン結晶粒子１の製造方法は、不純物ドープされたシリコン層３が表面に形成されている、不純物ドープされていないシリコン結晶粒子１を、台板２上に載置して加熱炉内に導入し、シリコン結晶粒子１を加熱してその形状を保持した状態で溶融させた後、シリコン結晶粒子１を固化させることによって、不純物ドープされたシリコン結晶粒子１を製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】鋳型内に保持した、ドーパントを含有するシリコンの融液に温度勾配を与え、低温部から高温部に向けて一方向凝固させてシリコンのインゴットを形成する工程を有し、インゴットの凝固開始位置から固化率５０％の位置までの融液の凝固速度をＶ１としたとき、０．８≦Ｖ１≦１．８（単位：ｍｍ／ｍｉｎ）を満たすようにシリコンの融液を凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】製造装置を構成するサセプタ２は、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２で構成され、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２を組み合わせた状態で各サセプタ２１，２２間に所定の隙間が形成される。この隙間は、基板ウェーハがサセプタ２に載置された際に基板ウェーハおよびサセプタ２の間で形成される空間部とサセプタ２外部とを連通する連通路２３として構成される。 （もっと読む）

本発明は、リンを含むシリコン材料を製造する新規の方法に関する。本方法は、高レベルのリンがシリコンと化合することを可能にする。本発明の１つの態様では、リンサンプルは、シリコンサンプルで包囲される。次いで、リンの少なくとも一部は蒸発され、シリコンとの反応が引き起こされる。
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５０ｍ^２／ｇより大きいＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ物質および不活性ガスを反応器へを連続的に供給し、かつここで成分を混合し、その際、シランの割合は、シラン、ドープ物質および不活性ガスの全ての合計に対して０．１〜９０質量％であり、該混合物をエネルギーの入力により反応させ、その際、１０〜１１００ミリバールの圧力でマイクロ波領域の電磁線を用いてエネルギーを入力することによりプラズマを発生させ、反応混合物を冷却させ、かつ反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離することにより製造される。該粉末は電子部品の製造のために使用することができる。 （もっと読む）