【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の炭化ケイ素半導体素子を作製することが可能な、ステップテラス構造を持った炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の（０００１）面に対して傾いた主面を有する炭化ケイ素単結晶基板であって、前記主面はステップｓとテラスｔとのステップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造における前記ステップｓの平均高さｈが０.２５ｎｍ以上３ｎｍ
以下であり、前記主面の（０００１）面に対する傾斜角をθとするとき、前記主面内のいずれかの場所において、前記ステップｓに沿う方向に対して垂直な方向に、前記ステップｓと前記テラスｔとが連続する１０対の前記ステップテラス構造におけるテラス幅Ｗ_１〜Ｗ_１０のうち９０％以上が、Ｗ_０＝ｈ／ｔａｎθで求まる平均テラス幅Ｗ_０との相対誤差が１０％以内にある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｈａｚｅ、表面粗さなどの表面品質が改善された、（１１０）基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。
【解決手段】貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸とが平行となるようにする。［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】内部領域よりも格段に優れた品質の最表面（表層領域）を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面（表層領域）の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる２つの主面を有する窒化物半導体基板において、表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るＸ線ロッキングカーブ測定によって得られた、表面からの深さが０〜２５０ｎｍの表層領域の半値幅が、表面からの深さが５μｍを超える内部領域の半値幅よりも狭くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位を把握することができ、かつ容易に製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の円形面１１は、第１の形状を有する第１のノッチ部Ｎ１ａが設けられている。第２の円形面２１は、第１の円形面に対向し、かつ第２の形状を有する第２のノッチ部Ｎ２ａが設けられている。側面３１は第１の円形面１１および第２の円形面２１をつないでいる。第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａは互いに対向しており、側面３１は第１のノッチ部Ｎ１ａおよび第２のノッチ部Ｎ２ａをつなぐ第１のへこみ部Ｄａを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量が小さく、かつ、ウェハ面内の結晶方位が揃っており、デバイス作製用ウェハとして適用した場合に高いデバイス性能とデバイス歩留りを実現できるSiC単結晶ウェハの提供。
【解決手段】口径１００ｍｍ以上の炭化珪素単結晶ウェハ１２であって、ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径１００ｍｍのウェハ換算比（反り量／ウェハ口径）で６０μｍ／１００ｍｍ以下であり、かつ、ウェハ中心における＜０００１＞結晶方位に対して、ウェハ直径上の４つの測定点ａ_１，ａ_２，ａ_１’，ａ_２’での＜０００１＞結晶方位のずれが、いずれも±１０００秒以内である炭化珪素単結晶ウェハである。４つの測定点は、全てウェハ１２の直径Ｌ_１上に存在し、このうち２点ａ_１，ａ_１’はウェハ外周からウェハ中心に向かって２ｍｍ内側の位置、残りの２点ａ_２，ａ_２’は前記外周部の２点ａ_１，ａ_１’と中心ａ_０とを結んだ線分の中点に位置する。 （もっと読む）

【課題】実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶は、ｃ軸の長さＬが９ｍｍ以上であり、ｃ軸と垂直な断面の結晶径ｄが１００μｍ以上であり、ｃ軸の長さＬと、ｃ軸と垂直な断面の結晶径ｄの比Ｌ／ｄが７以上であることを特徴とする。この長尺の針状結晶を肥大化させることにより体積の大きなバルク結晶を製造することが可能となり、実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶を含有し、｛１１３｝面、｛０１２｝面、｛１０４｝面、｛１１０｝面、｛１０１｝面、｛１１６｝面、｛２１１｝面、｛１２２｝面、｛２１４｝面、｛１００｝面、｛１２５｝面、｛２２３｝面、｛１３１｝面、および｛３１２｝面からなる群から選択される少なくとも１つの結晶面を有することを特徴とする人工コランダム結晶を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱の研究用の基板を提供する。
【解決手段】基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。ウィスカーは、半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成している。被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）による大面積の単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】化学蒸着によりダイヤモンド基体上にホモエピタキシャル成長したダイヤモンドを、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離すことにより得られる単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つそれら主表面と交差する転位を有している該ダイヤモンドプレートにおいて、主表面と交差する前記転位の密度が、５０／ｍｍ^２を超えておらず、そして、少なくとも１つの長さ寸法が１０ｍｍを超えている （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上に成長させる半導体層のモフォロジーを低下させることなく、基板の結晶方位を識別することができるＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、マトリックス結晶領域１１と、マトリックス結晶領域１１の結晶に対して少なくとも１つの結晶軸が異なる結晶を含有する異方位結晶領域１３とを含み、異方位結晶領域１３の形状は、任意に特定される結晶方位を示すように形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。
【解決手段】単結晶基板２７は、Ｃ原子供給基板１７と、Ｃ原子供給基板１７よりも面積の小さい単結晶炭化ケイ素からなるシード面５ｂを有する基板５´とを対向させると共に、シード面５ｂとＣ原子供給基板１７との間、及び、シード面５ｂの面方向外側の領域とＣ原子供給基板１７との間に金属シリコン融液１８を存在させて、密閉容器１６内で均一に熱処理することにより、シード面５ｂ上及びシード面５ｂの面方向外側に単結晶炭化ケイ素が液相エピタキシャル成長して製造されるものである。シード面５ｂの面方向外側に成長する結晶は、シード面５ｂ上に成長する結晶よりも速い速度で成長する。単結晶基板２７は、その面積が、シード面５ｂの面積より大きく、且つ、Ｃ原子供給基板１７側の表面が、液相エピタキシャル成長によって、シード面５ｂと平行な平坦状に形成されている。 （もっと読む）

成長単結晶ダイヤモンド基板の製造方法であって、以下の工程：(a)(001)主要表面（この主要表面は、少なくとも1つの<100>稜で境界が定められ、前記少なくとも1つの<100>稜の長さは、前記少なくとも1つの<100>稜に直交する表面のいずれの寸法をも少なくとも1.3:1の比で超えている）を提示する第1のダイヤモンド基板を準備する工程；及び(b)化学蒸着(CVD)合成条件下で前記ダイヤモンド材料表面の(001)主要表面上でダイヤモンド材料をホモエピタキシャル成長させる工程（このダイヤモンド材料は主要(001)表面に垂直、及び主要(001)表面から横方向の両方に成長する）を含む方法。 （もっと読む）