【課題】目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を出発原料として、混晶単結晶の育成のための種結晶を、より短い育成時間とより少ない加工工数により得る。
【解決手段】チョクラルスキー法による混晶単結晶育成用の種結晶を得る際に、目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を基部(12a)として、該基部(12a)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良を生じない範囲となるように融液を調整して、該基部の先端側に混晶層(12b)を育成し、必要に応じて、この混晶層(12b)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良が生じない範囲となるように融液を調整して、該混晶層(12b)の先端側にさらなる混晶層(12c)を育成することにより、多層の混晶層を備える混晶単結晶(13)育成用の種結晶(12)を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】内燃機関燃焼室内の燃焼圧の測定に有用な高信頼性の燃焼圧センサーの圧電素子に用いることができる、高絶縁、高安定性ＬＴＧＡ単結晶の製造を可能にする方法を提供すること。
【解決手段】Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃の混合物から調製した多結晶出発原料からＬＴＧＡの単結晶を製造する方法であって、多結晶出発原料として、ｙ（Ｌａ₂Ｏ₃）＋（１−ｘ−ｙ−ｚ）（Ｔａ₂Ｏ₅）＋ｚ（Ｇａ₂Ｏ₃）＋ｘ（Ａｌ₂Ｏ₃）で表される組成（この式中、０＜ｘ≦０．４０／９、３．００／９＜ｙ≦３．２３／９、５．００／９≦ｚ＜５．５０／９である）の混合物を使用し、且つ、結晶育成軸をＺ軸としてＬＴＧＡ単結晶を育成する。育成したＬＴＧＡ単結晶に対し真空熱処理を施すことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を熱処理しても、３００℃以上での恒温保持による単結晶の抵抗率の変化が少ない、ランガテイト系単結晶の新しい熱処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を、１０００℃以上１４９０℃以下、且つ、１０時間以上１００時間以下の条件で加熱して、単結晶の表面に異相を析出させる。表面に析出した異相は、熱処理後に除去してもよい。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が極めて小さいフラックス法により合成したタンタル酸塩結晶粒子とその製造方法、及び該タンタル酸塩結晶粒子を半導体電極に用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト型構造もしくは層状構造を有し、かつ下記一般式（１）または（２）で表される化合物であることを特徴とするタンタル酸塩結晶粒子。
一般式（１）
ＸαＹβＴａγＯδ
一般式（２）
ＹζＴａηＯθ
〔式中、Ｘはアルカリ金属、Ｙはアルカリ土類金属を表し、α＋２β＋５γ＝２δ、２ζ＋５η＝２θの関係式からなり、γ、ηは１より大きい正数を表す。〕 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】ランガサイト系単結晶を用いて燃焼圧センサ等に用いた際におけるドリフトの発生問題を解消し、検出精度，安定性及び信頼性を飛躍的に高める方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に温度勾配を有する加熱環境下における不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、この坩堝部に種結晶を充填するとともに、この種結晶の上に原料を充填し、種結晶の一部及び原料を加熱融解させた後、坩堝部を少なくとも垂直方向に移動させてランガサイト系単結晶を作製するに際し、加熱環境をカーボン発熱体部を用いて生成し、かつこの加熱環境に不活性ガスを供給して不活性ガスが略１００〔％〕となる不活性ガス雰囲気を生成するとともに、この不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、１７５〔℃〕の温度環境下における電気抵抗率が１０¹²〔Ωｃｍ〕以上となるランガサイト系単結晶を作製する。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、高配向な結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末３として、焼成温度よりも高い融点の第１微細粉末３１と焼成温度よりも低い融点の第２微細粉末３２とを準備する。混合工程においては、微細粉末３と第１異方形状粉末２とを混合する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガサイト種結晶５を充填すると共に、ランガサイト種結晶５上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガサイト種結晶５が、ランガサイトによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガテイト種結晶５を充填すると共に、ランガテイト種結晶５上にランガテイト原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガテイト原料６は、ランガテイト種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれランガテイト種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】 融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝材料から構成された坩堝内にあるからなるＬＧＳ（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄）又はＳＧＧ（Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄）又はＬＴＧ（Ｌａ₃Ｔａ_0.5Ｇａ_5.5Ｏ₁₄）又はニオブ酸リチウムＬＮ（ＬｉＮｂＯ₃）又はタンタル酸リチウムＬＴ（ＬｉＴａＯ₃）又はニオブ酸カリウムリチウムＫＬＮ（Ｋ₃Ｌｉ₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅）結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成する方法において、結晶材料の融液である結晶液滴１１と坩堝材料で作製された板型試料１０との接触角１２が８°以上である坩堝材料を用いた坩堝を使用した単結晶育成方法。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中の結晶成長速度を所望の速度に制御することにより、結晶特性の均一な結晶を製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１内に種子結晶４を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱液化し、るつぼ１の下方より上方に向かって、液体原料２を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造方法において、液体原料２の構成元素で構成された相図の液相線と、炉内の温度分布５とに基づいて、成長中の結晶成長量と成長速度とを予め算出する第１ステップと、第１ステップで算出された成長速度となるように、るつぼ１の冷却速度を制御する第２ステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】１台の結晶製造装置により、複数の単結晶を、１回の結晶製造工程で同時に製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ３１内に種子結晶３４を配置し、るつぼ３１内に充填された原料３２を加熱液化し、るつぼ３１の下方より上方に向かって、液体原料を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉内に複数個のるつぼ３１を設置した１または複数のるつぼホルダ３８を備え、１回の製造工程で複数個の結晶を製造する。 （もっと読む）