【課題】基板の反りを低減でき、クラック発生を抑制することができるIII族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板とＧａＮ自立基板となるＧａＮ厚膜との間にボイド形成ＧａＮ層を設け、ＧａＮ厚膜の成長終了後にボイド形成ＧａＮ層を境にＧａＮ厚膜を剥離させて作製したｎ型ＧａＮ自立基板において、前記板の外周部のキャリア濃度が、それより内側のキャリア濃度よりも低いキャリア濃度分布とする。これにより、基板外周部側の圧縮歪が基板中心部側の圧縮歪よりも低減し、基板の応力が緩和されので、基板の反りが低減するとともに、クラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】内部電界が小さくかつ平坦性の優れたエピタキシャル基板およびこれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】Ｒ面に対する基材１の表面の傾角を、基材１の表面がＣ面から遠ざかる場合に正の値をとり、基材１の表面がＣ面に近づく場合に負の値をとるように定義するとき、基材１の表面の傾角が−２５°以上−１５°以下であるサファイア単結晶基材１を準備し、サファイア単結晶基材１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ａ軸方向がサファイア単結晶基材１のｒ軸方向に略平行であるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１．０）からなる基板表面層を形成することにより、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、電子感知器、高出力電子機器等の分野や装飾用途（例えば、磨製ジェムストーン）等に使用することができる、ホウ素濃度が均一に分布しているダイヤモンドを提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＶＤにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層で、この層は、単一の成長部分から形成されているか；又は、１００μｍを超える厚さを有しているか；又は、１ｍｍ^３を超える体積を有しているか；又は、そのような特徴の組み合せを有するものである。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を低減させ、かつ製造歩留まりを向上することができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と炭化物層１１の上部のIII族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層１２を得る工程とを含む。III族窒化物半導体層１２を成長させる工程は、炭化物層１１の上部にファセット構造を形成しながら、３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層１２１を成長させる工程と、第一のIII族窒化物半導体層１２１上に２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層１２２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程Ｓ１０と、結晶成長面上にＩＩＩ族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程Ｓ２０とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも３以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のＧａＮインゴットが得られる。続いて、ＧａＮインゴットを切断工程Ｓ３０で切断、スライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性がよい、従来の結晶構造とは異なる窒化アルミニウム単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器４内の上流側に酸化アルミニウム５を配置し、下流側に窒化アルミニウム基板６を配置し、上流側から窒素ガスを線速度０．５〜７５．０ｍ／分で反応容器４内に供給し、上流側に配置した酸化アルミニウム５の温度を１７００℃以上２４００℃以下の範囲とし、下流側に配置した窒化アルミニウム基板６の温度を該酸化アルミニウム５の温度よりも低い温度に設定することにより、下流側の窒化アルミニウム基板６上に、窒化アルミニウム単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】核発生防止および高品質無極性面の成長の少なくとも一方を実現可能なＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属とガリウムとを含む融液中において、ＧａＮ結晶を製造する方法であって、融液中の炭素の含有量を調整する調整工程と、ガリウムと窒素とが反応する反応工程とを包含する。アルカリ金属としては、Ｎａを用いる。この製造方法により、核発生を防止し、無極性面を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法によりエピタキシャル膜２を成長させると、成長させるエピタキシャル膜２の不純物濃度に応じて貫通転位３の成長方向を一定方向に規定できる。例えば、ＳｉＣ基板１内に含まれていた貫通転位３は、エピタキシャル膜２内においてｃ軸に対する角度θが（１１−２２）面もしくは（１１−２２）面に対して±３°の範囲内、例えば［１１−２３］方向に平行もしくは［１１−２３］方向に対して±３°の範囲内の方向に向く。このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。そして、このようなエピタキシャル膜２を種結晶として昇華法によりＳｉＣ単結晶４をバルク成長させれば、結晶欠陥をより抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する方法を提供する。
【解決手段】貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸との為す角度θが２２．５°以下となるようにする。［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 （もっと読む）

【課題】アルミナ融液の固化に伴うるつぼの変形を抑制するとともに、アルミナ融液中の温度勾配を連続的なものとする。
【解決手段】加熱コイル３０に高周波電流を供給することで、るつぼ２０およびるつぼ２０内のアルミナ融液を加熱し、るつぼ２０内のアルミナ融液からサファイア単結晶からなるサファイアインゴットを成長させる単結晶引き上げ装置において、るつぼ２０を、底部２１と、底部２１の周縁から立ち上がるとともに底部２１より遠い側から底部に近づく側に向けて肉厚が連続的に増加する壁部２２とで構成し、加熱コイル３０を、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回すとともに、底部２１から遠ざかる側の壁部２２との間隔よりも底部２１に近い側の壁部２２との間隔が短くなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】化学研磨で、単結晶サファイア基板を研磨しても表面粗さは平坦化されているものの、凹凸分布に規則性が見られないため、エピタキシャル・膜を成長させるのに適していない。
【解決手段】単結晶サファイアのＣ面からＡ面方向に角度θで傾斜させた面を主面とする単結晶サファイア基板において、下記式の加熱温度Ｔ（℃）及び加熱時間ｔ（ｈ）で熱処理することにより、単結晶サファイア基板の主面にサファイアの酸素原子１層とそれに続くアルミニウム原子１層の高さで、滑らかで直線的なリッジ１を有する単位ステップ２を規則的に形成する。
Ｔ（℃）＝５００θ^２−９７０θ＋１１００±１００
ｔ（ｈ）＝７θ^２−１１θ＋６±１ （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、育成されたIII 族金属窒化物単結晶を容易にテンプレート基板から剥離させ得る方法を提供する。
【解決手段】成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。次いで、下地膜上にフラックス法または気相法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）