【課題】高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板２０ｐは、（０００１）面に対して０°以上３０°以下のオフ角を有する主面２０ｍを有し、低転位密度結晶領域２０ｋと高転位密度結晶領域２０ｈとを含み、主面２０ｍにおける高転位密度結晶領域２０ｈの形状は、［１−１００］方向に伸びる複数の第１ストライプ結晶領域２０ｈｓと［１１−２０］方向に伸びる複数の第２ストライプ結晶領域２０ｈｔとを含む格子状である。 （もっと読む）

【課題】主面がｍ面とわずかなオフ角を有するIII族窒化物系化合物半導体の製造。
【解決手段】サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ₂から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。ＧａＮ層３０が成長を開始してから（３．Ｂ）、溝部を埋める迄（３．Ｃ）は、常圧で、Ｖ／III比を高く保った。溝部が埋まり、凸部の上面がほぼ覆われて平坦化する（３．Ｄ）までは、減圧で、Ｖ／III比を低く（アンモニアの供給量を１／５と）した。凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後（３．Ｅ）は、常圧で、Ｖ／III比を高くした（アンモニアの供給量を元に戻した）。こうして、主面が、ｍ面とわずかなオフ角を成す平坦な面であるＧａＮ膜が形成できた。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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【課題】反り量が小さい大口径のシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハ１であって、ボロン濃度が８．５×１０^１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以上ドープされ、ゲルマニウムが、式１の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ１の表面に、シリコンエピタキシャル層２を成長させた。
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【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を使用してIII族窒化物材料をｍ面サファイア基板などの適当な基板上で成長させる、（１１−２２）又は（１０−１３）窒化ガリウム（ＧａＮ）エピタキシャル層などの半極性III族窒化物材料を成長させる方法を提供する。この方法は、基板をアンモニア及びアルゴンの環境内で上昇温度でインサイチュ前処理し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）などの中間層を焼鈍基板上で成長させ、ＨＶＰＥを使用してIII族窒化物エピタキシャル層を中間層上で成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】実質的に表面欠陥がない基体の上に化学蒸着により成長したダイヤモンドから、化学蒸着によって、単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する方法。化学蒸着によりホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンド及び前記基体は、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離し、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造することである。
【解決手段】化学蒸着による（００１）単結晶ダイヤモンドプレートにおいて、それの向かい合う側に、｛１００｝側表面によって範囲が定められる主表面を有する前記ダイヤモンドプレートであって、各々の主表面が、１０ｍｍを超える少なくとも１つの長さ寸法を有している、上記ダイヤモンドプレート。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末を原料としてラバーチューブに封入し、ラバープレスで成形、電気炉で温度1500℃、10hで焼結した焼結体を原料棒として、フローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を育成し（Ｓ１）、育成された酸化ガリウム単結晶を原料として酸素100％の雰囲気中にてフローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を成長させる（Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】結晶として異種材料の単結晶を用いた場合であっても、欠陥が少なく、高品質のAlN単結晶バルク及びその製造方法、並びに半導体デバイスを提供する。
【解決手段】種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 （もっと読む）

垂直ブリッジマン法を用いて新規な溶融物から成長させた三元系単結晶リラクサ圧電性物質、及び三元系単結晶リラクサ圧電性物質を作成するための方法。該三元系単結晶は、少なくとも１５０℃のキュリー温度Ｔ_ｃ、及び少なくとも約１１０℃の菱面体晶から六方晶への相転移温度Ｔ_ｒｔによって特徴付けられる。該三元系の結晶は、更に、少なくとも約１２００〜２０００ｐＣ／Ｎの範囲における圧電係数ｄ_３３を示す。 （もっと読む）

【課題】改善された表面および構造的品質を示すフィルムを成長させる、改善された方法を提供すること。
【解決手段】非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜を、ｒ平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法が提供される。この方法は、以下の工程：
（ａ）該基板をアニールする工程；
（ｂ）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
（ｃ）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
（ｄ）窒素の過剰圧力下で、該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、を包含する。この方法により、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（図５において示された参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（図５において示された参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に作製され良好な発光特性の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは、第１の窒化ガリウム系半導体領域２１ａ、第２の窒化ガリウム系半導体領域２３ａ、及び活性層２５ａを含む。窒化ガリウム系半導体積層１５ａの表面Ｓ_１５ａは、オフ方向に交差する方向に延びる複数の突起を有する。これらの突起は、支持基体１３上に成長された活性層の結晶品質を反映している。 （もっと読む）

【課題】基板面内にオフ角のばらつきを有するＧａＮ基板を使用して、活性層におけるＩｎ組成のばらつきを低減することができるエピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板１は、ＧａＮ結晶のｃ面または−ｃ面に対して傾斜した主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、ＧａＮ基板１０の主面１０ａ上に設けられたＩｎＧａＮ井戸層２３ａを有する活性層２３とを備える。主面１０ａの面内における、ｃ面または−ｃ面と主面１０ａとのなす角（オフ角）の分布の中心値は１５°以上６０°以下の範囲内にあり、主面１０ａの面内におけるオフ角の最大値と最小値との差は０．３°以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込んだｎ型窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法とその上に発光デバイスを製造する方法と発光デバイスを提供すること。
【解決手段】 非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。得られたｎ型基板の上に底面にｎ電極を有するＬＥＤ、ＬＤの発光デバイスを製造する。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。ファセット面で成長した部分に酸素がドープされている。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【解決課題】光触媒活性の高い酸化チタンを提供すること。光触媒活性を高くするために、酸化チタンの結晶構造及び結晶形態の制御が可能な酸化チタン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属のハロゲン化物を含有するチタン塩水溶液を、水熱処理し、酸化チタン粒子を生成させることを特徴とする酸化チタン粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）