【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体層を成長させる面方位をGaAs基板の(100)面から(110)面に最も近い方向に1.0°から2.0°微傾斜させたGaAs基板１０１上にカーボンドープする半導体層１０４を形成する化合物半導体基板の成長方法である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。又は、ドーパント７の一部が、事前に坩堝１に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体９に添加される。 （もっと読む）

【課題】 短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化して、その清浄化された坩堝を用いて化合物半導体結晶を育成する技術を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶育成用のｐＢＮ坩堝（１）の清浄化方法において、そのｐＢＮ坩堝の少なくとも内面をオゾン（５）による処理によって清浄化することを特徴としている。このように、オゾンの高い化学的反応性を利用することによって、短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化することができ、その清浄化された坩堝を用いて高品質の化合物半導体結晶を育成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

反応槽（２）、少なくとも一つの種（９）のための支持手段（３）、少なくとも一つの反応ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）燃焼ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）、および前記燃焼ガスの間に燃焼を誘発する手段から構成される、基材上に結晶を成長させるためのリアクター（１）。反応槽（２）の内部（２０）に設置された種（９）上の結晶成長は、少なくとも一つのガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスの間に燃焼を誘発し、および前記種（９）の上に生成した材料を堆積するステップから構成される。 （もっと読む）

本発明は半導体ナノ粒子に関する。本発明のナノ粒子は１以上のII、III、IV、VおよびVI族の単一元素または元素化合物を含む。ナノ粒子は1 nmないし500nmの範囲内のサイズを有し、および0.1ないし20原子百分率の酸素または水素を含む。ナノ粒子は一般的にバルク高純度シリコンの粉砕によって形成される。ナノ粒子の１つの応用例としては、活性層または半導体機器の構造を容易な印刷方法によって明確にするのに利用されるインクの調整がある。
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【課題】ＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の縦型結晶成長法において、結晶の種付け部から結晶成長最終部まで全域単結晶（Ａｌｌ Ｓｉｎｇｌｅ）となる確率を高め、かつ転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させるための、より簡便に製造でき、煩雑な設備を要さずに固液界面の形状制御を可能とするＰＢＮ製の化合物半導体単結晶成長用容器、およびその容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶収容部１ａと増径部（断面積増大部）１ｂと結晶成長部１ｃとを有し、その構成材料であるＰＢＮ板の厚さ方向に垂直な面で測定した（１００）面と（００２）面のＸ線回折積分強度比｛Ｉ_（002）／Ｉ_（100）}の値が、容器全体に渡り５０を超える熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製化合物半導体単結晶成長用容器を使用する。 （もっと読む）

【課題】安定した高い収率で化合物半導体単結晶を製造し得る技術を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造に用いられる縦型の熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）製容器１ｂは、溶融酸化硼素の液滴２ａが８０度以上１４０度未満の範囲内の接触角（θ）を生じる内壁を有する。この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、液体封止剤の直上の温度を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比の不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上することを可能にする。
【解決手段】 ＬＥＣ法における化合物半導体単結晶の製造中に、液体封止剤（三酸化硼素）直上の温度、より好ましくは液体封止剤の直上で且つ単結晶の表面近傍Ａにおける温度を測定し、測定された実際温度が目標とする所定温度範囲、例えば９００℃以上１０００℃以下に入るように規定することにより、固液界面を原料融液側に凸の最適な形状とし、多結晶化を防ぎ、単結晶収率を高める。 （もっと読む）

【課題】 急激な温度変化が与えられても、ウェハの両面において、デバイスを形成する領域にスリップラインが発生しない構造の化合物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体ウェハは、化合物半導体結晶を切断して得られる化合物半導体ウェハで、ウェハ両面におけるウェハ外周縁３からウェハ中心方向に向かって距離Ｄまでの領域が、転位密度が１００，０００ｃｍ^-2以上の高転位密度領域２となっているものである。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。
【解決手段】 ルツボ７からサセプター９のベース部９ａへの輻射熱を、サセプター９のベース部９ａの内側に設けた断熱材１０で遮断することにより、化合物半導体単結晶と原料融液の固液界面１２を原料融液側に凸面形状に維持し、かつ、その固液界面１２が成長中にルツボ７の底部に接触しないように固液界面１２の凸面形状のバランスをとる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー内の温度の揺らぎに原因して固液界面の形状が不安定になるのを防止し、ひいては結晶の多結晶化を防止するＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 引上軸１の周囲に、下端が引き上げ開始前にルツボ３上端よりも上側に在り、上端がチャンバー１２の上壁に接し又は上壁付近に位置し、かつチャンバー１２の上壁近傍の位置に排気口８を具備する熱誘導用筒状部材７を、引上軸１を取り巻くように設置し、単結晶２を引き上げる際に、この熱誘導用筒状部材７中を通して、下方の熱をチャンバー１２内の上部の温度の低い範囲へ効率よく誘導する。 （もっと読む）

本発明は、半導体顆粒の製造方法に関し、半導体粉末が焼結及び／又は融解される工程を有している。粉末は、ナノメートル及び／又はマイクロメートルのサイズである。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のＭｇ、Ｃａを効果的に除去する半導体ウェハの洗浄方法およびその方法で得られたウェハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 （もっと読む）

【課題】
Ｐを含有する半導体層とＡｓを含有する半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板であって、特性のばらつきの少ない化合物半導体素子を与える化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｖ族原子としてＰを含む半導体層および、該半導体層の直上に接合され、かつＶ族原子としてＡｓを含む半導体層を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、７７Ｋフォトルミネッセンス測定におけるスペクトルのうち、設計上のいずれの層のバンドギャップにも対応せず、かつピーク位置が波長８３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるピークの強度が、基板に由来するピークの強度の２倍以下であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】縦型温度傾斜法（ＶＧＦ法）や縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）等の縦型ボート法を用いてＳｉドープ型ＧａＡｓ単結晶を製造する際に、ＳｉがＧａＡｓ単結晶中に再現性良くドープされ、かつＳｉ濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるＳｉドープｎ型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器３内に設けたるつぼ４に種結晶５とＧａＡｓ原料を装入し、その上にＳｉ酸化物を予めドープした封止材（Ｂ₂Ｏ₃）８を置き、ヒーター１７で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液７からＧａＡｓ結晶６を晶出育成させる際、上記封止剤よりもＳｉ濃度が低い第２の封止剤９を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド１２を攪拌板１０で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体単結晶の育成に好ましい温度分布を形成することができかつヒータの寿命を伸ばし得る化合物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶の製造装置は、少なくとも一方端部に開放端をする反応管１と、その反応管の周囲で大気雰囲気下に配設された第１の加熱手段３と、反応管を密閉するようにその開放端に取付けられるフランジと、反応管内に設置されて半導体結晶の原料を収容するための坩堝２と、反応管の内壁と坩堝との間に第２の加熱手段１１とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ルツボ７の底壁外周部側の下方に、リング状のルツボ下ヒータ１０を設け、そのヒータ面をルツボ側壁７aの底部側に向けるために、水平面に対して傾斜させる。このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 （もっと読む）

不純物の密度を低減し、熱応力なく基板の電気特性の均一性を改善するための、複数のウェハを処理する装置および方法。ウェハは、化学処理され、封止された反応チューブにおいてヒ素過圧下で調整された温度プロフィールによりウェハを加熱するように加熱処理される。温度プロフィールは、封止された反応チューブを含む炉内のそれぞれのゾーンの温度を調整する。ウェハの不純物は、溶解され、ウェハの内部から外部へ外方拡散される。 （もっと読む）