【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】原料に含まれる不純物を十分に低減でき、優れた品質の酸化物単結晶を効率的に製造可能な酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。前記不純物除去工程において融液状態の保持は、圧力１．０×１０−４〜１．０Ｐａの減圧雰囲気下又はＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ及びＮ２からなる群より選ばれる１種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下、あるいはさらに酸素を０．０１〜２０体積％混合した不活性ガス雰囲気下にて行い、保持時間は１〜１０００時間とする。 （もっと読む）

【課題】各種単結晶基板上で表面モフォロジーに優れかつ単相の高品質なＫＮｂＯ_３単結晶薄膜を製造する方法と、この方法で得られた薄膜を備えることによって、ｋ^２（電気機械結合係数）が高く広帯域化、小型化、及び省電力化に優れる表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定の酸素分圧におけるＫＮｂＯ_３と３Ｋ_２Ｏ・Ｎｂ_２Ｏ_５との共晶点Ｅにおける温度及びモル組成比をＴ_Ｅ、ｘ_Ｅとするとき（ｘは、Ｋ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙで表現されるときのカリウム（Ｋ）とニオブ（Ｎｂ）とのモル比）、０．５≦ｘ≦ｘ_Ｅの範囲となるＫ、Ｎｂ、Ｏからなるプラズマプルームを基板１１に供給する。そして、この状態における完全溶融温度をＴ_ｍとし、基板１１の温度Ｔ_ｓをＴ_Ｅ≦Ｔ_ｓ≦Ｔ_ｍの範囲に保持して基板１１上に堆積したＫ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙからＫＮｂＯ_３単結晶１２を析出させ、残った液相部２７を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】特に流動性の高い原料融液を用いて酸化物単結晶を育成する場合等であっても、クラックや融液ダレを生じることなく、種結晶方位と同じ方位に単結晶を育成できる単結晶の製造装置等を提供する。
【解決手段】育成炉１内に、原料融解槽11と融液保持槽12と種結晶保持部13と駆動部14とを具え、融液保持槽12が、上下方向に延びる第１貫通孔19をもち、融液を受け止める上板部材16と、この下方に設置され、上板部材16の第１貫通孔19を通して流下する融液を保持する空間構造20をもつ中間部材17と、この空間構造20に保持された融液を、下方に設置された種結晶15に連続供給するため、第２貫通孔22をもつ下板部材18とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空や高エネルギーを必要とする特殊な装置や、高価で特殊な原料を使用することなく、低温でニオブ酸カリウムの薄膜を作製することのできる、ニオブ酸カリウムの低温製膜法を提供する。
【解決手段】Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。潮解させる際の湿度は、６０％以上であり、潮解させる際の温度は、０〜５０℃であることが好ましい。室温で高品位のニオブ酸カリウムの単結晶薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、高配向な結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末３として、焼成温度よりも高い融点の第１微細粉末３１と焼成温度よりも低い融点の第２微細粉末３２とを準備する。混合工程においては、微細粉末３と第１異方形状粉末２とを混合する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】育成結晶形状の制御と結晶品質の向上が可能なニオブ酸カリウム単結晶の成長方法および製造装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱方式である結晶製造装置を用い、TSSG法により融液からニオブ酸カリウム単結晶を成長する方法において、るつぼ底に抵抗加熱ヒーター４を設置して、るつぼ底部の融液温度を融液表面および融液内るつぼ側部の温度以上であり、かつ融液表面中心と該表面中心下2cmの平均温度勾配が3.0〜20℃/cmの任意の温度勾配となるように制御した条件下で、二重管冷却構造を有する引き上げ軸６により種結晶１１を冷却しながら、ニオブ酸カリウム単結晶１２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５とＫ_２ＣＯ_３の混合物にフラックスを添加し、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはＫＦが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝材料から構成された坩堝内にあるからなるＬＧＳ（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄）又はＳＧＧ（Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄）又はＬＴＧ（Ｌａ₃Ｔａ_0.5Ｇａ_5.5Ｏ₁₄）又はニオブ酸リチウムＬＮ（ＬｉＮｂＯ₃）又はタンタル酸リチウムＬＴ（ＬｉＴａＯ₃）又はニオブ酸カリウムリチウムＫＬＮ（Ｋ₃Ｌｉ₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅）結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成する方法において、結晶材料の融液である結晶液滴１１と坩堝材料で作製された板型試料１０との接触角１２が８°以上である坩堝材料を用いた坩堝を使用した単結晶育成方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中の結晶成長速度を所望の速度に制御することにより、結晶特性の均一な結晶を製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１内に種子結晶４を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱液化し、るつぼ１の下方より上方に向かって、液体原料２を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造方法において、液体原料２の構成元素で構成された相図の液相線と、炉内の温度分布５とに基づいて、成長中の結晶成長量と成長速度とを予め算出する第１ステップと、第１ステップで算出された成長速度となるように、るつぼ１の冷却速度を制御する第２ステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】１台の結晶製造装置により、複数の単結晶を、１回の結晶製造工程で同時に製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ３１内に種子結晶３４を配置し、るつぼ３１内に充填された原料３２を加熱液化し、るつぼ３１の下方より上方に向かって、液体原料を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉内に複数個のるつぼ３１を設置した１または複数のるつぼホルダ３８を備え、１回の製造工程で複数個の結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 ＫＴａ_ｘＮｂ_1-ｘＯ_３を一例とする酸化物結晶であって、利用効率の高い円形結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して結晶を育成しながら引き上げる結晶製造装置において、炉５内の温度を調整するヒータ４と、るつぼ１内部の原料溶液８と接して、原料溶液８の一部を局所的に加熱する内ヒータ１１と、育成された結晶９の形状を検出する光センサ１４と、光センサ１４で検出された結晶の形状に応じて、内ヒータ１１を制御する温度制御器１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】冷却装置不要で、構造簡単、小型で、安価な筒内圧センサを提供する。
【解決手段】Ｇａ（ガリウム）をＡｌ（アルミナ）に置換してＧａ（ガリウム）の量を減らし、更に結晶の固有抵抗値の変化が５００℃を越えても１０^１１Ωに留まるＬＧＡＳ、ＬＮＧＡ、ＬＴＧＡのいずれかを圧電素子に使うことで課題を解決する。例えばＬＧＡＳ単結晶はＧａ_５をＧａ_４．８とＡｌ_０．２で置換しＬａ_３Ｇａ_４．８Ａｌ_０．２ＳｉＯ_１４としてＧａの量を減らしている。 （もっと読む）