【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面Ｓ１を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面Ｓ１と対向する第２の側面Ｓ２を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤａは、第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２の間で第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いにつないでいる。接合部ＢＤａの少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】 低オフ角のＳｉＣ基板上においても、エピタキシャル層表面の三角欠陥およびステップバンチングの発生を抑制できるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法およびそれによって得られるＳｉＣエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長シーケンスが、ＳｉＣ基板２１上に、第１の温度で第１のエピタキシャル層２２を成長させるステップと、前記第１の温度よりも低温の第２の温度で第２のエピタキシャル層２３を成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせずに、均一に高品質な結晶が形成できるようにする。
【解決手段】まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶からなる基板１０１の主表面におけるテラスの幅を、主表面の（１００）面からの傾斜角度により制御する。この制御では、後述する第３工程で形成する第２半導体層１０３の第２原子間隔と、基板１０１の主表面における第１原子間隔と、自然数Ｎとを用いて表されるＮ×第１原子間隔≒（Ｎ−１）×第２原子間隔の関係が成立する条件で、テラスの幅がＮ×第１原子間隔となる状態に基板１０１の主表面を傾斜させる。なお、第２原子間隔は、第１原子間隔と同じ方向の、第２半導体層１０３を構成する原子の間隔である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物支持基板およびＩＩＩ族窒化物薄膜が実質的に同一の化学組成を有していても、ＩＩＩ族窒化物支持基板上にＩＩＩ族窒化物薄膜が配置されているか否かを評価することができるＩＩＩ族窒化物複合基板およびその評価方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１の任意に特定されるａ軸２１ａと、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１のａ軸２１ａに最も近いＩＩＩ族窒化物支持基板１０のａ軸１０ａとの間のずれ角Δφが０°より大きくかつ６０°より小さい、および、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１のｃ軸２１ｃと、ＩＩＩ族窒化物支持基板１０のｃ軸１０ｃとの間のずれ角Δψが０°より大きくかつ９０°より小さい、の少なくとも一つのずれ角の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】結晶育成時におけるタンタル酸リチウム単結晶の曲がりを抑制してその生産性が改善されたタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供すること。
【解決手段】この育成方法は、坩堝３に収容された原料の溶融液10に種結晶８を接触させ上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることでタンタル酸リチウム単結晶11を育成する方法であって、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成するとき該単結晶の回転方向を５〜８００分の一定間隔で反転させることを特徴とする。この育成方法によれば、結晶育成中におけるタンタル酸リチウム単結晶がＸ軸方向へ曲がる現象を抑制できるため、育成されたタンタル酸リチウム単結晶インゴットからウエハーを得る場合、直径不良のウエハーが発生し難くなる。従って、ウエハーの取得可能枚数を増大できるためウエハーの生産性が大幅に向上してコスト削減に寄与できる効果を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板１０を準備する工程と、グラファイト基板１０上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる工程と、を含む。また、本ＩＩＩ族窒化物基板は、少なくともｃ軸方向に配向する複数の結晶で構成される。 （もっと読む）

【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対して＜１１−２０＞方向または＜１−１００＞方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が０．１°以上１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する準備工程（Ｓ１０）と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる成膜工程（Ｓ２０）とを備える。成膜工程（Ｓ２０）では、オフ角方向においてベース基板の＜０００１＞方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に（０００１）ファセット面５を有する領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。 （もっと読む）

【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、（１１１）方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット１を準備する工程と、当該インゴット１を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット１を、ワイヤソーを用いて（１００）±７°または（５１１）±７°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ７を（０１−１）方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット１をワイヤ７の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ７を用いてスライスする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］でエピタキシャル成長処理を行った場合にエピタキシャル層表面のヘイズの発生を抑制できるシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶から、表面が（１１０）面に対して０．４６°〜０．４８°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１に、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスを供給しながらＧａＡｓ層の成長温度よりも高い温度で熱処理するステップと、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスの供給を停止して熱処理されたＳｉオフ基板１の温度をＧａＡｓ層の成長温度まで低下させるステップと、Ｓｉオフ基板１上にＧａＡｓ層を成長させるステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体の単結晶を製造すること。
【解決手段】Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。＋ｃ極性領域２０は、種結晶の表面に位置する領域であって、（０００１）、｛ｈ−ｈ０ｌ｝、及び、｛ｈｈ−２ｈｌ｝の中の少なくとも１つの面を含む領域（ｈ、ｌは自然数）であり、−ｃ極性領域３０は、種結晶の表面に位置する領域であって、（０００−１）、｛ａ−ａ０−ｃ｝、及び、｛ａａ−２ａ−ｃ｝の中の少なくとも１つの面を含む領域（ａ、ｃは自然数）である。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶基板の反りや粒界生成を抑制することである。
【解決手段】バルク状単結晶は、針状種結晶と、この針状種結晶の側面から成長している窒化物単結晶とを有する。針状種結晶の幅に対する長さの比率が５以上であり、窒化物単結晶のｃ軸が針状種結晶の主軸と略平行である。バルク状単結晶を加工して窒化物単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）