【課題】転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶中にドナー型の不純物を濃度2×10¹⁸cm^-3以上6×10²⁰cm^-3以下、且つアクセプター型の不純物を濃度1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下含有し、さらに前記ドナー型の不純物濃度がアクセプター型の不純物濃度より大きく、その差が1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下とすることにより、抵抗率が低く、且つ基底面転位密度の小さなSiC単結晶インゴットを製造することができる。このようなSiC単結晶から切り出した基板及びエピタキシャルウェハを用いれば、電気的特性の優れた高周波・高耐圧電子デバイス、光学的特性の優れた青色発光素子の製作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させて基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＳｎ、Ｉｎ、Ｇａのうち少なくともいずれか１種以上の元素である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高品質の結晶成長を高い歩留で成長させ、結晶歩留の改善を図る結晶成長装置または結晶成長方法に関する。
【解決手段】 本発明は、結晶成長を行なう上で、結晶品質の低下や結晶の乱れなどの悪影響を及ぼす混入水分や、混入空気などの活性ガス成分や、生成される炭素化合物ガスの真空排気を促進するため、炉壁材の昇温、供給ガスの昇温、吸着ガスの除去を行なう微量ガスの添加と昇温シーケンスにより炉内吸着ガスや混入ガスの排気を効率よく行なえる結晶成長装置及び結晶成長方法に関する。 （もっと読む）

【課題】製造過程においてクラックの発生を抑制できる窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの結晶成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、第１の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ２）。そして、第１の窒化ガリウム層よりも脆性の低い第２の窒化ガリウム層が成長される（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物結晶を成長させる際にフラックスとして用いるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を抑えて、結晶性、結晶成長の再現性を向上できるIII 族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】結晶成長容器10内でIII 族窒化物結晶を製造する際に、予め、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とIII 族元素との合金、たとえばＮａＧａ26を形成し、合金表面をＧａ22などの不活性物質で被覆し、この被覆された合金を用いて窒素を含む溶液を形成して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶液法によるＳｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液からのＳｉＣ単結晶中のマクロ的な欠陥を低減することが可能である炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＣｅ、Ｎｄのうち少なくともいずれか１種である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素単結晶を析出成長させる。 （もっと読む）

【課題】表層部の結晶欠陥が少なく、かつ表層強度が高い、高集積化デバイス用基板として好適な単結晶シリコンウェーハの提供。
【解決手段】少なくとも一方の表面から深さ３μｍの表層部のＣＯＰ密度が２個／ｃｍ²以下である単結晶シリコンウェーハ。上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ１μｍの領域にある。ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および／または希ガス雰囲気下で熱処理すること、上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で１１００〜１３００℃の範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理を行うこと、を含む単結晶シリコンウェーハの製造方法。前記降温において、９００℃までの降温を１０℃／秒以上の降温速度で行う。 （もっと読む）

【課題】熱歪みを緩和してクラックを抑制することができる化合物半導体単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器２内にルツボ４とヒータ６を配置し、ルツボ４内の化合物原料融液３に種結晶８を接触させた後、ヒータ６の出力を調整しつつ種結晶８を上昇させることにより、種結晶８の下に結晶９を成長させる化合物半導体単結晶製造方法において、成長された結晶９の成長方向の温度勾配が−１５℃／ｃｍより緩やかとなるようにして結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ−Ｖ族化合物種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、気相エッチングにより基板１０の主面１０ｍに複数のファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕを形成する工程と、ファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕが形成された主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】引上げ時のルツボ内表面の溶損が抑制され、ブラウンリング等が剥離し難く、マルチ引上げに適するようにした石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ内表面の溶損厚さ部分に含まれるＯＨ基濃度について、シリコン単結晶引上げ開始時のシリコン融液面から引上げ終了時のシリコン融液面に至る範囲のＯＨ基濃度が、該範囲より下側部分のＯＨ基濃度より高いことを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボであって、好ましくは、ルツボ内表面から１mm厚の透明層部分に含まれるＯＨ基濃度について、底部のＯＨ基濃度よりも湾曲部のＯＨ濃度が高く、湾曲部のＯＨ濃度よりも壁部のＯＨ基濃度が高い石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液５を収容するルツボ６及び原料融液５を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバ２と、メインチャンバ２の上部に連設され、成長した単結晶４が引き上げられて収容される引上げチャンバ３と、引上げ中の単結晶４を取り囲むようにメインチャンバ２の少なくとも天井部から原料融液５表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒１２を有したチョクラルスキー法によって単結晶４を育成する単結晶製造装置１であって、少なくとも、冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９を有し、冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目を有し、原料融液５表面に向かって延伸しているものである。 （もっと読む）

【課題】切断テーブルの隙間部分の段差に影響を受けず、インゴットの切り終わり部分の欠けを防止することで、前記切断テーブルの調整のためのメンテナンスをなくし、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置およびそれを用いた切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】インゴット切断装置において、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのインゴット支えパッドと、前記インゴット支えパッドを下方から上昇させて前記インゴットに密着させるためのパッド上昇機構とを有するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いたIII族窒化物単結晶の育成方法において、単位時間当たりの窒化物単結晶の育成量を増大させ、単結晶の品質や膜厚のバラツキを抑制するIII族窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１を第一の姿勢で保持しつつ、溶液２への窒素の溶解を促進する。次いで、育成容器１を第二の姿勢で保持しつつ、種結晶基板４上への窒化物単結晶の育成を行う。このように第一の姿勢における溶液２の気液界面２ａの面積Ｂが、第二の姿勢における溶液２の気液界面２ａの面積Ａよりも大きくすることにより、溶液に溶け込んだ窒素が飽和に達するまでの時間の短縮が可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造ロット内におけるデバイス特性のばらつきが小さい半導体デバイスおよびその製造方法を提供するとともに、この半導体デバイスの製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２は、ＩＩＩ族元素からなる原子面が凸状となる反りを有し、かつ反り比が１×１０^-3以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス１０は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１２上に形成されている１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層４０とを含む。ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス１０の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２上に、１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層４０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】人工水晶をウェハ状に切断する時の切断角度を正確に求めることができる人工水晶の加工方法、この方法により製造された人工水晶及びこの方法を行うための人工水晶加工用の冶具を提供する。
【解決手段】人工水晶３の表面のＺ面が基準面となるように当該Ｚ面を研磨して、この人工水晶３の長さ方向であるＹ方向の端部に形成されたｒ面４が上を向き、且つこのｒ面４が水平となるように、Ｚ面の支持面の傾斜角度が設定された冶具を用いて、研磨したＺ面がこの冶具の傾斜面に沿うように人工水晶３を固定して、当該人工水晶の上面が水平となるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板、ＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、研磨された基板表面の法線と、研磨された基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３度以下であり、少なくとも１面が研磨されており、結晶に含まれる炭素の含有量が分析のバックグラウンドレベルであるＧａＮ単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】引上げ時にルツボ内表面に発生するブラウンリングの密度が高く、従ってルツボの強度が大きく、かつブラウンリングが剥離し難いのでシリコン単結晶の歩留りが高い石英ガラスルツボおよび該ルツボを用いた引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内表面から１００μm厚までの表面ガラス層のＯＨ基濃度が９０ppm以下であり、その下側部分であってルツボ内表面から１mm厚までのガラス層のＯＨ基濃度が９０〜２００ppmであることを特徴とし、好ましくは、一般的な引き上げにおいて、発生するブラウンリングの密度が２個/cm²以上であり、ブラウンリングの見かけ成長速度が１μm/時以上、ブラウンリングの剥離率が１０％以下である石英ガラスルツボ、および該ルツボを用いたシリコン単結晶の引上げ方法。 （もっと読む）

【課題】るつぼの底部または側部の裂け目から流出したシリコンスラリーによる熱の影響のために炉の下側本体に生じる歪みと変形を防止するスラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉を提供する。
【解決手段】シリコンスラリー９１が漏れて結晶成長炉のるつぼから排出され、台板の周囲に沿って支持ポストまで流れ落ちるのを防ぐように、細長い軒板４に沿って軒樋５のＶ字状溝へと下方向に流れるため、支持ポストは破損せず、るつぼは倒れず、シリコンスラリー９１は氾濫しない。炉の下側本体には、シリコンスラリー９１が支持ポストの近くまで流れないように、大量に漏れ出すシリコンスラリー９１を収容する受入皿６が追加で設けられる。 （もっと読む）

【課題】回転モールド内表面に堆積した石英粉層をアーク溶融してガラス化し、石英ガラスルツボを製造するときに、石英粉層に対して電極を横方向および縦方向に移動してルツボ内表面の透明層を均一に形成することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極、電極の横移動手段、電極の縦移動手段、これらが載置される基台を備え、棒状の電極が横方向および縦方向に移動自在であることを特徴とする電極構造であって、例えば、横方向に摺動自在な支持台によって横移動手段が形成されており、支持台に昇降自在に設けた装着部によって縦移動手段が形成されており、装着部および支持台の移動によって電極が縦横移動自在である電極構造。 （もっと読む）