【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±５０％以内である。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性と良好な表面平坦性とを兼ね備えた窒化物半導体自立基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内における転位密度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内における平均転位密度に対する転位密度のばらつきが±１００％以内である。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより精密に抑制する。
【解決手段】肩部２２０は、種結晶２１０側から直胴部２３０側に向けて、徐々にその直径が拡大していく形状を有している。また、直胴部２３０は、上方から下方に向けてその直径Ｄがほぼ同じとなるような形状を有している。なお、直胴部２３０の直径Ｄは、所望とするサファイア単結晶のウエハの直径よりもわずかに大きな値に設定される。そして、尾部２４０は、上方から下方に向けて徐々にその直径が縮小していくことにより、上方から下方に向けて、尾部が凸状となる形状を有している。そして、尾部２４０の長さＨと、直胴部２３０の直径Ｄとの比Ｈ／Ｄを、０．２≦Ｈ／Ｄ≦０．４とする。 （もっと読む）

【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】球面研磨等を施すことなく、自立基板表面における単一の結晶面の面積を再現性良く大きくすることができるＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板５０は、基板５０表面がアズグロウンであり、基板５０表面の半分以上の領域が、ＩＩＩ族極性のＣ面からｍ軸方向若しくはａ軸方向に、又はＭ面からｃ軸方向若しくはａ軸方向に傾いたオフ角を有する単一の結晶面からなる。 （もっと読む）

【課題】引き上げによって得られる単結晶における残留応力を低減することができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】底部２１および底部２１の周縁から立ち上がる壁部２２を有し、アルミナ融液を収容するるつぼ２０と、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回され、交流電流の供給によって壁部２２を誘導加熱する加熱コイル３０と、るつぼ２０の上方に配置され、るつぼ２０に収容されるアルミナ融液からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、るつぼ２０の底部２１の下方であって引き上げ棒４０にて引き上げられるサファイアインゴット２００の下方且つ内側に配置され、加熱コイル３０によって誘導加熱されることによりるつぼ２０の底部２１の中央部を加熱する筒状ヒータ１６とを含む単結晶引き上げ装置。 （もっと読む）

本発明は、有機不純物又は有機膜を実質的に含まない表面を有する新規の金ナノ結晶及びナノ結晶形状分布に関する。具体的には、これらの表面は、溶液中の金イオンから金ナノ粒子を成長させるために有機還元剤及び／又は界面活性剤を必要とする化学的還元プロセスを用いて形成された金ナノ粒子の表面と比較して「クリーン」である。本発明は、金系ナノ結晶を製造するための新規の電気化学的製造装置及び技術を含む。本発明はさらにその医薬組成物を含み、また、金ナノ結晶又はその懸濁液又はコロイドを、対応する金療法がすでに知られている疾患又は状態の治療又は予防のために使用すること、そしてより一般的に言えば、病理学的細胞活性から生じる状態、例えば炎症（慢性炎症を含む）状態、自己免疫状態、過敏反応及び／又は癌疾患又は状態のために使用することを含む。１実施態様の場合、この状態はＭＩＦ（マクロファージ遊走阻止因子）によって媒介される。
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【課題】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】＜０００１＞方向から、


方向または


方向に主に向かって約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板はオフカットスライスおよびラッピングまたは微傾斜へテロエピタキシャル基板上の成長により形成する。 （もっと読む）

【課題】成長させる結晶全体の転位密度が低減するＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む融液３に窒素原料ガス５を溶解させた溶液６をＩＩＩ族窒化物種結晶１に接触させることにより、ＩＩＩ族窒化物種結晶１からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物種結晶１は、（０００−１）Ｎ原子表面１ｎである上面を有し、結晶成長容器２３の内面２３ｉに接触するよう配置された下面を有し、ＩＩＩ族窒化物種結晶１の実質的に側表面１ｓ上に（０００−１）Ｎ原子表面１ｎ，１０ｎに平行な方向にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の少ない高品質な４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を得ることが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】｛０３−３８｝面が露出した４Ｈ−ＳｉＣの種基板１とＳｉＣ原料３２とを対向配置した後、ＳｉＣ原料３２を加熱して昇華させて原料ガスを発生させると共に、種基板１をＳｉＣ原料３２より低い温度にして、種基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させる。このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。 （もっと読む）

【課題】実用的な発光効率を有する緑色発光デバイスを実現可能な立方晶型窒化物半導体ウェハ及びその製造方法、並びに立方晶型窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶の種結晶基板１の表面に、窒化物半導体２が成長しにくい材料で覆い且つ周期的に又はランダムに種結晶基板１の表面が露出した開口部４を有するマスク３を形成し、マスク３の開口部４から窒化物半導体２を成長し、種結晶基板１と局所的に接触した連続膜とした窒化物半導体２を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来、結晶成長の初期段階でランダムな面方位を有する多数の結晶粒が制御されずに形成され、それらの結晶粒の接触により形成される結晶粒界の分布もランダムであるため、結晶欠陥がランダム粒界から発生してしまい、高品質な結晶が得られなかった。これに対し、転位や亜粒界などの結晶欠陥の少ない高品質なシリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。 （もっと読む）

【課題】高結晶性、高純度で制御された形状を有し、基板と一定の方向を有する単結晶貴金属ナノワイヤの製造方法の提供。
【解決手段】ハロゲン化貴金属である前駆物質を反応炉の前端部に位置させて、前駆物質の温度を制御し、単結晶基板を反応炉の後端に位置させ、一定な圧力下で、前記反応炉の前端部から前記反応炉の後端部に不活性気体が流れる条件で、前記単結晶基板上に前記単結晶基板とエピタキシャル関係を有するツインフリー単結晶体の貴金属ナノワイヤを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】高い歩留でレーザーダイオードを製作することが可能な窒化物半導体自立基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法による窒化物半導体自立基板の製造方法であって、前記成長用基板上の前記窒化物半導体層が成長する領域における原料ガスを含むガスのガス流速を１ｍ／ｓ以上に、かつ、前記窒化物半導体層を形成するための原料ガスを含むガスを吹き出すガス吹出口から前記窒化物半導体層が成長する領域までの距離を５０ｃｍ以上に設定することで、ガス流れが均一となり、これにより、膜厚分布が大幅に改善し、基板表面Ｗ１での転位密度が４×１０^６／ｃｍ^２以下で、基板表面Ｗ１の面内における基板表面Ｗ１に沿った結晶軸の向きａのバラツキの範囲が、±０.２°以下の窒化物半導体自立基板Ｗが得られる。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供すること。
【解決手段】基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてＧａＮ成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。これもＧａＮ基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）