【課題】針状及び棒状のいずれかの形状を有する酸化亜鉛構造体、並びに酸化亜鉛粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】一定方位への規則的な結晶配向構造を有する、ｃ軸方向に垂直であり、金属含有材料を含む結晶面を有する基板を酸化亜鉛が析出可能な反応溶液中に前記金属含有材料を含む結晶面が下向となるように基板を配置して浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に酸化亜鉛結晶を析出させ、前記金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成され、該結晶面を有する基板の面方位と同じ結晶面である酸化亜鉛構造体の製造方法により製造された酸化亜鉛構造体であって、アスペクト比が１以上であり、底面の半径が２５０ｎｍ〜４５０ｎｍである酸化亜鉛結晶を基板上に有する酸化亜鉛構造体である。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向けて温度勾配を有する成長容器１の高温部に酸化亜鉛原料２が配置され、上記成長容器１の低温部において化学気相輸送法により酸化亜鉛単結晶を析出させる酸化亜鉛単結晶の成長方法であって、酸化亜鉛原料２中に含まれる窒素の濃度を５００mass ppm以下とする。更に、窒素濃度が３００mass ppm以下の酸化亜鉛原料を用いることにより収率がより改善される。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ結晶を放射線検出に利用する場合に、蛍光寿命が長い長波長発光により放射線検出の弁別機能の安定性が害されるという問題を解決できる４５０〜６００ｎｍの発光が少ない励起子発光型シンチレータＺｎＯ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープＺｎＯ単結晶やＩＩＩ族元素やランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を製造する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

基質またはシードを含有するより暖かい堆積区域と、ＺｎＯの原材料を含有するより冷たい溶解区域との間で、ＺｎＯで飽和した成長溶液を連続的に循環させるステップを含む、ＺｎＯを合成するための方法。本発明の方法は、ＺｎＯの膜、ナノ構造、およびバルク単結晶を合成するために必要とされる核生成および成長機構の両方に対する制御を可能にする、独特の連続循環方法および反応器を利用する。本発明の方法は、第１の温度で亜鉛含有栄養素を溶解させるために、成長水溶液組成物を使用し、第２の温度でＺｎＯを合成し、ＺｎＯが合成される第２の温度は、栄養素が溶解させられる第１の温度よりも暖かく、ＺｎＯの合成は、第１のより冷たい温度と比較して第２のより暖かい温度において、水溶液組成物内のＺｎＯの溶解度の低減によって引き起こされる。
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【課題】フラックスを用いた酸化亜鉛単結晶の連続引上げ法において、酸化亜鉛種子結晶の昇華を抑制し、結晶製造初期段階での種子結晶の溶損および育成途中での結晶の脱落を防ぐことが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を溶解することができかつ融液において酸化亜鉛より高い平均密度を有する溶媒と、酸化亜鉛との混合融液から、酸化亜鉛の結晶を種子結晶３９上に析出させる製造方法において、種子冷却用引上げ回転軸３５は二重管構造をしており、ガス導入穴３３からガス排出穴３４に向けて冷却流体を流すことにより強制冷却し、種子結晶３９を前記混合融液の温度より５℃以上低い温度に冷却するとともに、溶媒として、酸化亜鉛と共晶を形成する化合物であって、共晶点の組成が酸化亜鉛の濃度で３０モル％から９９．９％の範囲で、共晶温度が７００℃から１７２０℃の範囲である化合物のうち一種類以上を用いる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】棒状結晶が基板上に高配向且つ高密度で形成され、発光素子、高感度のセンサー、などとして有用な金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに発光素子の提供。
【解決手段】本発明の金属酸化物構造体の製造方法は、サファイア基板上に金属酢酸塩水和物を含む層を形成する層形成工程と、前記金属酢酸塩水和物を含む層を不溶化処理する不溶化処理工程と、前記不溶化処理された層が形成されたサファイア基板を、金属イオンと、ＮＨ_４^＋イオンとを含む反応溶液に浸漬させて、金属酸化物を主成分とする棒状結晶を成長させる成長工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面に触媒元素（Ｐ）を形成する段階と、基板（Ｓ）の表面に形成された触媒元素からナノワイヤ（ｎｆ）を成長させる段階とを含み、触媒元素が金属ナノ粒子（Ｐ）であることと、基板の表面に触媒元素を形成する段階が、基板の表面にある固体油浸レンズによって収束された光線を用いた金属ナノ粒子の堆積から成ることとを特徴とする、固体油浸レンズに取り付けられた基板（Ｓ）の表面にナノワイヤ（ｎｆ）を形成する方法に関係する。
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【課題】
光学的特性に優れたＺｎＯ系結晶を提供する。
【解決手段】
（０００１）（＋Ｃ面）を主面とするＺｎＯ単結晶基板を準備し、熱処理する工程と、 加熱した前記主面上にＩＩ−ＶＩ族半導体結晶をＩＩ族原子の極性面で成長する工程と、を含み、前記熱処理する温度は、前記ＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶の成長工程における結晶成長温度よりも高い温度である半導体結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロナノワイヤーの可能性を発展させたもので、ヘテロ構造が、硫化亜鉛と酸化亜鉛とによるものを提供する。
【解決手段】長手方向では同様な組成よりなり、それを横断する一側側と他側側では相互に異なる組成域となっているヘテロナノワイヤーであって、相異なる組成域の一方が硫化亜鉛で、他方が酸化亜鉛であることを特徴とし、さらに、前記硫化亜鉛からなる組成域は、長手方向に六方晶系硫化亜鉛と立方晶系硫化亜鉛とが交互に結晶成長しているかあるいは単結晶成長している。これらの製造方法は、不活性ガス流路中に、硫化亜鉛粉末を配置し、該硫化亜鉛粉末の配置位置よりも下流側に金薄膜の付着したシリコン基板を設置し、不活性ガスを流しながら、前記硫化亜鉛粉末をその昇華温度に、前記シリコン基板を前記硫化亜鉛粉末の昇華温度未満に、それぞれ加熱することにより前記シリコン基板表面に前記ヘテロナノワイヤーを生成する。 （もっと読む）

【課題】従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板の表面にナノワイヤをパターニングする方法は、（ａ）上記表面に、フッ化バリウム犠牲層が所望のパターンで形成された上記基板を提供するステップと、（ｂ）上記フッ化バリウム犠牲層を含む上記基板の表面全体にわたって、ナノワイヤを成長させるステップと、（ｃ）溶媒によって上記フッ化バリウム犠牲層を除去することにより、上記フッ化バリウム犠牲層の表面にある上記ナノワイヤごと除去して、上記基板の上記表面に直接接触した状態の上記ナノワイヤを残すことにより、上記ナノワイヤを上記基板の上記表面上にパターン化するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が低く且つ高い抵抗率の酸化亜鉛（ZnO）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶を水熱合成法で育成する場合、溶解液としてアルカリ溶液を使用する為、育成された結晶中にLi等のアルカリ金属が高濃度に混入する。そこで従来からアルカリ金属を除去するために結晶を熱処理する方法があるが、高温処理しなければならないため結晶が低抵抗率化する。そこで、高抵抗率高純度酸化亜鉛結晶を製造する方法として酸化亜鉛結晶又は酸化亜鉛単結晶基板４１の対向する一対の面に金属電極膜５４を形成又は金属箔を密着させ、上記よりも低い温度下で電界をかけることで、高抵抗率を維持しながら結晶中の不純物を低減する。 （もっと読む）