【課題】溶解領域の温度に達するまでの間において単結晶育成用溶液への溶解を行なうとともに、溶解領域の温度において単結晶育成用溶液への溶解を安定して保つ。
【解決手段】単結晶原料５は、その元となる原材料５１に酸化亜鉛が用いられてなる。この原材料５１は、２つの密度を有し、３層に分類されている。その上層は、低密度側に分類される低密度部分５２であり、中層は、高密度側に分類される高密度部分５３であり、下層は、低密度側に分類される低密度部分５２である。すなわち、低密度部分５２により高密度部分５３が挟まれている。なお、この原材料５１は、粉体からなり、低密度部分５２の粒径は、高密度部分５３の粒径よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】水熱合成法で得られたＺｎＯ基板の表面を平坦化し、かつＬｉ濃度を低下させることができるＺｎＯ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で形成したＺｎＯからなる基板から、熱処理温度９００℃以上、かつ熱処理時間１００分以上の条件、熱処理温度１０００℃以上、かつ熱処理時間５０分以上の条件、または熱処理温度１１００℃以上、かつ熱処理時間３０分以上の条件で熱処理を行うことにより、不純物であるＬｉを除去する。不純物であるＬｉが除去された基板の表層部を、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムとエチレンジアミンとの混合液を用いてエッチングし、平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造を利用したナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の結晶面を有する粒子をシードとして利用し、所定範囲内の格子定数差を有する結晶成長物質を蒸着して、前記結晶面のうち少なくとも一つにナノワイヤーを成長させる。これにより、結晶成長の原理を利用して単純な工程で位置の選択性を確保でき、結晶性に優れるナノワイヤーなどのナノ構造物を形成できる。また、初期シードとして使われる結晶の特性を調節することによって多様な形態の異種接合構造物を形成できる。 （もっと読む）

【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が１×１０^９Ω・ｃｍ以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ソルボサーマル法による単結晶の製造に際し、単結晶への不純物の混入を防止すると共に、高品質の単結晶を工業的製造規模で製造することを可能にする。
【解決手段】 超臨界状態を内部に維持する圧力容器本体１を耐熱合金で構成し、該容器本体の一部を開口して該圧力容器の内面と前記開口の外周縁全周とに亘って耐食性メカニカルライニング５を設け、前記開口外周縁に形成した耐食性メカニカルライニングからなる気密合わせ面と、カバー２内面の耐食性メカニカルライニングカバー６の気密合わせ面とで、前記開口を耐食性ガスケットを介して封止する。圧力容器本体およびカバーの内面が耐食性メカニカルライニングで覆われて腐食が防止される。耐食性メカニカルライニングは、カバーとの間で気密合わせ面のシール性を確保し、気密シール部での腐食も有効に防止し該気密シール部での繰り返し開閉が可能になる。 （もっと読む）

【目的】選択成長性、数密度制御可能かつ、再現性良く製造可能なランダム配列の酸化物針状構造物（ナノニードル）を提供することを目的とする。
【構成】煤状の炭素皮膜を基板上に形成した後、真空チャンバーでイオンビームを照射することで基板上にランダムな配列で高密度の酸化物針状構造物（ナノニードル）を成長させる。 （もっと読む）

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料から単結晶を育成する際に、単結晶原料の表面から浮遊して発生する微結晶を抑制する。
【解決手段】原料を焼成装置を用いて焼成し、焼成体を形成する（焼成工程）。そして、焼成工程において形成した焼成体を、再度、焼成工程より低い温度で焼成して、焼成体を形成する（第２の焼成工程）。次に、焼成工程及び第２の焼成工程において焼成させた焼成体の表面の表面処理を行う（表面処理工程）。ここでいう表面処理は、エッチング溶液を用いた化学的エッチングにより行われる（エッチング手段）。そして、表面処理された焼成体を、分割線Ａに沿って多数個に切断して、複数個の単結晶原料５が作製される。 （もっと読む）

化学蒸着法プロセスを使用するなど、ナノチューブがナノワイヤテンプレート上のシースとして合成される、均一なナノチューブの製造方法が記載される。例えば、単結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノワイヤは、窒化ガリウム（ＧａＮ）がその上にエピタキシャル成長されるテンプレートとして利用される。ＺｎＯテンプレートは、次に、熱還元および蒸発によってなど除去される。完成された単結晶ＧａＮナノチューブは、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍの範囲の内径、および５ｎｍから５０ｎｍの壁厚みを有する。透過電子顕微鏡研究は、結果としてのナノチューブが、ウルツ鉱構造を有する単結晶であり、＜００１＞方向に沿って配向されていることを示す。本発明は、層状ではない結晶構造を有する材料の単結晶ナノチューブを例示する。同様に「エピタキシャルキャスティング」アプローチは、他の固体材料および半導体の列および単結晶ナノチューブを作るために使用されることができる。さらに、複数シースならびに複数の長手方向セグメントを有するナノチューブの製造が記載される。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料の単結晶育成用溶液への溶解速度を一定にする。
【解決手段】スラリー状原料にバインダを混合してバインダ混合原料を作製する（ステップＳ６）。ステップＳ６において作製したスラリー状のバインダ混合原料を脱水状態にさせ（ステップＳ７）、その後にスラリー状のバインダ混合原料を乾燥させる（ステップＳ８）。ステップＳ８において乾燥させたバインダ混合原料の粒を一定に揃えてバインダ混合原料の各位置における密度を均一にさせる（ステップＳ９）。そして、ステップＳ９の後、バインダ混合原料を、予め設定した形状寸法に成形する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０により成形したバインダ混合原料を焼成して、焼成体５２を形成する（ステップＳ１１）。 （もっと読む）

【課題】 針状及び棒状のいずれかの形状を有する金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに金属酸化物粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】 一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。該金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成される態様。該金属含有材料を含む結晶面が、金属、金属酸化物、又は金属窒化物を含有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 広い面積に亘ってc軸が面内に配向したZnO薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット２８をスパッタし、プラズマ中に陰極２３から陽極２４に向かう原料の流れ（原料流）を形成する。この原料流は中心部において密度が高く、中心部から外れるに従って密度が低いものとなる。基板２０は、原料流の形成される領域３０の中心軸から外れた位置に、該中心軸に対して傾斜して固定される。これにより、基板２０に自然に温度勾配が形成され、基板２０上に堆積するZnO薄膜のc軸は面内で温度勾配の方向に配向する。また、基板２０が原料流に対して傾斜して固定されることにより、従来よりもc軸が面内に斉合配向する面積が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好なＺｎＯ薄膜を低温で、特に加熱することなく室温で、形成させる方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に４００℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に（１１１）格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】従来品と比べて直径及び長さが１０分の１以下である微細なウィスカーや所望のサイズのウィスカーを備えるウィスカー形成体、該ウィスカー、及びウィスカー形成体を少ない工程で簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含んで成る原料基体の表面上に、原料基体に含まれる元素の酸化物を含んで成るウィスカーを形成させたウィスカー形成体である。平均太さが２ｎｍ〜１００μｍ、平均長さが２０ｎｍ〜１０００μｍである。
マンガン、アルミニウム、クロム、インジウム、銀、ガリウム、錫、銅、スカンジウム、ゲルマニウム及び亜鉛などの酸化物構成元素を含んで成るウィスカーである。
金属、合金及びセラミックスなどを含む原料基体を、不活性ガス雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理してウィスカーを形成させるウィスカー形成体の製造方法である。酸化物構成元素の含有率を１〜１００％に制御しウィスカーの太さ及び長さを変更する。 （もっと読む）

本発明は、完全配向されたＺｎＯナノロッドアレイ、及び新たな結晶成長速度、形態及び配向を有する新しいＺｎＯナノウォールアレイを、基板にコーティングされたＺｎＯナノ粒子から低温で形成する方法を提供する。このＺｎＯナノロッドアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎナイトレート、Ｚｎアセテート又はこれらの誘導体とヘキサメチレンテトラミンとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。また、ＺｎＯナノウォールアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎアセテート又はその誘導体とクエン酸ナトリウムとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。
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