ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の形成方法
【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたSiGe層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも1つのGeOI構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、SiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、SiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
シリコンマイクロエレクトロニクスにおける性能競争(電流値、速度、等)は、継続的にトランジスタのサイズを小型化することを目指している(ムーアの法則)。この小型化方法と平行して、新規の材料(例えばゲルマニウム等の高移動度を有する材料)の導入及び機械的制約(圧縮制約が正孔を介した輸送に有利に働くのに対して、張力制約は電子輸送に有利に働く)が、研究されている。
【0003】
C−MOS(“Complementary Metal Oxide Semiconductor”)マイクロエレクトロニクスの主要素は、N−MOS(電子伝導トランジスタ)及びP−MOS(正孔伝導トランジスタ)である。論理関数(OR、AND、NOR、NANDゲート、等)またはメモリ点(例えばSRAM−6T)を実現するために、これら2種類のトランジスタが組み合わせられる。現在、マイクロエレクトロニクス市場のあらゆる構成要素は、シリコン基板上に形成されている。
【0004】
シリコン中の電子及び正孔の間の体積移動率(それぞれ1500及び500cm2/V/s)のために、N−MOS及びP−MOSトランジスタの電気特性は不均整を示し、P−MOSは、(電流出力及びその結果の速度に関して)N−MOSよりもかなり効果が低い。
【0005】
同一の基板上へのN−MOSシリコン及びP−MOSゲルマニウムの共集積は、C−MOS回路においてP−MOSの性能を向上させるだけでなく、利用可能な空間を失うことなく、電流値及び時定数に関するトランジスタN及びPのバランスを取るための方法である。実際に、ゲルマニウム中の正孔の体積移動度は、1900cm2/V/s程度であり、シリコン中の電子ではほぼ1500cm2/V/sであり、同一規模及び同程度の電気特性を有するN及びPトランジスタを作製することが可能となる。
【0006】
性能向上の観点において、ゲルマニウム中の電子の体積移動度はほぼ4000cm2/V/sであるため(シリコンでの1500cm2/V/sに対して)、N−MOSにゲルマニウムを使用することが考えられる。しかしながら今日、誤解された物理現象によって、ゲルマニウム上のN−MOSの性能が制限されている。現在のところ、ゲルマニウムN−MOSの電気特性は、シリコンN−MOSほど優れていないため、(その未完成度を考慮して)ゲルマニウムN−MOSへの関心は低く、Si/Ge共集積への関心が高い。
【0007】
ゲルマニウムベースの構成要素(狭いギャップ)特有の大きな電気リークのために、この材料は、論理的には絶縁体上に“ポーズ”としてのみ使用することができる。そのため、GeOI(germanium−on−insulator)基板は、基板経由のリークを制限し、得られる部材の特性を大幅に向上させる。
【0008】
局所領域のゲルマニウムオンインシュレータは、前記ゲルマニウム濃縮技術によって形成され得る。この題材は、非特許文献1において述べられている。
【0009】
本技術の第1段階は、SOI(Silicon−on Insulator)基板上のSiGe層のエピタキシーから成る。エピタキシャル成長したSiGe層の濃度及び厚さは、SiGe層がシュードモルフィック制約状態になるように選択されると好適である。第2段階は、形成エンタルピー(負)がGeO2よりも高いため、酸化SiO2が唯一形成される、高温(900℃超)でのドライ酸化である。酸化の間に、ゲルマニウムは2つの障壁の間に捕捉される。埋め込み酸化層(BOX)との界面は固定され、酸化界面は移動する。酸化温度が高いため、ゲルマニウムは、これら2つの障壁によって画定されたSiGe層中に拡散し、その結果SiGe合金を均質化する。SiGeの厚さが減少するにつれて、酸化の間にゲルマニウム濃度が高くなり、その結果、SGOI(Silicon−germanium on insulator)基板が形成される。適切な酸化時間で純粋なGeOI基板を形成するための本技術によって、Ge濃度は100%に到達し得る。
【0010】
第1実施形態は、シリコンオンインシュレータ基板上へのSiGeの非選択的堆積と、耐酸化性層を利用した濃縮されるべきでない領域のマスキングとから成る。従って、マスクされていない領域が濃縮される。マスク領域は、窒化ケイ素から成る。マスクされていない領域(例えば“チャネル”トランジスタ領域)は、酸化の間にGeで濃縮され、マスクされた領域(例えば“ソース及びドレイン”トランジスタ領域)は、低濃度SiGe(濃度を均一化するためにSiGe層からSi層へとGeが拡散する)から成る。本第1実施形態は、特許文献1に対応する特許文献2に記載されている。図1は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層2を支持するシリコン支持材1と、薄型シリコン層3と、SiGe層4とを備える。参照符号5は、Si3N4のマスクを表す。マスクされていない領域(1箇所のみ示す)は、局所的に濃縮される。マスクされていない領域は、ゲルマニウムが濃縮されたSiGe層、またはゲルマニウム層となり、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に位置する。
【0011】
第2実施形態は、耐酸化性材料の層中に形成され、SOI基板上に画定された空洞中への選択的なSiGeの堆積から成る。“チャネル”領域は、酸化の間にGeで濃縮され、“ソース及びドレイン”領域はシリコンのままである。図2は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層12を支持するシリコン支持材11と、薄型シリコン層13と、窒化ケイ素層15とを備える。空洞16(1箇所のみ示す)は、薄型シリコン層13の表面が現れるまで、窒化物層15の層中に形成される。SiGe14は、空洞16中に堆積される。従って、ゲルマニウムの濃縮が達成される。結果としてゲルマニウムで濃縮されたSiGe層またはゲルマニウム層が、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に得られる。
【0012】
第3実施形態は、SOI基板上に非選択的に堆積されたSiGe層からのメサ領域の画定から成る。その後、SiGe領域が濃縮される。この場合、“チャネル”及び“ソース及びドレイン”領域は、ゲルマニウムで濃縮されるかまたはゲルマニウムから成る。図3は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層22を支持するシリコン支持材21と、薄型シリコン層23と、SiGe層24とを備える。薄型シリコン層23及びSiGe層24からメサ領域が画定される。従って、ゲルマニウム濃縮が達成される。結果としてゲルマニウムで濃縮されたSiGe層またはゲルマニウム層が、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に得られる。
【0013】
これらの実施形態は、欠点を有する可能性がある。第1及び第2実施形態では、SiGeの濃度及び厚さに変動があり、バードビークが明らかである。第3実施形態では、LOCOS型の埋め込み酸化層の酸化が、酸化及び側方濃縮を有することが明らかである。
【0014】
結果としてパターンのサイズによって基板上に濃縮むらが生じるため、メサの濃縮の間に観察されるこれらの側方濃縮現象は、問題を有する。酸化/濃縮段階後に、200mm基板上においてゲルマニウムで濃縮された異なるサイズのパターンのラマン測定から、最小のパターンはゲルマニウムで100%濃縮されているが、最大のパターンは中心部で73%しか濃縮されておらず、かなりのむらがあることが明らかとなった。異なるパターン上に現れたこのむらは、数マイクロメートルにわたって広がっており、一箇所のみの側方濃縮現象ではなかった。実際、Ge原子の拡散距離は、数百ナノメートル程度であるが、これらの現象は数マイクロメートルにわたって広がる。
【0015】
第3実施形態を集約した図4Aは、エッチング後で濃縮前のメサ構造のラマンスペクトルを示し、メサのエッジにおける傾斜の制約が非常に明白に識別される。この現象は周知であり、パターンのエッジに沿った弾性緩和に関連する。この緩和は約3μmの距離にわたって広がる。濃縮の後(図4B参照)、同じメサの濃度におけるむらは、濃縮の前と同等の距離にわたって見られた。図4Bにおいて、参照符号25は、得られたゲルマニウム層を示し、その上には酸化ケイ素層26がある。結論として、エッジに沿った弾性緩和によって、酸化速度及びそれに応じた最終的な濃縮が局部的に変更される。パターンのサイズによって与える影響が異なり、本パターンによって構成された200mm板上での最終的な濃縮に相違を生じさせ得るため、この現象は問題を有する。
【0016】
リン及びホウ素でドープされた酸化ケイ素層(BPSG)における制約を弾性緩和することも周知である。この制約の緩和現象は、既に研究されており、コンプライアント基板が製造された。この題材は、非特許文献2において述べられている。
【0017】
非特許文献3には、ドーパントが特定の酸化物のフロー温度に与える影響が記載されている。以下に再現したこの文献の表1は、ドープされていない酸化ケイ素と比較して、リン、ホウ素及びゲルマニウムによる酸化ケイ素のドーピングがフロー温度(粘度1013ポアズに対応)に与える影響を示す。この表において、記号m/oは、ドープされたSiO2の組成に対する化合物のモル百分率を示す。
【0018】
【表1】
【0019】
この表から明らかなように、標準酸化ケイ素がドープされた場合、そのフロー温度Tgを低下させる可能性がある。ドープされていない酸化ケイ素のフロー温度は1160℃である。4.4×1020atoms/cm3のホウ素(5m/o B2O3に相当)をドープした場合、フロー温度は815℃に低下する。ゲルマニウム4.1から7m/oGeO2の原子を酸化ケイ素にドープすると、フロー温度は1160℃からそれぞれ800℃及び750℃に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0020】
【特許文献1】米国特許出願公開第2007/284625号明細書
【特許文献2】仏国特許出願公開2902234号明細書
【非特許文献】
【0021】
【非特許文献1】T.TEZUKA、“A Novel Fabrication Technizue of Ultrathin and Relaxed SiGe Buffer Layers with High Ge Fraction for Sub−100 nm Strained Silicon−on−Insulator MOSFETS”、J.Appl.Phys.、2001年、第40巻、p.2866−2874
【非特許文献2】Y.H.LO、“New Approach to Grow Pseudomorphic Structures over the Critical Thickness”、Appl.Phys.Lett.、1991年10月28日、59(18)、p.2311−2313
【非特許文献3】K.NASSAU、“Modified Phosphosilicate Glasses for VLSI Applications”、J.Electrochem.Soc.:Solid−State Science and Technology、1985年、第132巻、No.2、p.409−415
【非特許文献4】4R.L.Smith、“Prous silicon formation mechanims”J.Appl.Phys.、1992年4月15日、71(8)、p.R1−R22
【非特許文献5】FENOUILLET−BERANGER“Requirements for ultra−thin−film devices and new materials for the CMOS roadmap”、Solid−State Electronics 48、2004年、p.961−967C
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
本発明は、低温で流動性を有する酸化物を使用することで、制約を弾性緩和することによって(欠陥を形成することなく)、上記で明らかにした問題を解決する方法を提案する。
【0023】
従って、低温で流動性を有する酸化物上での局所ゲルマニウム濃縮の実施を提案する。標準SiO2酸化物の代わりにこのような酸化物を使用することで、濃縮の間に制約が蓄積されることを防止し、その結果構造欠陥の形成が回避される。
【0024】
濃縮の間、リンと同様に、ホウ素は濃縮された酸化層中に拡散され得、その結果汚染物質となる。コンプライアントSOIと称され、進行する濃縮の間に制約を緩和する結果、構造欠陥の無いGeOIを形成するGeでドープされたSiO2層上に局所GeOIを形成することが提案されている。さらに、これらの制約を緩和することによって、あらゆる明らかな酸化のむらが制限される。本発明によると、堆積は、ゲルマニウムが1から45%程度であり、好適には4から13m/oGe程度であるゲルマニウム濃度を有する多孔性SiGeから成る。ホウ素またはリンでドープされた単結晶SiGe層を、フッ化水素酸ベースの溶液において電気化学的攻撃することによって、多孔性SiGeが得られる。
【課題を解決するための手段】
【0025】
本発明の目的は、酸化ケイ素層によって支持されているSiGe層のゲルマニウム濃縮によって、少なくとも1つのGeOI構造を形成するための方法であって、酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度が、酸化ケイ素層のフロー温度をSiGe層のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に下げる濃度であることを特徴とする。
【0026】
好適には、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ドープされた酸化ケイ素層の組成に対するGeO2のモル百分率が4から13m/oとなる濃度である。
【0027】
好適には、ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層は、多孔性SiGe層の酸化によって得られる。
【0028】
この方法は、
−支持基板上にドープされた単結晶SiGeの初期層を形成する段階と、
−ドープされたSiGe初期層中に細孔を形成する段階と、
−多孔性SiGe層上に第1連続単結晶シリコン層を形成する段階と、
−シリコン層上にゲルマニウムで濃縮されるべき単結晶SiGe層を形成する段階と、
−ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層上に第2単結晶シリコン層を形成する段階と、
−第1シリコン層と、ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層と、第2シリコン層とによって構成される積層体中に少なくとも1つのメサを画定する段階と、
−メサの側面に保護スペーサーを堆積する段階と、
−ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層を形成するために、多孔性SiGe層を酸化する段階と、
−ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層のゲルマニウムを濃縮する段階と、
を含むことができる。
【0029】
本発明の別の目的は、
−基板と、
−基板上に形成された酸化ケイ素層と、
−酸化ケイ素層より上に形成されたSiGe領域と、
を備えた半導体構造であって、
酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされた層であり、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度が、酸化ケイ素層のフロー温度をSiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に下げる濃度であることを特徴とする。
【0030】
このような構造は、本発明による方法を活用する。
【0031】
好ましい実施形態によると、メサの部分を形成するSiGe領域は、ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層とSiGe領域との間に交互配置された第1シリコン層を備え、メサは同様にSiGe領域上に第2シリコン層を備える。
【0032】
メサの側面は、例えば窒化ケイ素から成る保護スペーサーで被覆され得る。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】局所ゲルマニウム濃縮の第1実施形態を示す。
【図2】局所ゲルマニウム濃縮の第2実施形態を示す。
【図3】局所ゲルマニウム濃縮の第3実施形態を示す。
【図4A】エッチング後であり濃縮前のメサ構造のラマンスペクトルを示す。
【図4B】エッチング後であり濃縮後のメサ構造のラマンスペクトルを示す。
【図5A】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5B】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5C】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5D】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5E】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5F】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【0034】
添付の図面と共に非限定的な例によって与えられる以下の説明から本発明はより深く理解され、その他の利点及び特定の特徴が明らかとなるであろう。
【0035】
本発明の特定の実施形態についてここで説明する。本実施形態は、横断面図である図5Aから5Fに図示されている。
【0036】
図5Aは、本発明による工程を実行するための支持材として作用する、シリコンから成る基板31を示す。
【0037】
当業者に周知の方法で、基板31上に、エピタキシーによって、ゲルマニウムの濃縮を有するホウ素またはリンでドープされた単結晶SixGe1−x層32が形成され、その結果、ゲルマニウム濃度は、その後形成される酸化ケイ素中で4から7m/oGeO2に相当する(図5B参照)。
【0038】
SiGe層32は、フッ化水素酸溶液における電気化学攻撃によって多孔性に形成される。特定の時間(多孔性層の好ましい厚さ、SiGe層のドーピング速度及び使用するドーパントの性質によって数秒から数十分)にわたって連続的に電流を流すことによって、深さ方向へのSiGeのドープが生じ、その多孔率(細孔の容積パーセント)が90%に達し得る多孔性材料の均質層が層32の自由表面の下に形成される。形成される多孔性SiGeの多孔率及び厚さは、SiGe層のドーピング、HF濃度及びその他のパラメータにも依存するが、電流密度に応じて増加する。この方法によって、異なる厚さ(1nmから数百nm)の多孔性SiGe層が形成され得、酸化の後に、異なる厚さ(薄いBOXから厚いBOX)の埋め込み酸化膜が形成され得る。有効性のために、145nmの多孔性SiGe層を選択することができる。
【0039】
ドーピングの型、ドーピングの速度及び形態上に印加される電流、並びに単結晶シリコン中に得られる細孔のサイズが及ぼす影響に関して、非特許文献に述べられている。
【0040】
非特許文献5には、埋め込み酸化層の厚さが短チャネル効果に及ぼす影響について記載されている。これは、例えば閾電圧(Vth)、オフ電流(Ioff)等、トランジスタの性能を低下させる、ゲートの静電的制御を低下させるあらゆるパラメータである“短チャネル効果”として周知の事項である。
【0041】
数nmの厚さを有する単結晶シリコン層33は、当業者に周知の方法で、多孔性SiGe層32上に、エピタキシーによって堆積される(図5C参照)。この層はさらに、多孔性SiGe層32の酸化の間にマスクとして作用するだろう。単結晶シリコン層33は、連続的に多孔性SiGe層32上に堆積され、ゲルマニウム濃縮に不可欠な単結晶SixGe1−x層34の成長を促進する(図5C参照)。
【0042】
理想的には2nmである、数nmの厚さを有する薄いシリコン層35が、エピタキシーによって、SixGe1−x層34上に形成される(図5C参照)。
【0043】
局所ゲルマニウム領域となるであろう領域は、リソエッチング工程によって画定される。簡略化のために、図5Dはこれらの領域の1つを示す。積層されたシリコン層33、SixGe1−x層34及びシリコン層35は、プラズマエッチングを使用してエッチングされ、多孔性SiGe層32上で停止する。その後、エッチングされた構造体の側面に、誘電材料から成るスペーサー36が堆積される。これらのスペーサーは、例えば窒化ケイ素から成る。スペーサーの目的は、構造体の側面を保護することである。
【0044】
この方法で明らかとなった多孔性SiGe層32は、GeでドープされたSiO2層を形成するためのこの層32の酸化開始通路となるだろう。酸化温度は400℃から700℃の間であってよく、理想的には600℃である。多孔性SiGe及び単結晶シリコン層33の酸化速度の違いのために、シリコン層33は、酸化停止層として作用する。その結果、GeでドープされたSiO2層37が形成される(図5E参照)。
【0045】
ゲルマニウム濃縮は、当業者に周知の方法である、900℃を超える温度でのドライ酸化を使用して実施されることができる。この温度は、GeでドープされたSiO2層のフロー温度より高温である。従って、結果として層37上に、ゲルマニウムが強化されたSiGe層38、またはゲルマニウム層が形成される。その後、層38上に、酸化ケイ素層39が配置される。
【符号の説明】
【0046】
1、11、21 シリコン支持材
2、12、22 埋め込み酸化層
3、13、23 薄型シリコン層
4、24、32 SiGe層
5、15、 マスク
14 SiGe
16 空洞
25 ゲルマニウム層
26、39 酸化ケイ素層
33、35 シリコン層
34 SixGe1−x層
36 保護スペーサー
37 GeでドープされたSiO2層
38 ゲルマニウム濃縮SiGe層
【技術分野】
【0001】
本発明は、ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
シリコンマイクロエレクトロニクスにおける性能競争(電流値、速度、等)は、継続的にトランジスタのサイズを小型化することを目指している(ムーアの法則)。この小型化方法と平行して、新規の材料(例えばゲルマニウム等の高移動度を有する材料)の導入及び機械的制約(圧縮制約が正孔を介した輸送に有利に働くのに対して、張力制約は電子輸送に有利に働く)が、研究されている。
【0003】
C−MOS(“Complementary Metal Oxide Semiconductor”)マイクロエレクトロニクスの主要素は、N−MOS(電子伝導トランジスタ)及びP−MOS(正孔伝導トランジスタ)である。論理関数(OR、AND、NOR、NANDゲート、等)またはメモリ点(例えばSRAM−6T)を実現するために、これら2種類のトランジスタが組み合わせられる。現在、マイクロエレクトロニクス市場のあらゆる構成要素は、シリコン基板上に形成されている。
【0004】
シリコン中の電子及び正孔の間の体積移動率(それぞれ1500及び500cm2/V/s)のために、N−MOS及びP−MOSトランジスタの電気特性は不均整を示し、P−MOSは、(電流出力及びその結果の速度に関して)N−MOSよりもかなり効果が低い。
【0005】
同一の基板上へのN−MOSシリコン及びP−MOSゲルマニウムの共集積は、C−MOS回路においてP−MOSの性能を向上させるだけでなく、利用可能な空間を失うことなく、電流値及び時定数に関するトランジスタN及びPのバランスを取るための方法である。実際に、ゲルマニウム中の正孔の体積移動度は、1900cm2/V/s程度であり、シリコン中の電子ではほぼ1500cm2/V/sであり、同一規模及び同程度の電気特性を有するN及びPトランジスタを作製することが可能となる。
【0006】
性能向上の観点において、ゲルマニウム中の電子の体積移動度はほぼ4000cm2/V/sであるため(シリコンでの1500cm2/V/sに対して)、N−MOSにゲルマニウムを使用することが考えられる。しかしながら今日、誤解された物理現象によって、ゲルマニウム上のN−MOSの性能が制限されている。現在のところ、ゲルマニウムN−MOSの電気特性は、シリコンN−MOSほど優れていないため、(その未完成度を考慮して)ゲルマニウムN−MOSへの関心は低く、Si/Ge共集積への関心が高い。
【0007】
ゲルマニウムベースの構成要素(狭いギャップ)特有の大きな電気リークのために、この材料は、論理的には絶縁体上に“ポーズ”としてのみ使用することができる。そのため、GeOI(germanium−on−insulator)基板は、基板経由のリークを制限し、得られる部材の特性を大幅に向上させる。
【0008】
局所領域のゲルマニウムオンインシュレータは、前記ゲルマニウム濃縮技術によって形成され得る。この題材は、非特許文献1において述べられている。
【0009】
本技術の第1段階は、SOI(Silicon−on Insulator)基板上のSiGe層のエピタキシーから成る。エピタキシャル成長したSiGe層の濃度及び厚さは、SiGe層がシュードモルフィック制約状態になるように選択されると好適である。第2段階は、形成エンタルピー(負)がGeO2よりも高いため、酸化SiO2が唯一形成される、高温(900℃超)でのドライ酸化である。酸化の間に、ゲルマニウムは2つの障壁の間に捕捉される。埋め込み酸化層(BOX)との界面は固定され、酸化界面は移動する。酸化温度が高いため、ゲルマニウムは、これら2つの障壁によって画定されたSiGe層中に拡散し、その結果SiGe合金を均質化する。SiGeの厚さが減少するにつれて、酸化の間にゲルマニウム濃度が高くなり、その結果、SGOI(Silicon−germanium on insulator)基板が形成される。適切な酸化時間で純粋なGeOI基板を形成するための本技術によって、Ge濃度は100%に到達し得る。
【0010】
第1実施形態は、シリコンオンインシュレータ基板上へのSiGeの非選択的堆積と、耐酸化性層を利用した濃縮されるべきでない領域のマスキングとから成る。従って、マスクされていない領域が濃縮される。マスク領域は、窒化ケイ素から成る。マスクされていない領域(例えば“チャネル”トランジスタ領域)は、酸化の間にGeで濃縮され、マスクされた領域(例えば“ソース及びドレイン”トランジスタ領域)は、低濃度SiGe(濃度を均一化するためにSiGe層からSi層へとGeが拡散する)から成る。本第1実施形態は、特許文献1に対応する特許文献2に記載されている。図1は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層2を支持するシリコン支持材1と、薄型シリコン層3と、SiGe層4とを備える。参照符号5は、Si3N4のマスクを表す。マスクされていない領域(1箇所のみ示す)は、局所的に濃縮される。マスクされていない領域は、ゲルマニウムが濃縮されたSiGe層、またはゲルマニウム層となり、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に位置する。
【0011】
第2実施形態は、耐酸化性材料の層中に形成され、SOI基板上に画定された空洞中への選択的なSiGeの堆積から成る。“チャネル”領域は、酸化の間にGeで濃縮され、“ソース及びドレイン”領域はシリコンのままである。図2は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層12を支持するシリコン支持材11と、薄型シリコン層13と、窒化ケイ素層15とを備える。空洞16(1箇所のみ示す)は、薄型シリコン層13の表面が現れるまで、窒化物層15の層中に形成される。SiGe14は、空洞16中に堆積される。従って、ゲルマニウムの濃縮が達成される。結果としてゲルマニウムで濃縮されたSiGe層またはゲルマニウム層が、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に得られる。
【0012】
第3実施形態は、SOI基板上に非選択的に堆積されたSiGe層からのメサ領域の画定から成る。その後、SiGe領域が濃縮される。この場合、“チャネル”及び“ソース及びドレイン”領域は、ゲルマニウムで濃縮されるかまたはゲルマニウムから成る。図3は、本実施形態を表す縦断面図である。基板は、連続して埋め込み酸化層22を支持するシリコン支持材21と、薄型シリコン層23と、SiGe層24とを備える。薄型シリコン層23及びSiGe層24からメサ領域が画定される。従って、ゲルマニウム濃縮が達成される。結果としてゲルマニウムで濃縮されたSiGe層またはゲルマニウム層が、埋め込み酸化層上の酸化ケイ素層上に得られる。
【0013】
これらの実施形態は、欠点を有する可能性がある。第1及び第2実施形態では、SiGeの濃度及び厚さに変動があり、バードビークが明らかである。第3実施形態では、LOCOS型の埋め込み酸化層の酸化が、酸化及び側方濃縮を有することが明らかである。
【0014】
結果としてパターンのサイズによって基板上に濃縮むらが生じるため、メサの濃縮の間に観察されるこれらの側方濃縮現象は、問題を有する。酸化/濃縮段階後に、200mm基板上においてゲルマニウムで濃縮された異なるサイズのパターンのラマン測定から、最小のパターンはゲルマニウムで100%濃縮されているが、最大のパターンは中心部で73%しか濃縮されておらず、かなりのむらがあることが明らかとなった。異なるパターン上に現れたこのむらは、数マイクロメートルにわたって広がっており、一箇所のみの側方濃縮現象ではなかった。実際、Ge原子の拡散距離は、数百ナノメートル程度であるが、これらの現象は数マイクロメートルにわたって広がる。
【0015】
第3実施形態を集約した図4Aは、エッチング後で濃縮前のメサ構造のラマンスペクトルを示し、メサのエッジにおける傾斜の制約が非常に明白に識別される。この現象は周知であり、パターンのエッジに沿った弾性緩和に関連する。この緩和は約3μmの距離にわたって広がる。濃縮の後(図4B参照)、同じメサの濃度におけるむらは、濃縮の前と同等の距離にわたって見られた。図4Bにおいて、参照符号25は、得られたゲルマニウム層を示し、その上には酸化ケイ素層26がある。結論として、エッジに沿った弾性緩和によって、酸化速度及びそれに応じた最終的な濃縮が局部的に変更される。パターンのサイズによって与える影響が異なり、本パターンによって構成された200mm板上での最終的な濃縮に相違を生じさせ得るため、この現象は問題を有する。
【0016】
リン及びホウ素でドープされた酸化ケイ素層(BPSG)における制約を弾性緩和することも周知である。この制約の緩和現象は、既に研究されており、コンプライアント基板が製造された。この題材は、非特許文献2において述べられている。
【0017】
非特許文献3には、ドーパントが特定の酸化物のフロー温度に与える影響が記載されている。以下に再現したこの文献の表1は、ドープされていない酸化ケイ素と比較して、リン、ホウ素及びゲルマニウムによる酸化ケイ素のドーピングがフロー温度(粘度1013ポアズに対応)に与える影響を示す。この表において、記号m/oは、ドープされたSiO2の組成に対する化合物のモル百分率を示す。
【0018】
【表1】
【0019】
この表から明らかなように、標準酸化ケイ素がドープされた場合、そのフロー温度Tgを低下させる可能性がある。ドープされていない酸化ケイ素のフロー温度は1160℃である。4.4×1020atoms/cm3のホウ素(5m/o B2O3に相当)をドープした場合、フロー温度は815℃に低下する。ゲルマニウム4.1から7m/oGeO2の原子を酸化ケイ素にドープすると、フロー温度は1160℃からそれぞれ800℃及び750℃に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0020】
【特許文献1】米国特許出願公開第2007/284625号明細書
【特許文献2】仏国特許出願公開2902234号明細書
【非特許文献】
【0021】
【非特許文献1】T.TEZUKA、“A Novel Fabrication Technizue of Ultrathin and Relaxed SiGe Buffer Layers with High Ge Fraction for Sub−100 nm Strained Silicon−on−Insulator MOSFETS”、J.Appl.Phys.、2001年、第40巻、p.2866−2874
【非特許文献2】Y.H.LO、“New Approach to Grow Pseudomorphic Structures over the Critical Thickness”、Appl.Phys.Lett.、1991年10月28日、59(18)、p.2311−2313
【非特許文献3】K.NASSAU、“Modified Phosphosilicate Glasses for VLSI Applications”、J.Electrochem.Soc.:Solid−State Science and Technology、1985年、第132巻、No.2、p.409−415
【非特許文献4】4R.L.Smith、“Prous silicon formation mechanims”J.Appl.Phys.、1992年4月15日、71(8)、p.R1−R22
【非特許文献5】FENOUILLET−BERANGER“Requirements for ultra−thin−film devices and new materials for the CMOS roadmap”、Solid−State Electronics 48、2004年、p.961−967C
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
本発明は、低温で流動性を有する酸化物を使用することで、制約を弾性緩和することによって(欠陥を形成することなく)、上記で明らかにした問題を解決する方法を提案する。
【0023】
従って、低温で流動性を有する酸化物上での局所ゲルマニウム濃縮の実施を提案する。標準SiO2酸化物の代わりにこのような酸化物を使用することで、濃縮の間に制約が蓄積されることを防止し、その結果構造欠陥の形成が回避される。
【0024】
濃縮の間、リンと同様に、ホウ素は濃縮された酸化層中に拡散され得、その結果汚染物質となる。コンプライアントSOIと称され、進行する濃縮の間に制約を緩和する結果、構造欠陥の無いGeOIを形成するGeでドープされたSiO2層上に局所GeOIを形成することが提案されている。さらに、これらの制約を緩和することによって、あらゆる明らかな酸化のむらが制限される。本発明によると、堆積は、ゲルマニウムが1から45%程度であり、好適には4から13m/oGe程度であるゲルマニウム濃度を有する多孔性SiGeから成る。ホウ素またはリンでドープされた単結晶SiGe層を、フッ化水素酸ベースの溶液において電気化学的攻撃することによって、多孔性SiGeが得られる。
【課題を解決するための手段】
【0025】
本発明の目的は、酸化ケイ素層によって支持されているSiGe層のゲルマニウム濃縮によって、少なくとも1つのGeOI構造を形成するための方法であって、酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度が、酸化ケイ素層のフロー温度をSiGe層のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に下げる濃度であることを特徴とする。
【0026】
好適には、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ドープされた酸化ケイ素層の組成に対するGeO2のモル百分率が4から13m/oとなる濃度である。
【0027】
好適には、ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層は、多孔性SiGe層の酸化によって得られる。
【0028】
この方法は、
−支持基板上にドープされた単結晶SiGeの初期層を形成する段階と、
−ドープされたSiGe初期層中に細孔を形成する段階と、
−多孔性SiGe層上に第1連続単結晶シリコン層を形成する段階と、
−シリコン層上にゲルマニウムで濃縮されるべき単結晶SiGe層を形成する段階と、
−ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層上に第2単結晶シリコン層を形成する段階と、
−第1シリコン層と、ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層と、第2シリコン層とによって構成される積層体中に少なくとも1つのメサを画定する段階と、
−メサの側面に保護スペーサーを堆積する段階と、
−ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層を形成するために、多孔性SiGe層を酸化する段階と、
−ゲルマニウムで濃縮されるべきSiGe層のゲルマニウムを濃縮する段階と、
を含むことができる。
【0029】
本発明の別の目的は、
−基板と、
−基板上に形成された酸化ケイ素層と、
−酸化ケイ素層より上に形成されたSiGe領域と、
を備えた半導体構造であって、
酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされた層であり、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度が、酸化ケイ素層のフロー温度をSiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に下げる濃度であることを特徴とする。
【0030】
このような構造は、本発明による方法を活用する。
【0031】
好ましい実施形態によると、メサの部分を形成するSiGe領域は、ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層とSiGe領域との間に交互配置された第1シリコン層を備え、メサは同様にSiGe領域上に第2シリコン層を備える。
【0032】
メサの側面は、例えば窒化ケイ素から成る保護スペーサーで被覆され得る。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】局所ゲルマニウム濃縮の第1実施形態を示す。
【図2】局所ゲルマニウム濃縮の第2実施形態を示す。
【図3】局所ゲルマニウム濃縮の第3実施形態を示す。
【図4A】エッチング後であり濃縮前のメサ構造のラマンスペクトルを示す。
【図4B】エッチング後であり濃縮後のメサ構造のラマンスペクトルを示す。
【図5A】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5B】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5C】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5D】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5E】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【図5F】ゲルマニウム濃縮によって得られる局所GeOI構造の製造工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【0034】
添付の図面と共に非限定的な例によって与えられる以下の説明から本発明はより深く理解され、その他の利点及び特定の特徴が明らかとなるであろう。
【0035】
本発明の特定の実施形態についてここで説明する。本実施形態は、横断面図である図5Aから5Fに図示されている。
【0036】
図5Aは、本発明による工程を実行するための支持材として作用する、シリコンから成る基板31を示す。
【0037】
当業者に周知の方法で、基板31上に、エピタキシーによって、ゲルマニウムの濃縮を有するホウ素またはリンでドープされた単結晶SixGe1−x層32が形成され、その結果、ゲルマニウム濃度は、その後形成される酸化ケイ素中で4から7m/oGeO2に相当する(図5B参照)。
【0038】
SiGe層32は、フッ化水素酸溶液における電気化学攻撃によって多孔性に形成される。特定の時間(多孔性層の好ましい厚さ、SiGe層のドーピング速度及び使用するドーパントの性質によって数秒から数十分)にわたって連続的に電流を流すことによって、深さ方向へのSiGeのドープが生じ、その多孔率(細孔の容積パーセント)が90%に達し得る多孔性材料の均質層が層32の自由表面の下に形成される。形成される多孔性SiGeの多孔率及び厚さは、SiGe層のドーピング、HF濃度及びその他のパラメータにも依存するが、電流密度に応じて増加する。この方法によって、異なる厚さ(1nmから数百nm)の多孔性SiGe層が形成され得、酸化の後に、異なる厚さ(薄いBOXから厚いBOX)の埋め込み酸化膜が形成され得る。有効性のために、145nmの多孔性SiGe層を選択することができる。
【0039】
ドーピングの型、ドーピングの速度及び形態上に印加される電流、並びに単結晶シリコン中に得られる細孔のサイズが及ぼす影響に関して、非特許文献に述べられている。
【0040】
非特許文献5には、埋め込み酸化層の厚さが短チャネル効果に及ぼす影響について記載されている。これは、例えば閾電圧(Vth)、オフ電流(Ioff)等、トランジスタの性能を低下させる、ゲートの静電的制御を低下させるあらゆるパラメータである“短チャネル効果”として周知の事項である。
【0041】
数nmの厚さを有する単結晶シリコン層33は、当業者に周知の方法で、多孔性SiGe層32上に、エピタキシーによって堆積される(図5C参照)。この層はさらに、多孔性SiGe層32の酸化の間にマスクとして作用するだろう。単結晶シリコン層33は、連続的に多孔性SiGe層32上に堆積され、ゲルマニウム濃縮に不可欠な単結晶SixGe1−x層34の成長を促進する(図5C参照)。
【0042】
理想的には2nmである、数nmの厚さを有する薄いシリコン層35が、エピタキシーによって、SixGe1−x層34上に形成される(図5C参照)。
【0043】
局所ゲルマニウム領域となるであろう領域は、リソエッチング工程によって画定される。簡略化のために、図5Dはこれらの領域の1つを示す。積層されたシリコン層33、SixGe1−x層34及びシリコン層35は、プラズマエッチングを使用してエッチングされ、多孔性SiGe層32上で停止する。その後、エッチングされた構造体の側面に、誘電材料から成るスペーサー36が堆積される。これらのスペーサーは、例えば窒化ケイ素から成る。スペーサーの目的は、構造体の側面を保護することである。
【0044】
この方法で明らかとなった多孔性SiGe層32は、GeでドープされたSiO2層を形成するためのこの層32の酸化開始通路となるだろう。酸化温度は400℃から700℃の間であってよく、理想的には600℃である。多孔性SiGe及び単結晶シリコン層33の酸化速度の違いのために、シリコン層33は、酸化停止層として作用する。その結果、GeでドープされたSiO2層37が形成される(図5E参照)。
【0045】
ゲルマニウム濃縮は、当業者に周知の方法である、900℃を超える温度でのドライ酸化を使用して実施されることができる。この温度は、GeでドープされたSiO2層のフロー温度より高温である。従って、結果として層37上に、ゲルマニウムが強化されたSiGe層38、またはゲルマニウム層が形成される。その後、層38上に、酸化ケイ素層39が配置される。
【符号の説明】
【0046】
1、11、21 シリコン支持材
2、12、22 埋め込み酸化層
3、13、23 薄型シリコン層
4、24、32 SiGe層
5、15、 マスク
14 SiGe
16 空洞
25 ゲルマニウム層
26、39 酸化ケイ素層
33、35 シリコン層
34 SixGe1−x層
36 保護スペーサー
37 GeでドープされたSiO2層
38 ゲルマニウム濃縮SiGe層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸化ケイ素層(37)によって支持されているSiGe層(34)のゲルマニウム濃縮によって、少なくとも1つのGeOI構造を形成するための方法であって、前記酸化ケイ素層(37)がゲルマニウムでドープされ、ゲルマニウムによる前記酸化ケイ素層のドーピングが、多孔性SiGe層(32)の酸化によって得られ、前記酸化ケイ素層(37)中のゲルマニウム濃度が、前記SiGe層(34)のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に前記酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度であることを特徴とする方法。
【請求項2】
前記酸化ケイ素層(37)中のゲルマニウム濃度が、ドープされた前記酸化ケイ素層の組成に対するGeO2のモル百分率が4から13m/oであるような濃度であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記多孔性SiGe層(32)が、フッ化水素酸溶液における電気化学攻撃によって得られることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
【請求項4】
支持基板(31)上にドープされた初期単結晶SiGe層(32)を形成する段階と、
ドープされた初期SiGe層(32)中に細孔を形成する段階と、
多孔性SiGe層(32)上に第1連続単結晶シリコン層(33)を形成する段階と、
前記シリコン層(33)上にゲルマニウムで濃縮されるべき単結晶SiGe層(34)を形成する段階と、
ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)上に第2単結晶シリコン層(35)を形成する段階と、
前記第1シリコン層(33)と、ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)と、前記第2シリコン層(35)とによって構成される積層体中に少なくとも1つのメサを画定する段階と、
前記メサの側面に保護スペーサー(36)を堆積する段階と、
ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層(37)を形成するために、前記多孔性SiGe層(32)を酸化する段階と、
ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)のゲルマニウムを濃縮する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項5】
前記保護スペーサー(36)が、窒化ケイ素から成ることを特徴とする請求項4に記載の方法。
【請求項6】
基板と、
前記基板上に形成された酸化ケイ素層と、
前記酸化ケイ素層より上に形成されたSiGe領域と、
を備えた半導体構造であって、
前記酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされた層であり、前記酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度がSiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度であることを特徴とする半導体構造。
【請求項7】
メサの部分を形成する前記SiGe領域が、ゲルマニウムでドープされた前記酸化ケイ素層(37)と前記SiGe領域(34)との間に交互配置された第1シリコン層(33)を備え、前記メサは同様にSiGe領域(34)上に第2シリコン層(35)を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体構造。
【請求項8】
前記メサの側面が、保護スペーサー(36)によって被覆されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体構造。
【請求項9】
前記保護スペーサー(36)が、窒化ケイ素から成ることを特徴とする請求項8に記載の半導体構造。
【請求項1】
酸化ケイ素層(37)によって支持されているSiGe層(34)のゲルマニウム濃縮によって、少なくとも1つのGeOI構造を形成するための方法であって、前記酸化ケイ素層(37)がゲルマニウムでドープされ、ゲルマニウムによる前記酸化ケイ素層のドーピングが、多孔性SiGe層(32)の酸化によって得られ、前記酸化ケイ素層(37)中のゲルマニウム濃度が、前記SiGe層(34)のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に前記酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度であることを特徴とする方法。
【請求項2】
前記酸化ケイ素層(37)中のゲルマニウム濃度が、ドープされた前記酸化ケイ素層の組成に対するGeO2のモル百分率が4から13m/oであるような濃度であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記多孔性SiGe層(32)が、フッ化水素酸溶液における電気化学攻撃によって得られることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
【請求項4】
支持基板(31)上にドープされた初期単結晶SiGe層(32)を形成する段階と、
ドープされた初期SiGe層(32)中に細孔を形成する段階と、
多孔性SiGe層(32)上に第1連続単結晶シリコン層(33)を形成する段階と、
前記シリコン層(33)上にゲルマニウムで濃縮されるべき単結晶SiGe層(34)を形成する段階と、
ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)上に第2単結晶シリコン層(35)を形成する段階と、
前記第1シリコン層(33)と、ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)と、前記第2シリコン層(35)とによって構成される積層体中に少なくとも1つのメサを画定する段階と、
前記メサの側面に保護スペーサー(36)を堆積する段階と、
ゲルマニウムでドープされた酸化ケイ素層(37)を形成するために、前記多孔性SiGe層(32)を酸化する段階と、
ゲルマニウムで濃縮されるべき前記SiGe層(34)のゲルマニウムを濃縮する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項5】
前記保護スペーサー(36)が、窒化ケイ素から成ることを特徴とする請求項4に記載の方法。
【請求項6】
基板と、
前記基板上に形成された酸化ケイ素層と、
前記酸化ケイ素層より上に形成されたSiGe領域と、
を備えた半導体構造であって、
前記酸化ケイ素層がゲルマニウムでドープされた層であり、前記酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度がSiGe領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度であることを特徴とする半導体構造。
【請求項7】
メサの部分を形成する前記SiGe領域が、ゲルマニウムでドープされた前記酸化ケイ素層(37)と前記SiGe領域(34)との間に交互配置された第1シリコン層(33)を備え、前記メサは同様にSiGe領域(34)上に第2シリコン層(35)を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体構造。
【請求項8】
前記メサの側面が、保護スペーサー(36)によって被覆されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体構造。
【請求項9】
前記保護スペーサー(36)が、窒化ケイ素から成ることを特徴とする請求項8に記載の半導体構造。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【公開番号】特開2010−50459(P2010−50459A)
【公開日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2009−191900(P2009−191900)
【出願日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【出願人】(590000514)コミツサリア タ レネルジー アトミーク (429)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−191900(P2009−191900)
【出願日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【出願人】(590000514)コミツサリア タ レネルジー アトミーク (429)
【Fターム(参考)】
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