【課題】液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ４によって支持されるルツボ３内に原料６及び液体封止剤７を収容する収容工程と、前記ルツボ３を加熱し、前記原料６及び液体封止剤７を融解する融解工程と、前記ルツボ３内の原料融液６に種結晶２を接触させ、前記種結晶２を引き上げて結晶成長させて化合物半導体結晶１０を得る結晶成長工程と、前記結晶成長工程の前に前記ルツボ３と前記サセプタ４との間に予め設けておいた熱量調整部１１の肉厚を、原料６及び液体封止剤７と接触していたルツボ３内周面の損耗量に応じて補正する補正工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶２の長さが液体封止剤融液７の厚みよりも長く、前記種結晶２において前記液体封止剤融液７に浸漬されない部分の位置が、前記液体封止剤融液７を加熱するヒータ８の発熱帯上端の位置よりも常に鉛直方向の上方に位置する。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】半導体融液を凝固させる過程での急激な温度変化を抑制して、双晶や多結晶の発生を抑止し、単結晶の半導体結晶を歩留り良く製造できる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】外周にヒータ５が配置されたサセプタ３内にルツボ２を収容し、ルツボ２の底面１３に種結晶１０を配置すると共にルツボ２内に半導体融液１４を収容し、半導体融液１４を種結晶１０と接触させた状態で、ヒータ５とルツボ２を相対的に移動させるか或いはヒータ５に上下方向の温度勾配を持たせると共にその温度勾配を維持したままヒータ５の温度を下降させて、種結晶１０側から上方に向けて徐冷して徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、サセプタ３側に、半導体融液１４の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する熱流制御部材１５を設ける方法である。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】 金属液滴を成長核として用いるナノワイヤ形成法において、隔絶のための薄膜の厚さ等の制限無くかつ方向の揃ったナノワイヤを安定的にかつ再現性よく製造する。
【解決手段】 半導体ナノワイヤ４４の製造方法であって、半導体から成る基板４２上に非結晶から成る薄膜４３を形成する工程と、薄膜４３上に金属液滴４１を形成する工程と、金属液滴４１を成長核として上記半導体から成る半導体ナノワイヤ４４を結晶成長する工程とを有し、薄膜４３は金属液滴４１と化学反応する材料から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ルツボの回転数と引上軸の引上速度とを適切に制御することにより、ウエハ取得枚数の歩留の向上を図ったＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスを充填したチャンバ２内に、ＧａＡｓ原料と封止剤としての三酸化硼素とを収納したルツボ５を設置する。ヒータ８によりルツボ５を加熱して、ルツボ５内にＧａＡｓ融液９を生成する。その後、ＧａＡｓ融液９に引上軸３の下端に取り付けた種結晶７を接触させ、ルツボ５を回転させながら種結晶７を引き上げてＧａＡｓ単結晶１０を製造する。このとき、ルツボ５の回転数ｎ〔ｒｐｍ〕と引上軸３の引上速度Ｖ〔ｍｍ／ｈ〕とが、２８≧ｎ≧５．８９ｅ^{０．０７Ｖ}を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な半導体結晶を再現性よく得ることにある。
【解決手段】結晶成長用のルツボ６を加熱するためのヒータ３を有する炉内にルツボ６を設置し、ルツボ６内に収容された半導体融液５をルツボ６の底部に設けられた種結晶１０と接触させ、半導体融液５を種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させて半導体結晶を製造する方法であって、ヒータ３からルツボ６への熱線を遮蔽するための熱線遮蔽治具４を徐々に上方に移動させ、熱線遮蔽治具４の移動に伴って半導体結晶１２の成長を進行させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。
【解決手段】
高分子フィルムを硼素と窒素を含む雰囲気で熱処理することにより窒化硼素（ＢＮ）に転化させてＢＮるつぼを製造する方法であり、より具体的には、高分子フィルムを硼素及び窒素を含むガス中で１２００℃〜２０００℃の温度で処理して少なくとも表面部が硼素及び窒素からなる中間体を生成させる第一の工程と、得られた中間体を２０００℃以上３０００℃以下の温度範囲で本焼成してＢＮるつぼを得る第二の工程とを含むＢＮるつぼの製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引き上げ速度と原料容器であるルツボの回転数の関係を最適化し、ウェハ取得枚数歩留を向上できるＧａＡｓ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内のＧａＡｓ融液に種結晶を接触させつつルツボを回転させながら種結晶を上方に引き上げてウェハサイズ１５０ｍｍ径のＧａＡｓ単結晶を成長させるＧａＡｓ単結晶製造方法において、ＧａＡｓ単結晶の引き上げ速度Ｖ（ｍｍ／ｈ）とルツボ回転数ｎ（ｒｐｍ）の関係が、３０≧ｎ≧６．０１ｅ^0.14V（ただし、ｅは自然対数の底）を満たすように結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部と種結晶との間にＢ_２Ｏ_３を充填することなく、種結晶配置部と種結晶との間への半導体融液の流入を再現性よく抑制することが可能な半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２内の底部に設けられた種結晶配置部２０内に種結晶４を配置し、ルツボ２内における種結晶４より上方を半導体融液３で満たし、半導体融液３を種結晶４側から鉛直方向上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、種結晶配置部２０の内壁面及び種結晶４の外側面に、鉛直方向上方から下方に向けて水平方向の径が徐々に小さくなるような傾斜面をそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法および垂直ブリッジマン（ＶＢ）法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】石英アンプル１内に、ＧａＡｓ原料５およびＢ₂Ｏ₃６を入れたるつぼ３と、蒸気圧制御用のＡｓ７と、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸素供給源８を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。
【解決手段】（１１１）面を有するIV族半導体基板と、前記（１１１）面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し；前記基板を低温熱処理して、前記（１１１）面を、（１１１）１×１面とし；前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記（１１１）面を、（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換し；前記IV族半導体基板の（１１１）面から前記開口部を通して、III−V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 （もっと読む）

【課題】ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。基板１の直径をｘ［ｍｍ］とするとき、基板１の裏面１ｂ側に施した面取り部３の長さＬが２ｍｍ以上０.１５
ｘ［ｍｍ］以下がよい。また、基板１を平坦面Ｐ上に表面１ａを上にして置いたとき、基板１と平坦面Ｐとの間にできる隙間の高さｈ１、奥行きｄ１が０.２ｍｍ以上がよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０はＧａＡｓであるか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つであって、単結晶である。半導体結晶５０のボロン濃度は、３×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。さらに、インゴットの固化率０．１〜０．８の領域にわたるカーボン濃度は、０．５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１．５×１０¹⁵ｃｍ^-3である。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ６内に、不純物を添加した半導体融液５を収容し、この半導体融液５をルツボ６の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶１０と接触させた状態で、ルツボ６を回転させながら、種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ６の回転速度を徐々に遅くするものである。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】高い平坦度が得られる半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の直径φを４５０ｍｍ、厚みｔを９００μｍ以上１１００μｍ以下とする。また、半導体ウェーハ１の局所的な平坦度を示すＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｉｔｅ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ｓｉｔｅ Ｒａｎｇｅ）を２５ｎｍ以下、全面の平坦度を示すＧＢＩＲ（Ｇｒｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ Ｒａｎｇｅ）を０．１μｍ以下とする。 （もっと読む）