【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する技術の開発が求められている。
【解決手段】プラズマを用いた低真空容器内で、分オーダーの短時間で直径がサブマイクロオーダーやナノオーダーの無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を製造する。気相反応のみの反応プロセスによって、中空金属酸化物単結晶粒子の生成が可能であり、また、放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板１は、基板２と、基板２上に形成され（１１１）面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜３とを備える。処理膜３は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板２は、（１１１）面を主面とするチタン酸ストロンチウム、（０００１）面を主面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】大量のナノロッド及び基体表面に整列されたナノロッドのいずれをも製造することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物ナノロッドの製造方法は、炉６内において金属蒸気を発生させる工程と、炉内の成長領域内において、ナノロッド成長用基体２２の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体２２を金属蒸気に曝す工程と、ナノロッド成長用基体２２を成長領域から除去する工程と、このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が１ｎｍから２００ｎｍの金属酸化物ナノロッドを収集する工程とからなる。 （もっと読む）

結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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【課題】放電遅延時間を短縮させ、温度依存性を改善し、増進されたイオン強度を有するＰＤＰの保護膜を製造するための材料、その製造方法、これより形成された保護膜及び該保護膜を備えるＰＤＰを提供する。
【解決手段】本発明によれば、ＭｇＯ１質量部を基準に２．０×１０^−５〜１．０×１０^−２質量部の希土類元素がドーピングされた酸化マグネシウム単結晶を含む保護膜の材料、約２８００℃の温度で結晶化を通じて前記酸化マグネシウム単結晶を製造する方法、これより形成された保護膜及び前記保護膜を含むＰＤＰを提供する。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を伴わずに結晶欠陥の回復を行うこと、非金属の結晶欠陥を容易に制御すること。
【解決手段】酸化マグネシウム単結晶からなる基板１の中央部分１２に、イオン注入を行う。これにより、この部分が着色領域２となる。この基板１の着色領域２が形成された面に、中央に円形の孔を開けたマスクを載せた状態でＸ線を照射する。これにより、着色領域２のＸ線が照射された円形部分の色が薄くなって、円形のパターン３が形成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶内部に誘起構造を作製する方法および該誘起構造を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】面心立方格子構造または六方最密充填構造を有し、かつパルスレーザを透過し得る単結晶内部に単一のフィラメントが形成されるようにパルスレーザを集光させる。また、パルスレーザは、上記フィラメントが誘起構造の形成される結晶面に対して略垂直に形成されるように照射する。これによって、フィラメントが到達した結晶面が局所転位を起こし、単結晶内部に光学異方性を有する誘起構造を周期的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性が高い保護層を有するプラズマディルプレイパネルの提供。
【解決手段】放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、前記前面基板上および／または前記背面基板上の放電電極と、前記放電電極を被覆する誘電体層と、前記誘電体層上の保護層とを有し、前記保護層の少なくとも一部がマイエナイト型化合物からなる、プラズマディスプレイパネル。 （もっと読む）

セラミックスのような化合物材料の接合方法を提供する。この方法は、拡散接合と反応接合との組み合わせであり、反応拡散接合（Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ−Ｂｏｎｄｉｎｇ：ＲＤＢ）という。この方法は、二つ以上の化合物材料片が接合される表面の全体または一部を研磨、ラッピング、またはポリシングし、一つ以上の研磨、ラッピングまたはポリシングされた表面上に、熱処理時に化合物材料内へ組み込まれるか、化合物材料と固溶化されて化合物材料に変換できる接合剤薄膜を挿入、塗布、蒸着、メッキ及びコーティングのうちいずれか一つによって形成し、接合剤薄膜が形成された面を介して化合物材料の片を当接させた状態で熱処理することによって、接合界面に第２相の存在なしに直接接合界面を形成する。接合剤薄膜は、金属、金属有機物及び金属化合物からなる群から選択された物質からなる。
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【課題】 電子ビーム蒸着法等により蒸着した際に、成膜速度を低減することなくスプラッシュの発生を防止しうる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶蒸着材を得るためのＭｇＯ単結晶、並びに、例えば超伝導特性に優れた超伝導体薄膜を形成しうるＭｇＯ単結晶基板を得るためのＭｇＯ単結晶を提供すること。
【解決手段】 カルシウム含有量が１５０×１０^-6〜１０００×１０^-6kg/kg、ケイ素含有量が、１０×１０^-6kg/kg以下のＭｇＯ単結晶であって、ＭｇＯ単結晶の研磨面をＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析したときのカルシウムフラグメントイオン検出量の変動がＣＶ値で３０％以下であるＭｇＯ単結晶である。また、このＭｇＯ単結晶から得られるＭｇＯ単結晶蒸着材及び薄膜形成用ＭｇＯ単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】特にアーク電融法を使用して製造されたＭｇＯ単結晶の基板上に形成された超伝導体薄膜の超伝導特性を向上させることが可能な結晶性制御ＭｇＯ単結晶の製造方法及びその基板を提供する。
【解決手段】亜粒界を有し、且つ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、１×１０^−３〜２×１０^−２ｄｅｇｒｅｅ、且つ、２θ座標の変動幅として４×１０^−４〜５×１０^−３ｄｅｇｒｅｅであることを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶を製造した後、２６１３Ｋ以上の温度まで昇温加熱した後、直ちに、もしくは、その温度で所定時間保持した後、５０〜３００Ｋ／ｈｒの冷却速度で２４７３Ｋまで冷却する工程を含み、更に昇温と冷却に要した時間を含め、２６１３Ｋ以上の温度範囲に保持する合計時間を１０８００秒以下とする熱処理を行うことを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属酸化物単結晶基板について、ストレートステップ構造の基板を得ることができる新しい技術を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ_３，ＭｇＯ等の金属酸化物単結晶基板表面上にＢｉ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物を堆積し、高温真空下において液状化してフラックスとし、この材料を使用して単結晶基板を高温真空アニールしてフラックスを凝集させ、その後フラックスを除去し、場合により常圧下でポストアニールを行うと、従来の方法では作製することが難しかったＳｒＴｉＯ_３以外の金属酸化物単結晶基板においても、原子レベルで平坦な基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 針状及び棒状のいずれかの形状を有する金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに金属酸化物粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】 一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。該金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成される態様。該金属含有材料を含む結晶面が、金属、金属酸化物、又は金属窒化物を含有する態様が好ましい。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）