【課題】 既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。
【解決手段】 放射光をＸ線源としたＸ線ロッキングカーブ測定により得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅が０．０８°以下であることを特徴とする酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）単結晶である。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法により、ファイア基板上に窒化ガリウム単結晶膜を成長させる際に、ケイ素（Si）、酸素（O₂）、ゲルマニウム（Ge）および炭素（C）で成される群から選択された一つ以上の物質をドーピングし、n−ドーピング濃度を0．7×10¹⁸ないし3×10¹⁸／cm³とすることにより、常温（300K）で少なくとも1．5W／cmKの均一かつ優れた熱伝導度を有する窒化ガリウム単結晶膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成され、また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を製造する。さらに、この薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの電子素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板特性の面内不均一をなくし、これまでにない高品質かつ高均一なIII−Ｖ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１をエピタキシャル成長させる成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１を裁断および／または表面研磨してＩＩＩ族窒化物半導体基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１に、不純物元素としてＣ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＶおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上添加する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の大小に依存することなく表面粗さを抑制したIII族窒化物膜を作製するための、ＥＬＯ用III族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを５０原子％以上含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。次いで、下地層２３上にＳｉＯ_２などからなるパターン層２４を形成する。 （もっと読む）

本発明は、アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び／又は圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法に関し、２以上のエレメンタリーシードを備える工程と、２以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程とを含む。組み合わせた、より大きな合成シードは、新しい成長工程のシードに用い、そして、ガリウム含有窒化物の単結晶のより大きな基板を得るために用いる。
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高純度ガリウムと高純度アンモニアとを制御条件下で管状反応器内において化合させることにより、高品質のＧａＮ粉末を生成する方法。制御条件下におけるアンモニアとガリウムの反応は多孔性ガリウム溶融物を生成するとともに、完全な反応をもたらし、化学量論的窒素濃度および六方晶系ウルツ鋼型構造を備えた高純度結晶性ＧａＮ粉末を生じる。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性と耐摩耗性優れかつ安定しばらつきの少ないに単結晶ダイヤモンド工具を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド素材の引張り応力が生ずる面に、気相法により、不純物を含まない高品質なダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が10⁴/cm²を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。
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新たな微細構造を有する薄膜タンタルフィルムが提供される。該フィルムは、ナノ結晶、単結晶および非晶質等の微細構造を有する。このようなフィルムは、非常に良好な拡散バリア特性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイスにおいて有利である。パルスレーザ沈着法（ＰＬＤ）および分子ビームエピタクシー（ＭＢＥ）沈着法を使用してこのようなフィルムを形成する方法と、このようなフィルムを含むマイクロエレクトロニクスデバイスも提供する。
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