直径が少なくとも約２．７５ミリメートルであり、約１０^４ｃｍ^−１未満の転位密度を有し、傾斜境界が実質的にないＧａＮ単結晶が提供される。ＧａＮ単結晶を形成する方法も開示する。本方法は、チャンバーに、核生成中心、ＧａＮ原料物質、およびＧａＮ溶媒を準備することを含む。チャンバーを加圧する。前記チャンバー内に、前記溶媒が前記チャンバーの核生成領域で過飽和状態になるように、第１および第２の温度分布を発生させる。前記第１および第２の温度分布は、チャンバー内で異なる温度勾配を有する。 （もっと読む）

【課題】約１．６μｍ以上の波長帯域における本質的な吸収を示すＴｂＢｉ系ガーネット厚膜の代替材料として、Ｔｂイオンによる吸収スペクトルの影響があらわれる１．５μｍ以上の波長帯域において、改善された挿入損失とθ_ｆ／Ｔをもつガーネット厚膜材料、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＰＥ法によるビスマス置換型ガーネット厚膜材料であって、ＮＧＧを基板とし、化学式が、Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｙ_ｘＹｂ_ｙＢｉ_ｚＦｅ_５−ａＡｌ_ａＯ_１２、ただしｘ＝０〜０．２，ｙ＝０〜０．２で、かつｘおよびｙが同時には０ではなく、さらに、ｚ＝０．８〜１．４，ａ＝０．２〜０．７で示される組成を有し、０〜３．７重量％のＢ_２Ｏ_３を含有し、９５０〜１１３０℃の温度範囲、酸素濃度が５％以上の雰囲気中で保持する熱処理を行う。 （もっと読む）

マイクロパイプ・フリーの、単結晶の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびその製造方法を開示する。ＳｉＣは、供給材料およびシード材料を、昇華装置の反応坩堝内のシードホルダに配置することによって成長させる。ここで、供給材料、反応坩堝、およびシードホルダを含む昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない。成長温度、成長圧力、ＳｉＣ昇華流束およびその組成、ならびに供給材料とシード材料またはシード材料上に成長するＳｉＣ結晶との間の温度勾配を、ＰＶＴプロセスの間制御することにより、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性が排除され、マイクロパイプ・フリーのＳｉＣ結晶がシード材料上に成長する。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

欠陥密度低減型の平面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長させるための方法が開示される。本方法は、（ａ）少なくとも１つの窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）ナノマスク層をＧａＮテンプレート上に成長させるステップと、（ｂ）ＳｉＮ_ｘナノマスク層の上にＧａＮ膜の厚さを成長させるステップと、を含む。ナノマスクは、ナノメートルスケールの開口部を含むマスクである。ＧａＮテンプレートは、低温または高温窒化物核形成層の基板上での成長を含んでもよく、その後、融合を達成するために約０．５μｍ厚さのＧａＮの成長を含む。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

本発明は、２θ＝１６．１±０．２、２０．１±０．２、２０．７±０．２および２４．２±０．２、または２θ＝９．０±０．２、１４．７±０．２、１９．６±０．２、２１．６±０．２および２４．３±０．２のいずれかに主要ピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを特徴とする、３−［［３，５−ジブロモ−４−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）−フェノキシ］−フェニル］−アミノ］−３−オキソプロパン酸の新規な結晶形に関する。
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【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックおよび割れの発生を低減することができるＧａＮ結晶基板、それを含む半導体デバイス、その半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法を提供する。
【解決手段】面積が１０ｃｍ²以上の表面を有するＧａＮ結晶基板であって、ＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下であるＧａＮ結晶基板、それを含む半導体デバイス、その半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法である。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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【課題】電子工学的電力デバイスで使用される高品質の炭化ケイ素構造体を提供する。
【解決手段】バルク単結晶炭化ケイ素基板と、この炭化ケイ素基板の表面における炭化ケイ素エピタキシャル層とを備える炭化ケイ素構造体において、エピタキシャル層がＸ線ロッキングカーブにおいて２５アーク秒以下の半値幅を有する。また、炭化ケイ素基板は、Ｘ線ロッキングカーブにおいて１００アーク秒以下の半値幅を有する。さらに、炭化ケイ素基板が６Ｈまたは４Ｈポリタイプのものであり、エピタキシャル層が基板と同じポリタイプを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶化過程、特に結晶成長過程を経時的にモニターする方法、当該モニター方法を利用することを特徴とする結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の化合物の結晶化過程のモニター方法は、近赤外（ＮＩＲ）スペクトルを用いて行うものであり、具体的には、化合物を融点以上に加熱して溶融状態とした後から一定の温度で保存して結晶化に至るまでの間、化合物の分子構造を構成する官能基の吸光度がどのように変化するかを、近赤外分光計を用いて追跡することにより行われ、該モニター方法により得られる知見を用いて、粒度または結晶形が制御された結晶を製造することにより行われる。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）