【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程及び設備によって、単一分極化された高品質なニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法により単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成炉１０の内部空間１１ａにルツボ２２を配置し、ルツボ２２内に、ニオブ酸リチウムの単一分極化済みの種結晶ａ、及び原料ｂを収容し、育成炉１０の温度制御により、育成炉１０内にニオブ酸リチウムの融点以上となる高温部と該高温部よりも下方へ向かって徐々に温度が低くなり前記融点以下となる温度勾配部を形成し、前記高温部から前記温度勾配部へ向かってルツボ２２を所定の速度で下降することで、原料ｂに対しルツボ外から電界を加えることなく、原料ｂを単結晶化するとともに単一分極化するようにした。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法においても、結晶を成長させる第１容器に、第２容器が保持している融液を供給することができ、かつ融液供給時に第１容器内の融液に振動が生じることを抑制できる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する
【解決手段】第１容器１００は、種結晶５０及び結晶成長用の融液５２を保持する。第２容器２００は、補充用の融液５４を保持する。融液供給部は、第２溶液２００内に保持されている補充用の融液５４を第１容器１００に供給する。融液供給部は、開口部２２０と、案内部を備える。開口部２２０は、第２容器２００の側壁または上面に設けられ、第１容器１００内における融液５２の液面より高く位置する。案内部は、開口部２２０からオーバーフローした補充用の融液５４を伝わせることにより、融液５４を第１容器１００内の融液５２の液面に案内する。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

リチウムに基づく出発基板から薄層を転写させる方法であって：１０％から８０％の割合で基板のリチウムイオンをプロトンで交換するために、この基板の遊離面を通り深さｅ１にわたる、この基板と酸である第１の電解質との間でのプロトン交換工程；第１の深さｅ１より浅い第２の深さｅ２にわたる、少なくとも実際にはすべてのプロトンをリチウムイオンで交換し、深さｅ１と深さｅ２との間に中間層を残すために、遊離面を通る、この基板と第２の電解質との間の逆プロトン交換工程であって、この中間層には、プロトン交換工程の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さｅ２が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する工程；中間層の脆化に好適な条件下で行われる熱処理工程；および中間層にて、基板の残存部分から薄膜を分離するのに好適な分離工程を含む、方法。
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【課題】垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、前記種子結晶１４が配置される前記るつぼ１１の外側に取り付けられた中空構造のキャップ１７と、前記中空構造を流れる冷媒の流量調整を行う手段とを含む温度制御手段を備える。前記キャップ１７の代わりに螺旋型のパイプを用いてもよい。前記温度制御手段は、前記種子結晶１４の近傍を局所的に冷却して温度制御するだけでなく、前記キャップ１７にヒータを内包させて、冷却と加熱の両方で温度制御することも可能である。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１の加熱室内に設置された坩堝９に原料酸化物を間接加熱して、得られた酸化物融液に単結晶引き上げ軸３の種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げて酸化物単結晶を育成、成長させるための酸化物単結晶育成装置において、加熱室の外周に配置された加熱コイル４と、加熱コイル４に高周波電流を供給する高周波電源を有するメインチャンバー１の上方に、温度調節用ヒーター１３とポーリング用電極１５を有する上部チャンバー１２、１６が移動可能に複数個配設されている。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子の光学端面に形成された加工変質層を中性のスラリーで除去できるケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】光波長変換素子の光学端面を平均粒径２０μｍの第１の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第１の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径０．１２５から１μｍの第２の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第２の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径２００μｍの以下の第３の砥粒からなる研磨スラリーを用いてケミカルメカニカルポリッシングを行う第３の研磨工程とから成る光波長変換素子の光学端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】温度変化による反りが少なく、熱膨張を抑えた、優れた温度安定性を示すタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶薄板を用いた複合基板を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 本発明の複合基板は、鉄、銅、マンガン、モリブデン、コバルト、ニッケル、亜鉛、炭素、マグネシウム、チタン、タングステン、インジウム、錫、レニウム、スカンジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、白金、金、イットリウム、ネオジウム、イリジウム、ゲルマニウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ガリウム、セリウム及びその他の遷移元素から選ばれる少なくとも一種以上の添加元素を０．００２ｗｔ％以上０．１ｗｔ％以下の割合で含有するＬＴ単結晶又はＬＮ単結晶からなる単結晶薄板と、該単結晶薄板の一面に接合された低熱膨張基板と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶育成の成功率が８０％以上に改善され、しかも、結晶中の転位列の発生が抑制された高品質酸化物単結晶を再現性良く、低コストで製造可能な酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等の酸化物単結晶を育成する方法において、育成される結晶の直胴部３の直径ｄと坩堝５の内径Ｄの比ｄ／Ｄを０．８〜０．９として育成する。育成結晶と用いる坩堝５の直径比が大きいため、所望の直径ｄの単結晶を得るのに必要な坩堝５が小さくて済み、高価な貴金属類の使用量が減る。 （もっと読む）

【課題】結晶の長手方向に沿った比抵抗プロファイルが拡大されて単結晶のプライム長さが増加することで、従来に比べて生産性を向上させるチョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法を用いて製造された半導体単結晶インゴット及びウエハーを提供する。
【解決手段】るつぼ１０内に含有された半導体原料物質とドーパント物質との融液ＳＭにシード結晶を浸した後、シード結晶を回転させながら上部へと徐々に引き上げ半導体単結晶Ｃを成長させる際に、磁場の垂直成分が０であるＺＧＰ（Ｚｅｒｏ Ｇａｕｓｓ Ｐｌａｎｅ）を基準にして上部と下部との磁場強度が相違するＣｕｓｐタイプの非対称磁場をるつぼに印加して結晶Ｃの長手方向に沿って理論的に計算された比抵抗プロファイルを結晶Ｃの長手方向に沿って拡張させる。 （もっと読む）