極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
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【課題】垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。
【解決手段】種結晶載置部３ａ、増径部３ｂ及び定径部３ｃを有する成長容器を支持部材７により支持して加熱装置内に配置し単結晶を成長する垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の成長装置において、成長容器３の種結晶載置部３ａの側面を覆う覆い部材７ａを設置し、該覆い部材７ａの熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）と厚さｔ（ｍ）を１．０×１０^-3≦ｔ／λ≦１．０×１０^-2の関係を満たすように設定し、種結晶６の直径を５mm〜２５mmとする。 （もっと読む）

【課題】横型ｆａｃｅ−ｄｏｗｎ方式のＭＯＣＶＤ装置において、排気側からリアクタチャンバー内に反応ガスが逆流するのを防止し、安定な成長が可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置では、リアクタチャンバー４内にはサセプタ３が設置され、サセプタ３にウエハ１が成長面となる表面を下にしてセットされている。成長時には、反応ガスがリアクタチャンバー４の一方から導入され、ウエハ１の表面と平行な方向に流れた後、排気ポート６から外部に排出される。この間、センターパージユニット５からパージガスが導入され、ウエハ１の裏面に沿って流れ、排気ポート６から外部に排出される。チャンバー４内での反応ガス及びパージガスの経路は、それぞれ排気ポート６入口まで分流板７により分離されている。 （もっと読む）

【課題】プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶を成長させる基板３をサセプタ１に保持し、該基板３をサセプタ１に対して自転させ、サセプタ１を加熱し、加熱された基板３上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板３が自転で１回転する時間ｔの整数倍とする。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ融液中の酸化物の発生を抑止することが可能で、単結晶化率の高いＧａＡｓ単結晶製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー２内で加熱させるるつぼ５を有し、るつぼ５内のＧａＡｓ融液９ｓに種結晶７を接触させ、その種結晶７を回転させながら引き上げて単結晶１０を成長させるＧａＡｓ単結晶製造方法において、上記ＧａＡｓ融液９ｓよりも酸化物の生成自由エネルギーの低い元素１１をＧａＡｓ融液以外の場所に配置するＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ単結晶製造装置１である。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮなどの結晶の原料ガスとして原料酸化物と還元材との還元反応によって生成されたガスを用いる。
【解決手段】 酸化物原料と還元材との反応によって原料ガスを生成する還元反応部と、前記で生成された原料ガスと他の原料ガスとを反応させて結晶を生成し成長させる結晶成長反応部と、前記還元反応部および結晶成長反応部を内部に備える密閉反応容器１とを備え、還元反応部と前記結晶成長反応部とは、それぞれヒータ２ａ、２ｂなどによって独立して雰囲気温度が調整可能となっている。所望量の原料ガスを安価に安定して供給できる。結晶成長反応部では所望の結晶が効率よく生成・成長する。また、原料ガスの供給量を調整して、針状、羽毛状、板状、膜状の所望の形態の結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造において、ヒータの発熱領域長さと製造しようとする最終的な単結晶の結晶長さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上すること。
【解決手段】ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を引き上げ育成するに際し、ヒータの発熱部の上下方向長さをＬ、製造しようとする最終的な単結晶の上下方向長さをＴとしたとき、Ｔ／３≦Ｌ＜Ｔ／２の関係となるヒータを用いて製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 原料及び液体封止剤１９を入れたるつぼ１２を加熱して原料及び液体封止剤１９を融解し、融解した原料融液１８に接触させた種結晶１６を引き上げることにより、単結晶１７を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、
始めに、所定の初期引き上げ速度で単結晶１７の引き上げを行い、単結晶１７の体積がるつぼ内１２に投入した原料融液１８の体積の所定の割合に達した時点で、単結晶１７の引き上げ速度を減速することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内で合成したＧａＡｓをるつぼの下部から，浮上させること無く，上部に向って固化させていくことができるＧａＡｓ多結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】 略円筒形状のるつぼ内にＧａとＡｓと封止材を入れ，るつぼ内において，上方を封止材で封止した状態で，ＧａとＡｓを融解させてＧａＡｓを合成した後，るつぼ底面の均熱を保持しながら融解させたＧａＡｓをるつぼの下方から上方に向って固化させる。るつぼの下方から上方に向ってＧａＡｓを固化させるに際し，７℃／ｃｍ以上で上方に向って昇温する温度勾配をＧａＡｓの固液界面で形成させ，かつ，ＧａＡｓの固液界面の上昇速度を５ｍｍ／ｈｒ以上とする。 （もっと読む）

基盤及び／又はウェーハを処理することが出来る種類の装置用の支持システム（１）が説明され、前記システムは、実質的に平坦な底部を有する実質的に円柱形の座（１１）が中に形成される実質的に平坦な面を有する固定ベース要素（１０）と、そして実質的にデイスク形の形を有し、該座（１１）内部に収容され、該座（１１）の軸線の周りに回転出来て、そして基盤又はウェーハ用の少なくとも１つのキャビテイ（２１）を有した実質的に平坦な上側部と実質的に平坦な基底側部とを備えた可動支持要素（２０）とを具備しており、１つ以上のガス流れ用に１つ以上の通路（１２）が提供され、該通路（１２）は、該支持要素（２０）をリフトし回転させる様な仕方で、その軸線に対し傾斜し、好ましくはスキューするのがよい方向で該座（１１）内部に現れる。

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【課題】
【課題】本発明は、液相（４４）を凝固させることによって、単結晶の固相（４２）を製造する装置に関する。
【解決手段】その装置は、固相（４２）及び液相（４４）を収容するのに適し、その少なくとも一つの壁が液相と接触するように提供され、その固相は間隙（４３）によって分離されるるつぼ（４０）と、液相と固相との間の界面（４６）で温度勾配を作るために、液相を加熱する手段と、加熱手段とは別個であり、前記界面の位置で電磁圧を液相の接合表面（４８）に加えるための手段であって、るつぼを取り囲み、作動中に前記界面が形成されるエリアに向かい合って配置される少なくとも一つのターン（５０）を備える電磁界（５０）を発生させる手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 目的とする不純物分布や組成比の気相成長膜を再現性よく成長させる気相成長方法を提供する
【解決手段】 (a) 複数の原料ガス源１１，１２，１３と、(b) それぞれのガス源に一端が接続された複数の原料配管２１，２２，２３と、(c) それぞれの原料配管の他端が接続され、原料ガスを成長室６０と排気系７０に切り替える切り替えバルブ３１，３２，３３，４１，４２，４３とを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り替えバルブを介して原料ガスを成長室６０に導入することで気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法において、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なくとも１つの原料配管２１，２２，２３に流した後に気相成長を開始するものである。 （もっと読む）