【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Ｓｉ単結晶基板の（１１１）主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたＡｌ層とＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層とを有し、ＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層の表面は（０００１）の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィなどに用いるレンズ材料として利用することができる蛍石（ＣａＦ2、フッ化カルシウム）であって、レーザ耐久性がより優れた蛍石を提供する。
【解決手段】（１１１）面のエッチピットの分布をVoronoi分割した図形におけるVoronoi領域の面積の標準偏差が６０００μｍ^２以下であるか、或いは、（１１１）面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が８０μｍ以下である蛍石。 （もっと読む）

【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶の製造方法は、ｃ軸方向の長さＬが９．７ｍｍ以上であり、前記長さＬとｃ面における結晶径ｄとの比Ｌ／ｄが、０．８１３より大きい六方晶構造の窒化ガリウム結晶２５を種結晶として、六方晶構造の１３族窒化物の結晶を成長させて１３族窒化物結晶２７を製造する結晶成長工程を含み、前記結晶成長工程は、結晶側面に、｛１０−１０｝面を含む外周面と、｛１０−１１｝面を含む外周面とを形成し、結晶底面に、｛０００１｝面を含む外周面を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板１は、基板２と、基板２上に形成され（１１１）面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜３とを備える。処理膜３は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板２は、（１１１）面を主面とするチタン酸ストロンチウム、（０００１）面を主面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】複数のチップ基板を用いて、大型で結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、（０００１）面からのオフ角ψを有する主面１０ｍと複数の側面１０ｓとを有し、側面１０ｓのそれぞれの法線Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃと＜０００１＞軸を主面に投影した方向Ｃｈとのなす角α，β，γが９０°以外の角であるＩＩＩ族窒化物チップ基板１０を複数準備する工程と、複数のＩＩＩ族窒化物チップ基板１０を、ＩＩＩ族窒化物チップ基板１０のそれぞれの＜０００１＞軸Ｃの方向が互いに平行になるように側面１０ｓを互いに隣接させて配置する工程と、配置された複数のＩＩＩ族窒化物チップ基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】（０００１）面に対して４°以下のオフ角θ_１で傾斜したＳｉ面が主面４とされたＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ＳｉＣ基板２の主面４のオフ方向Ｄを、［１１−２０］軸方向および［０１−１０］軸方向に対して１５°＋／−１０°の角度θ_２で傾斜した方向にする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法によりｃ軸サファイア単結晶を引き上げる際に、該単結晶の肩部及び直胴上部に泡群が生じない製造方法を提供する。
【解決手段】 直胴部直径Ｄのｃ軸サファイア単結晶の製造方法において、拡径部（肩部）の形成時における拡径部結晶直径をｄ［ｍｍ］、結晶引き上げ速度をＬ［ｍｍ／ｈ］、拡径部半径増加速度をφ_ｒ［ｍｍ／ｈ］としたとき、０．６≦ｄ／Ｄ＜１．０にある間は、φ_ｒ＜７．０ｍｍ／ｈ、かつＬ^３×φ_ｒが５５以下の範囲を維持するよう、結晶引き上げ速度及び拡径部半径増加速度を調整し、結晶直径Ｄに到達後は、所望の直胴長の単結晶体を継続して引き上げることにより、ｃ軸方位のサファイア単結晶体を得る。該製造方法により得られるサファイア単結晶体の肩部及び直胴上部には泡群が形成される確立が極めて低く、該サファイア単結晶体からのＬＥＤ用サファイア単結晶基板の取得率を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＡ工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるＬＳＡを施す際に生じるＢＭＤからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第１〜第５ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、ＬＳＡのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第６〜第８ステップで、任意の位置Ａにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からＢＭＤから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第９〜第１１ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 （もっと読む）

【課題】非極性面や半極性面の主面を有する結晶成長において、結晶成長に伴う積層欠陥を抑制し、かつ結晶面がｃ軸方向に反ってしまう結晶の反りを抑制することを課題とする。
【解決手段】結晶成長工程において、結晶表面に洗濯岩状の形状を呈するように結晶成長させることで、課題を解決する。具体的には、結晶表面に複数の凹部及び凸部を形成させ、且つ隣り合う前記凹部及び凸部の成長方向高さの差が５００μｍ以上である箇所を連続して２以上形成させることで課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）