【課題】 表面において所望の電気特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１０ａは、ｐ型の化合物半導体からなる基板１２と、基板１２の表面１２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法により結晶径が２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶８を製造する際に、単結晶製造中の結晶回転数を３〜８（ｒｐｍ）の範囲に定めるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において発生するスリップ転位や割れを防止できる半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】直径６インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを対象にし、ウエハの中心から０．９Ｒを超える外周部の転位密度をウエハの中心から０．９Ｒより内側に位置する中心部の転位密度の平均値の１．５倍以上にすると共に外周部の転位密度を１２０，０００個／ｃｍ^２以上にしている。 （もっと読む）

【課題】転位を低減した結晶を成長できる、結晶成長容器および結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器は、原料を加熱溶融した後、溶融した原料を一方向から凝固させることにより結晶を製造する結晶成長容器であって、先端部１１と、胴部１２とを備える。先端部１１は、種結晶９を配置する。胴部１２は、先端部１１と接続され、かつ先端部１１の径よりも大きな径を有するとともに、内部で原料８を加熱溶融する。先端部１１の底面１１ａの厚みＴ１１ａは、先端部１１の側面１１ｂの厚みＴ１１ｂよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】超音波散乱法における被検査物の欠陥評価の感度を向上させた半導体単結晶中の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】板状の半導体単結晶である被検査物に対して超音波を入射させ、被検査物内で散乱又は反射された超音波に基づいて、被検査物内の結晶欠陥の有無を測定する半導体単結晶中の欠陥検査方法において、被検査物に対して波長が６０μｍ以下、又は周波数が７８ＭＨｚ以上の超音波を、被検査物の表面に垂直な方向と超音波の入射方向のなす角が１０．０度以上１６．４度以下の範囲となるように入射させる方法である。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのエッチピット密度（ＥＰＤ）で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にＳｉドーパントを挟み込んで、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂとした。当該Ｓｉドーパントを挟み込む位置は、当該ＧａＡｓ化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂ、液体封止剤３２をるつぼに投入し、単結晶成長装置１にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット３３を得る。 （もっと読む）

【課題】双晶欠陥の発生を十分に抑制することが可能な単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼを提供する。
【解決手段】単結晶の製造方法は、るつぼ１内に種結晶を配置する工程と、るつぼ１内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ１内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。るつぼ１の内面には、深さ方向に延在する溝部１３が形成されている。そして、種結晶を配置する工程では、種結晶が、単結晶のファセットの発生方向に溝部１３が位置するようにるつぼ１内に配置される。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。 （もっと読む）

【課題】 高品質の焼結金属製品の製造や、結晶成長を行う事前作業として、原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスの除去を確実に行い、製品品質、結晶品質の改善を行う準備作業に関する。
【解決手段】 原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスを高真空下で除去し、さらに、高温不活性ガスで原材料を昇温し、原材料表面に吸着しているガス成分や、水分の再吸着を防止し、焼結製品品質、結晶品質の改善を行うことを目的とした焼結金属材料や結晶材料準備作業方法に関する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の抵抗値を再現性よく制御でき、歩留まりが向上する化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気中で、ルツボ内に収容した化合物半導体結晶の原料および封止材を、原料の融点以上に加熱して融解させると共に原料融液の温度を最高到達温度に保って原料融液上に融解した封止材の層を形成し、しかるのち、その封止材の層と原料融液の界面の温度を融点以下に下げ、かつ原料融液に種結晶を接触させると共にこれを引き上げて単結晶を得る化合物半導体結晶の製造方法において、最高到達温度及び／又は封止材の含有水分量を制御して、原料融液に含ませる炭素濃度を調整し、これにより、単結晶の炭素濃度を調整して単結晶の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３０ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満でありかつ比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が５０ｃｍ^-2未満であって硫黄濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって錫濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の基板を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満のシリコン濃度を有し、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満のシリコン濃度と、１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有する。また、ｎ型リン化インジウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の硫黄濃度を有し、または１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の錫濃度を有し、そして半絶縁性リン化インジウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の転位密度と１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有して鉄がドープされている。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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【課題】LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶６の製造装置であって、ルツボ９を収容するサセプタ１０を加熱するヒータ４、１２とサセプタ１０を回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタ１０を支持するリング状支持部材１４と、リング状支持部材１４を回転自在に保持するリング状架台１９と、リング状支持部材１４を回転駆動するための回転軸１１とを具備し、ヒータ１２がサセプタ１０の底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている。 （もっと読む）

【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）