【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】凝集せずに長時間にわたり安定である、粒径が数ナノメートルの酸化亜鉛結晶を提供すること、また、これにポリマーをグラフト化し、機能性を有するナノコンポジットを提供すること。
【解決手段】表面を２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノクリスタル。これは、溶解度高い亜鉛化合物（酢酸亜鉛）を出発原料として、数ナノメートルの酸化亜鉛結晶粒子の表面にＯＨ基をもつ有機物（ヒドロキシプロピオン酸）を導入し、次に、末端ＯＨ基を酸ブロミドで修飾し、重合開始点を導入し２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノ粒子が得られ、これにリビングラジカル重合してポリマー鎖をグラフト化すればナノコンポジットが製造できる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の表面におけるＯＨ基の存在が略０となっているように形成する。このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。以上により、Ｚｎの水酸化物の発生を防ぐことができ、ＺｎＯ系基板上の薄膜の結晶欠陥密度を非常に小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】生成したテトラポッド形状酸化亜鉛の大きさを調整することができるテトラポッド形状酸化亜鉛の製造装置を提供する。
【解決手段】非酸化性雰囲気領域を内部に形成可能な縦型反応炉１と、 前記縦型反応炉の炉内下部に設けられ、蒸気噴出ノズルが付属した亜鉛蒸発用るつぼ６と、前記縦型反応炉５上部に縦型反応炉の高さ方向に延在するように設けられ、表面に前記縦型反応炉内に酸化性ガスを吐出する排出孔が設けられた酸化反応用酸素排出管１３と、酸化反応用酸素排出管１３によって前記縦型反応炉１内に吐出される酸化性ガスの流量調整が可能なガス供給装置５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】量子閉じ込めシュタルク効果を解消でき、光学素子の発光効率が向上される酸化亜鉛バッファ層付きのアルミン酸リチウム基板構造を提供する。
【解決手段】アルミン酸リチウムを基板として選択し、アルミン酸リチウム基板２１上において、単結晶フィルムである酸化亜鉛バッファ層２２を生長させ、これにより、アルミン酸リチウム基板２１上に無極性の酸化亜鉛を生長させて、その構造間の類似性を利用することにより、酸化亜鉛が、同じ方向になり、格子マッチングが得られ、優れた結晶界面品質が実現される。 （もっと読む）

【課題】様々なデバイスに適用できるｐ型不純物がドーピングされたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ膜（０≦Ｘ＜０．５）で、ｐ型ドーパントのアクセプタ濃度を、５×１０^２０ｃｍ^−３以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、５×１０^２０ｃｍ^−３を超えてくると、ｐ型不純物と母体となるＺｎＯ結晶との混晶化が発生し、ｐ型にドーピングされた良質のＺｎＯ系薄膜とならない。これは、ＺｎＯ２次イオン強度に変化が見られることでわかる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶ＺｎＯ基板を、従来に比して安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＺｎＯ基板の製造方法であって、(a) ＳｉＯ₂絶縁層２と、その上に設けられた、表面を構成する単結晶シリコン層１とを含む、半導体基板を準備するステップと、(b)単結晶シリコン層１を表面側から、絶縁層２上に３〜７ｎｍの厚みだけ残して酸化するステップと、(c)生じたＳｉＯ₂ 層４を除去するステップと、(d)残った単結晶シリコン層１’に、加熱しつつキャリアガスと炭化水素ガスを供給して全層を単結晶ＳｉＣ層５へと変換するステップと、(e)単結晶ＳｉＣ層５の表面に化学気相成長により厚み０．１〜５μｍの単結晶ＺｎＯ層６を形成するステップと、(f)単結晶ＺｎＯ層６をアニールするステップと、 (g)アニールされた単結晶ＺｎＯ層６の表面に化学気相成長により単結晶ＺｎＯ層６’を形成して単結晶ＺｎＯ層６の層厚を増加させるステップとを含む、製造方法。 （もっと読む）

【課題】材料元素の供給温度を上げることができ、材料元素の安定供給を行うことができる材料供給装置を提供する。
【解決手段】
材料供給装置の容器１０は、坩堝１とオリフィス３とで構成されている。坩堝１は、円筒型や角柱型等の形状で、かつ中空の形状に構成されている。坩堝１の周囲にヒータ等の熱源２が配置されており、坩堝１の材料元素供給方向には、開口部３ａを有するオリフィス３が設けられている。オリフィス３は材料元素供給側に向かって伸びている管部３ｃを備えており、管部３ｃの先端には開口部３ａが形成されている。また、管部３ｃの開口面積は、材料元素供給側、すなわち開口部３ａの方向に向かって、次第に小さくなって行くように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー及びＺｎＯウィスカー膜及びこれらの作製方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ結晶を主成分とするＺｎＯウィスカーであって、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子であり、フォトルミネッセンススペクトルｃで示される可視光領域におけるフォトルミネッセンス特性を有するＺｎＯウィスカー、及び、溶液プロセスにより、酸化亜鉛が析出する溶液反応系で、温度、原料濃度、添加剤、ｐＨ条件のいずれかの条件を調整してＺｎＯ結晶を析出させ、ＺｎＯウィスカーを合成すること、あるいは、ＺｎＯウィスカーを基板上に堆積させることによりＺｎＯウィスカー膜を形成させるＺｎＯウィスカー又はＺｎＯウィスカー膜の製造方法。
【効果】高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であるＺｎＯ結晶ウィスカーの電子デバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、高温焼成することなく、特に高価な装置や複雑な装置を用いず、溶液内で基材に直接析出させることによりコスト的に非常に有利であって、表面積が大きく、結晶形状が花状の酸化亜鉛結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】亜鉛イオン及びアミン化合物を少なくとも含みかつｐＨが７以上に調整された水溶液に基材を浸漬することによって、基材上に結晶形状が花状の酸化亜鉛結晶を自己組織的に析出させる。アミン化合物としては、アンモニアを使用する。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、紫外線遮蔽性及び赤外線遮蔽性が高く、かつ、高い可視光透過性を有する酸化亜鉛機能膜の製造方法及び該方法により得られる酸化亜鉛機能膜を提供する。
【解決手段】亜鉛源として亜鉛イオンと、ドーパント源として亜鉛イオンとは異なる種類の金属イオンとをそれぞれ含みかつｐＨが６以上に調整された水溶液に予め亜鉛と酸素を含有する化合物からなるシード層が表面に存在する基材を浸漬することによって、基材上にドーパントを含んだ酸化亜鉛機能膜を自己組織的に析出させる。 （もっと読む）

【課題】光触媒である細線状の酸化亜鉛微細結晶を接着した基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】細線状の酸化亜鉛微細結晶を、酸化亜鉛薄膜を介して接着した基板；ならびに該基板の製造方法であって、その表面に液状の亜鉛錯体の薄膜を介して細線状の酸化亜鉛微細結晶を有する基板を高温水蒸気分解する工程；および熱処理する工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯ系薄膜を形成する場合に、平坦な膜を成長させるためのＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】 図１（ａ）では、ＺｎＯ系基板１上にＺｎＯ系薄膜２が形成されている。また、図１（ｂ）では、ＺｎＯ系基板１上に、ＺｎＯ系薄膜の積層体であるＺｎＯ系積層体１０が形成されている。ＺｎＯ系積層体１０は、ＺｎＯ系半導体層３やＺｎＯ系半導体層４等の複数のＺｎＯ系半導体層が積層された積層体である。ＺｎＯ系薄膜２やＺｎＯ系積層体１０を形成する場合には、成長温度７５０℃以上で成長させるか、又は、膜表面の粗さが所定の範囲になるように、膜表面のステップ構造が所定の構造となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶ｃ軸を一定方向に配向させることができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 （もっと読む）

【課題】形成しようとする酸化物系ナノ構造物と同じ組成を持つナノ核を利用してナノ構造物を成長させる酸化物系ナノ構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（Ｍは、遷移金属元素または半金属元素）を含む有機物前駆体が有機溶媒に溶解されている混合溶液を基板の表面にコーティングするステップと、混合溶液がコーティングされた基板を熱処理して、基板上にＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ核を形成するステップと、Ｍを含む反応前駆体をナノ核に供給しつつナノ核を成長させて、ＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ構造物を形成するステップと、ナノ構造物を熱処理するステップと、を含む酸化物系ナノ構造物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をｃ軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】矩形のターゲット２２の下面には矩形タイプのマグネトロン回路２３を配置する。ターゲット２２の片半分を遮蔽板５１によって覆い、その下のエロージョン領域３９（磁束密度の最も大きな領域）から飛び出たスパッタ粒子が基板２８へ飛来しないように遮断する。真空チャンバ２１内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板２８を配置し、エロージョン領域３９の遮蔽板５１から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板２８の表面に入射させる。こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光再結合効率を高める。
【解決手段】（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。したがって、得られたＧａＮナノコラム５の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。こうして、発光再結合効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、製造方法が簡単であって製造コストの低い発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）