【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】結晶育成時におけるタンタル酸リチウム単結晶の曲がりを抑制してその生産性が改善されたタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供すること。
【解決手段】この育成方法は、坩堝３に収容された原料の溶融液10に種結晶８を接触させ上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることでタンタル酸リチウム単結晶11を育成する方法であって、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成するとき該単結晶の回転方向を５〜８００分の一定間隔で反転させることを特徴とする。この育成方法によれば、結晶育成中におけるタンタル酸リチウム単結晶がＸ軸方向へ曲がる現象を抑制できるため、育成されたタンタル酸リチウム単結晶インゴットからウエハーを得る場合、直径不良のウエハーが発生し難くなる。従って、ウエハーの取得可能枚数を増大できるためウエハーの生産性が大幅に向上してコスト削減に寄与できる効果を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、ボイドのような欠陥のないタンタル酸リチウム単結晶の製造に適したルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法で融液から酸化物単結晶を育成するのに使用するイリジウムルツボであって、側面の板厚と底面の板厚をそれぞれｔ及びｔ’とした場合、ｔ>ｔ’であり、前記ｔ’値が0.5ｔ≦ｔ’≦0.95ｔ、前記ｔ値が1.5ｍｍ〜10.0mmであり、さらに前記イリジウムルツボの底面の形状が丸味を帯びていることが好ましい。。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の１．１倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 （もっと読む）

【課題】焦電性を抑制したタンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶からなるウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材と還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を重ね合わせて熱処理Ｄし、該熱処理による反応が平衡状態になるまで熱処理を行う製造方法であって、前記準備する還元剤の還元力を調整することにより前記熱処理後に得られるタンタル酸リチウム結晶の導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下、かつ導電性の結晶面内分布を均一となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Ｄすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下とする。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

リチウムに基づく出発基板から薄層を転写させる方法であって：１０％から８０％の割合で基板のリチウムイオンをプロトンで交換するために、この基板の遊離面を通り深さｅ１にわたる、この基板と酸である第１の電解質との間でのプロトン交換工程；第１の深さｅ１より浅い第２の深さｅ２にわたる、少なくとも実際にはすべてのプロトンをリチウムイオンで交換し、深さｅ１と深さｅ２との間に中間層を残すために、遊離面を通る、この基板と第２の電解質との間の逆プロトン交換工程であって、この中間層には、プロトン交換工程の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さｅ２が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する工程；中間層の脆化に好適な条件下で行われる熱処理工程；および中間層にて、基板の残存部分から薄膜を分離するのに好適な分離工程を含む、方法。
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【課題】焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材を準備し、該素材を塩化ナトリウム、塩化カリウムなどの金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬後、３１０℃以上、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を２０ｍｍ以下の距離で近接して、あるいは、重ね合わせて熱処理する。このとき、前記還元剤として、タンタル酸リチウム結晶をキュリー温度以上の温度で、かつ還元雰囲気下で熱処理することによって得られた多分極タンタル酸リチウムを用いる。この処理により、タンタル酸リチウム結晶の導電率が向上するとともに結晶面内で均一となるので、焦電性が抑制される。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、前記種子結晶１４が配置される前記るつぼ１１の外側に取り付けられた中空構造のキャップ１７と、前記中空構造を流れる冷媒の流量調整を行う手段とを含む温度制御手段を備える。前記キャップ１７の代わりに螺旋型のパイプを用いてもよい。前記温度制御手段は、前記種子結晶１４の近傍を局所的に冷却して温度制御するだけでなく、前記キャップ１７にヒータを内包させて、冷却と加熱の両方で温度制御することも可能である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の片側全面にＲｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板により構成された正電極板２が接触するように取り付け、かつ単結晶の他方側全面に負電極板３を取り付けると共に、これ等電極板間に電圧を印加した状態で、７００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で、１時間以上２０時間以下熱処理する。熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】従来法において困難であった高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】このタンタル酸リチウム基板の製造方法は、基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶を、Ｒｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板２と接触させ、８００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で３時間以上５０時間以下熱処理することを特徴とする。尚、熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）