【課題】 表面に形成されるエピタキシャル膜の特性を均一で良好にできるウェハの製造方法を提供することこと。
【解決手段】 表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するためのウェハ１０を製造するウェハの製造方法であって、表面１５Ａ及び裏面１５Ｂが平坦面に形成されたウェハ１５を準備する準備工程と、この準備工程にて準備されたウェハの表面に中央領域が突出する中央凸部１９を形成し、裏面に周辺領域が突出する周辺凸部２０を形成する凸部形成工程と、この凸部形成工程を経たウェハ１８の表面１８Ａ及び裏面１８Ｂに押圧力Fを作用して当該ウェハに歪を生じさせ、この状態で表面及び裏面を平面研削する研削工程とを有し、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状を有し、当該表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するための加熱処理時には平坦に変形するウェハ１０を製造するものである。 （もっと読む）

【課題】大口径の坩堝であっても低転位密度の結晶を育成することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】結晶育成用坩堝１は、種結晶を設置するための円筒状の先端部３と、結晶を育成するために先端部の上方に形成されていて先端部の径より大きい径を有する円筒状の直胴部５とを含む窒化ほう素製坩堝であって、先端部の厚みＴ１と直胴部の厚みＴ２とは０．１ｍｍ≦Ｔ２＜Ｔ１≦５ｍｍの条件を満たし、直胴部の内径Ｄ２と直胴部の長さＬ２とは１００ｍｍ＜Ｄ２および２＜Ｌ２／Ｄ２＜５の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 成長室内に滞りのない均等な流れを実現し、均一な成長膜厚分布を得ることを可能にする。成長室の内面への汚れ付着を防止し、メンテナンス時間を大幅に短縮する。【解決手段】 成長室１に、基板Ｓを載置する基板保持台４と、基板保持台４上の基板Ｓに原料ガスを供給する原料ガス導入口１１とを備え、加熱された基板Ｓ上で成膜を行う気相成長装置において、成長室１の側壁２０上部を円筒形状、下部を円錐台形状とし、成長室１内に原料ガス導入口１１の部分を除き上面を覆う蓋９と、円筒形状部２０Ｔの内側面に接する内筒管３とを設けて、内筒管３の内側面と基板保持台４の外側面との間に排気通路５、内筒管３の外側面と円錐台形状部２０Ｂの内側面との間に環状排気空間６を形成するとともに、内筒管３の下部に排気通路５から環状排気空間６へ排気ガスを放射状に流出させる複数の排気孔３Ｈを設け、環状排気空間６に排気口２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器８内に化合物半導体の種結晶１３と原料を収容し、加熱手段によって種結晶の一部と原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１７を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材１１を単結晶成長用容器の外周に配置し、原料融液の温度を降下させることによって結晶成長を進行させるとを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。補助加熱は、上昇させたコイル５または別のコイルによる誘導加熱、および／または治具１３の融液への浸漬により行われる。治具１３が融液に溶解可能であると、ヘテロエピタキシャル成長に必要な融液組成の調整機能も果たす。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を低下させることなく、引き上げ結晶の肩部形成時において、固液界面形状の安定化および平坦化を図ることで、結晶欠陥の原因となる転位の集合および多結晶化を防止する。
【解決手段】るつぼ内の種結晶の周囲を、頂部を平坦にした傘状の保温カバーで覆うことにより、肩部形成時において結晶の引上げ方向における肩部付近の温度変化を小さく抑えることができ、結晶の引上げ方向と垂直方向における肩部付近の温度変化も小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】常温のガスが炉内に入り、一時的にヒータ内周囲に較べヒータ外周囲の雰囲気ガスが温度低下しても、これに敏感に反応しない熱電対及び半導体結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＣ法による半導体結晶製造装置において、耐圧容器３０内に配置され原料融液を収容するルツボ５４の外周に該ルツボを囲んで設けられた円筒形のヒータ３８と、前記ヒータの内部に設けられた熱電対４０と、前記熱電対により計測される実測温度に基づいて前記ヒータ３８の温度を制御する温度制御系４１とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】低温でもアルシンを用いたＧａＡｓ系化合物半導体の成長を可能とする気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応管１０と、前記反応管に成長ガスを導入するガス導入管９と、前記反応管内に基板を設置する手段２と、前記基板を加熱する手段４を具備しエピタキシャル層を気相成長する装置において、前記反応管１０またはガス導入管９の少なくとも一方に、アルシンを分解する手段（電磁波を放射する手段１１）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で製造歩留りが向上する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶原料を収容するるつぼ１２の底部に支持軸１３を接合し、そのるつぼ１２の周囲にヒータ１４を配置し、そのヒータ１４でるつぼ１２内の原料を溶融加熱させ、かつるつぼを回転させて単結晶２０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、るつぼ１２の底部と支持軸１３との接合部３１に雰囲気ガスを流通させてるつぼ１２底部の温度低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】 炉内上部のガス対流の影響によるメインヒーターの加熱変動を抑止し、三酸化硼素とＧａＡｓ融液との間にある気泡を取り込まない半導体単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー９内に設けられた坩堝７と、坩堝７の外周に配置されたメインヒーター５と、坩堝７の下方に配置されたサブヒーター６と、メインヒーター５を制御するためのメインヒーター熱電対１１とを備えたＬＥＣ法による半導体単結晶製造装置１において、メインヒーター５の長さをＡとし、メインヒーター５の最下部からメインヒーター熱電対１１までの取り付け位置の距離をａとしたとき、上記距離ａの範囲が下式（１） ０≦ａ≦１／４ × Ａ ・・・（１）
を満たすことを特徴とする半導体単結晶製造装置１及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。
【解決手段】種結晶収納部１ａと、増径部１ｂと、結晶成長部１ｃとを有する結晶成長容器１を用い、該容器に原料融液を収納し、該容器底部の種結晶収納部１ａに予め配置した種結晶２より結晶成長を開始して、徐々に上方に結晶化を進行せしめ、ついには原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、成長結晶の（１００）面と、前記容器の増径部１ｂの上方方向の面（内壁）とのなす角を１４０°以上１８０°以下として成長する。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器１４内に化合物半導体の種結晶１５と原料を収容し、原料と種結晶の一部を加熱融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１８を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液の少なくとも一部を融液状態に保ったまま融点より低温にして、種結晶の未融解部分から融液側に向かって結晶成長を進行させる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により結晶径１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。
【解決手段】 ＬＥＣ法により結晶径が１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を８〜１２（ｒｐｍ）の範囲に定める。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法において結晶中に取り込まれる不活性ガスを軽減する化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 不活性ガス側から液体封止剤２を貫き原料融液３中に達するように、高温耐熱性物質からなる円筒材８を、引き上げる化合物半導体単結晶１の周囲に設置し、該円筒材８でるつぼ５と単結晶１との間における液体封止剤２及び原料融液３を内外の領域に仕切り、これにより単結晶成長中に取り込まれる不活性ガスの気泡を減らした環境下で、化合物半導体単結晶１を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体物質を溶解させた溶液中に発生する再結晶化物などの固形物を成長室に流入するのを防止して、異常成長を防止する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置は、基板４を格納して基板４に液相エピタキシャル成長させる成長室２と、半導体物質を溶解させた溶液６を格納する溶液室３と、溶液室３から成長室２に溶液６が流れる経路と、溶液６を溶液室３から前記経路を通して成長室２に送り込む溶液送り手段７、８とを有する成長ボート１を備える。さらに、溶液室３内に溶液６中に発生する結晶化した固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ仕切り板９を越流部１３に近接して設けている。 （もっと読む）

【課題】 液体封止チヨクラルスキー法（ＬＥＣ法）による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の固液界面形状の凹面化を無くすことで、多結晶化の発生を効果的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 成長結晶径よりも大きな内径を有する高温耐熱性物質からなる筒９を、引き上げる成長結晶２と同軸に設置し、その筒の一端を液体封止剤４中に浸漬し、他端を液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させることを前提とし、その液体封止剤４中にある一端の内径を、液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にある他端の内径よりも大きく設定した筒を用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】垂直温度勾配法あるいは垂直ブリッジマン法による結晶育成時に、原料結晶の融液が種結晶とルツボとの隙間に入り込まないようにして多結晶化、結晶性悪化を生じさせずにＧａＡｓ、ＩｎＰなどの良質な単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供。
【解決手段】その表面が予め空気中で高温に加熱処理して形成される酸化ホウ素薄膜で被覆された熱分解窒化ホウ素製のルツボを用いて垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン法によって化合物半導体単結晶を製造する方法において、ルツボ種結晶保持部に酸化ホウ素封止剤および種結晶を順次設置するとともに、ルツボ直胴部に原料結晶を設置し、かつ、その際、酸化ホウ素封止剤の使用量は、単結晶育成時に溶融する酸化ホウ素封止剤が種結晶を実質的に覆い、原料結晶の融液が種結晶とルツボ種結晶保持部とで形成される隙間に入り込むのを阻止するに十分な量とすることによって提供。 （もっと読む）

極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
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