【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】６回対称軸をを有する結晶からなる第１の層１１と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第２の層１２を有し、第２の層１２が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ＮとＯとＺｎとを主要元素として含み、且つ第２の層１２が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた電子デバイスを、クラックを生じさせることなく形成できるエピタキシャル基板、および該電子デバイスを提供する。
【解決手段】六方晶ＳｉＣ基材の上に、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎなる緩衝層を、緩衝層下部と緩衝層上部とで結晶粒の形態とが相異なるように、両者の間の結晶粒の形態変化が局所的ではあるが漸次的であるように形成する。さらに、緩衝層上部が、基板面に対して略垂直方向に存在する粒界を含むとともにｃ軸に配向した柱状多結晶からなり、緩衝層下部に存在する粒界の数が緩衝層上部に存在する粒界の数より多く、緩衝層上部についてのＸ線ロッキングカーブ（０００２）ωスキャンの半値幅が３００秒以上３０００秒以下であり、緩衝層の表面のＲＭＳが０．２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、基材表面に平行な方向における緩衝層上部の結晶粒の粒界幅と、緩衝層の形成厚みとの比が、０．５以上１．５以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから数十μｍ程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、９００℃以上１３００℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μｍの大きさの八面体の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の単結晶ダイヤモンドの表面粗さR_qが約10nm以下であるソリッドステートシステム、ソリッドステートシステムの調製方法及び約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶ダイヤモンドのスピントロニクス用途での使用を開示する。 （もっと読む）

ソルボサーマル法を用いた高品質バルク六方晶系単結晶を成長させるための技術、ならびに高品質および高成長速度を同時に達成するための技術。結晶品質は成長面に大きく依存し、非極性または半極性種表面は、ｃ面種表面と比較してより高い結晶品質を提供する。また、成長速度は成長面に大きく依存し、半極性種表面は、より高い成長速度を提供する。高結晶品質および高成長速度は、好適な成長面を選択することにより同時に達成可能である。結晶品質はまた、種表面粗度にも依存し、高結晶品質は、非極性または半極性種表面ＲＭＳ粗度が１００ｎｍ未満である場合に達成可能であり、一方、Ｇａ面またはＮ面から成長した結晶は、原子的に平滑な表面から成長したとしても低い結晶品質をもたらす。
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【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤ遊離砥粒研磨やエッチング手段等の特別な処理を必要とすることなく、良質な単結晶インゴットを育成可能なSiC単結晶育成用種結晶を低コストで製造する方法及びこの方法で得られたSiC単結晶育成用種結晶を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。前記アニール処理の条件としては、好ましくは、温度1700℃以上2300℃以下、及び圧力133Pa以上133kPa以下で行うのがよく、より好ましくは、温度1900℃以上2100℃以下、及び圧力1kPa以上100kPa以下で行う。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に作製され良好な発光特性の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは、第１の窒化ガリウム系半導体領域２１ａ、第２の窒化ガリウム系半導体領域２３ａ、及び活性層２５ａを含む。窒化ガリウム系半導体積層１５ａの表面Ｓ_１５ａは、オフ方向に交差する方向に延びる複数の突起を有する。これらの突起は、支持基体１３上に成長された活性層の結晶品質を反映している。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（図５において示された参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（図５において示された参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板面内にオフ角のばらつきを有するＧａＮ基板を使用して、活性層におけるＩｎ組成のばらつきを低減することができるエピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板１は、ＧａＮ結晶のｃ面または−ｃ面に対して傾斜した主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、ＧａＮ基板１０の主面１０ａ上に設けられたＩｎＧａＮ井戸層２３ａを有する活性層２３とを備える。主面１０ａの面内における、ｃ面または−ｃ面と主面１０ａとのなす角（オフ角）の分布の中心値は１５°以上６０°以下の範囲内にあり、主面１０ａの面内におけるオフ角の最大値と最小値との差は０．３°以上である。 （もっと読む）

【解決課題】光触媒活性の高い酸化チタンを提供すること。光触媒活性を高くするために、酸化チタンの結晶構造及び結晶形態の制御が可能な酸化チタン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属のハロゲン化物を含有するチタン塩水溶液を、水熱処理し、酸化チタン粒子を生成させることを特徴とする酸化チタン粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬度に優れた領域と潤滑性に優れた領域とを同一平面内に局在させて併せ持つことが可能なＤＬＣ膜を備えた金属部材を提供すること。
【解決手段】少なくとも鉄を含む金属基材１１上にＤＬＣ膜１２を配してなる金属部材１０であって、ＤＬＣ膜１２は、ラマンスペクトルにおいて、波数が１５５０〜１６００［ｃｍ^―１］の範囲に観測されるグラファイトに起因したピークを有し、前記ピークの強度が膜面内に複数異なって混在し、前記ピークの強度の最大と最小の差が１桁以上であること。 （もっと読む）

本発明は、ウィルス性ノイラミニダーゼの強力な阻害剤であるリン酸オセルタミビルの多形相、特に（３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）−５−アミノ−４−アセチルアミノ−３−（１−エチル−プロポキシ）−シクロヘキサ−１−エン−カルボン酸エチルエステルホスファートに関する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を有している。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、気相成長法により下地基板上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される（ステップＳ２）。 （もっと読む）

【課題】抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板は、２５ｍｍ以上１６０ｍｍ以下の直径を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａである。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの抵抗率が１×１０^-4Ωｃｍ以上０．１Ωｃｍ以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの直径方向の抵抗率の分布が−３０％以上３０％以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板２０ａの厚さ方向の抵抗率の分布が−１６％以上１６％以下である。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素（ＳｉＣｌ₄）ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される（ステップＳ２）。この第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長速度が２００（μｍ／ｈ）以上２０００（μｍ／ｈ）以下である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯロッドアレイ構造体と、その作製方法を提供する。
【解決手段】溶液中において基板上に直接六角柱状ＺｎＯを結晶成長させて形成したＺｎＯロッドアレイ構造体であって、１）ＺｎＯロッドは六角形の断面形状と６枚の側面を有している、２）ロッドはＺｎＯ単相からなる、３）ＺｎＯロッドはアスペクト比が３−４である、４）ＸＲＤから、（０００２）面からの回折ピークのみが観察され、高いｃ軸配向性を有する、ことを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体、及び上記のＺｎＯロッドアレイ構造体を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する酸化亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、液相で、基板上にＺｎＯロッドアレイを形成することを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体の作製方法。
【効果】シード層及び高温加熱処理を用いることなく基板上にＺｎＯロットアレイ構造体を作製し、提供することができる。 （もっと読む）