【課題】酸化亜鉛膜の結晶化処理の低温化、処理時間の短縮化を図る。
【解決手段】基材Ｗに酸化亜鉛膜ｆをスピンコート法やプラズマＣＶＤ等で成膜する。この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が大きい薄片状アルファーアルミナ結晶体及びその製造方法に関し、更に詳しくは、水溶性溶剤を含有するアルミニウム前駆体水溶液、亜鉛前駆体水溶液及びスズ前駆体水溶液を加水分解して混合ゲルを製造した後、熟成、乾燥及び結晶工程を行うことで製造される酸化アルミニウム、酸化亜鉛及び酸化スズを含有する薄片状アルファ−アルミナ結晶体に関する。前記結晶体は、平均粒子厚さが０．５μｍ以下、平均粒子直径が３０μｍ以上、アスペクト比が１００以上であり、従って、高品質の真珠光沢顔料基質、研磨剤、セラミック材料及び充填剤として有用である。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】陰イオンをＯサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液２として、リン酸塩を含む原料溶液２を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および／または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂を用いる。 （もっと読む）

【課題】 粒状シリコンを製造する場合において、結晶性の高い粒状シリコンを安定して作製すると同時に、高い結晶性をもったシリコン粒子を低コストで製造することを目的とする。
【解決手段】 粒状シリコン単結晶の製造方法は、坩堝１のノズル部３からシリコン融液４を滴状に排出して落下させるとともに、このシリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコン結晶を製造した後、この粒状シリコン結晶を熱処理して単結晶化する。シリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることに加えて粒状シリコン結晶を熱処理して単結晶化することにより、高い結晶性をもった粒状シリコン結晶を低コストに製造できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）

【課題】良好なｐｎ接合を容易に形成することが可能なＺｎＯ系の酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛単結晶を熱処理してＬｉ濃度の十分に少ない高純度酸化亜鉛単結晶を製造し、熱処理後の加工工程で歩留まりを低下させることなく、酸化亜鉛単結晶の収率を向上させる高純度酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶の熱処理温度が１１００〜１４００℃であり、該熱処理時間が（ａ）熱処理温度が１１００℃以上１２２５℃以下の場合は式（１）を、（ｂ）熱処理温度が１２２５℃を超えて１４００℃以下の場合は式（２）を満たすとともに、該熱処理温度からの降温処理を３５０℃／時間以下の降温速度で行う。［熱処理時間（時間）］≧−０．０４×［熱処理温度（℃）］＋５０ 式（１）［熱処理時間（時間）］≧１ 式（２） （もっと読む）

【課題】本発明は、ｃ軸選択配向性ＺｎＯ膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、基板を形成する工程と、上記基板上に積層されたアモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜を形成する工程と１００℃〜２００℃の範囲内の基板温度で、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜上に積層され、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜の存在に応じたＺｎＯ膜を形成する工程と、を含む。上記基板は、シリコン（Ｓｉ）（１００）、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、石英、ガラス、プラスチック又はジルコニア等の材料である。上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。一般的に、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、３ｎｍ〜１５ｎｍの厚みを有する。上記ＺｎＯ膜を形成する工程では、一般的に、Ｘ線回折により測定される（００２）ピークが（１００）ピークよりも５倍以上大きいＺｎＯ膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 活性化率の高いＺｎＯ結晶、またはＺｎＯ系半導体化合物結晶を含むＺｎＯ系発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｄ）ｎ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ＺｎＯ層とＺｎＭｇＯ層とが交互に積層されるＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層を形成する。（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。（ｇ）ｎ型ＺｎＯ層及びｐ型ＺｎＯ層上に電極を形成する。工程（ｂ）において、Ｚｎリッチ条件で層形成を行う。 （もっと読む）

【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛及びゲルマニウムナノワイヤーで構成されている一次元ヘテロ構造体の、二軸ナノワイヤー及び同軸ナノワイヤーと、それらを混合した混合ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ゲルマニウム粉末とゲルマニウム粉末の混合物をグラファイト製坩堝に入れ、不活性ガスを流しながら加熱してゲルマニウムナノワイヤーを製造する。その後、生成したゲルマニウムナノワイヤーと酸化亜鉛粉末を不活性ガス気流中で加熱することで、酸化亜鉛とゲルマニウとが軸方向に接合している二軸ナノワイヤーと、ゲルマニウムからなる中心部とこの中心部を囲む酸化亜鉛からなる円筒部とから構成される第一の同軸ナノワイヤーと、酸化亜鉛からなる中心部とこの中心部を囲むゲルマニウムからなる円筒部とから構成される第二の同軸ナノワイヤーと、からなる混合ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 液相エピタキシャル成長により、基板上に膜厚ばらつきが少なく、表面平坦性に優れた単結晶膜を製造することを可能とする単結晶の製造方法を得る。
【解決手段】 複数の原料をルツボ２に供給し、複数の原料を溶解させてなる溶液９中に基板７を浸漬し、液相エピタキシャル法により単結晶基板表面において育成させるに際し、基板７が溶液９中に浸漬される際の高さ位置よりも下方に、溶液９内に生じた結晶粒９ａの上方への移動を抑制する遮蔽板１０を配置し、基板７の表面に単結晶膜を育成する、単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 良質なＺｎＯ系化合物半導体結晶を得ることができるＺｎＯ系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 （０００１）面で構成される複数のテラスが、ｍ軸方向に階段状に連なった主表面を備え、複数のテラスが定める階段の、（０００１）面を基準とした傾斜角が２°以下であるＺｎＯ基板を準備する。主表面上に、ＺｎＯ系化合物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大型でかつ多結晶を含まないか含んでも極僅かな良質の酸化亜鉛単結晶の製造を可能とする気相輸送法による酸化亜鉛結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】真空封止された成長容器１０の長さ方向の一端側から他端側に亘り温度勾配を有し、かつ成長容器の高温部に原料部が、低温部に結晶析出部１５が配置されており、さらに成長容器の内部に、上記高温部と低温部との間を遮断し、かつ上記高温部より更に高温側の少なくとも一部に開口13を有する原料保持用石英管（仕切り空間）１４が設けられ、この仕切り空間内の上記高温部に対応する部位に、原料１１としてＺｎＯ焼結体と、輸送剤１２としてカーボンロッドを充填した原料部を配置する。仕切り空間の上記開口を介し原料部と結晶析出部間の気相輸送を行なわせることにより、上記成長容器の低温部に酸化亜鉛結晶を析出させる。 （もっと読む）

【課題】結晶の析出位置を制御し、結晶の収率を向上させ、また、結晶への不純物混入を防止して結晶を高純度化するソルボサーマル法による結晶製造方法、結晶製造装置を提供する。
【解決手段】溶媒と臨界密度の異なる物質を反応容器内に所定量存在させ、ソルボサーマル法により結晶成長を行う結晶製造方法、結晶製造装置である。 （もっと読む）