【課題】インゴットの最終凝固部付近における多結晶化を抑制し、また最終凝固部付近における転位の発生を抑制する方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２０内の底部に配置した種結晶３０とルツボ２０内に収容した半導体融液１００とを接触させつつ、半導体融液１００を種結晶３０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、半導体融液１００上に液体封止材１１０と熱線透過抑制材１２０とを設け、液体封止材１１０には半導体融液１００内からの成分の揮発を抑制させ、熱線透過抑制材１２０には液体封止材１１０を介した半導体融液１００からの熱線の透過を抑制させる。 （もっと読む）

水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】引上げ法により結晶を成長させる際に、成長初期から成長完了までに亘って、結晶外径の制御性が良く、単結晶化率を向上させることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内に化合物半導体の原料と封止剤を投入し、その原料と封止剤を加熱して、原料を融液とすると共にその表面に液体封止剤を形成し、種結晶を前記融液に接触させて単結晶を成長させ、その単結晶を引き上げて化合物半導体単結晶を製造するに際し、単結晶を引き上げる過程において、成長開始時の引上速度を４ｍｍ／ｈ以下とし、その後、引上開始後の引上速度を徐々に増加させるものである。 （もっと読む）

【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）

【課題】単結晶表面からのＶ族元素の局所的な解離及びＩＩＩ族元素の液垂れを抑制する方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器１内に収容したるつぼ４に原料５と液体封止剤６とを収納して加熱し、種結晶７を原料融液９に接触させつつ種結晶７とるつぼ４とを相対的に移動させて単結晶１０を成長させるＬＥＣによる化合物半導体単結晶の製造方法において、液体封止剤６の上方に引き上げられた単結晶１０の外径が目標とする外径に到達した時の液体封止剤６の厚さをｈ（ｍｍ）、るつぼ４の内径をＤ１（ｍｍ）、目標とする外径をＤ２（ｍｍ）としたときに、０．１９≦ｈ／｛（Ｄ１−Ｄ２）／２｝≦０．５２の範囲になるようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱歪みを緩和してクラックを抑制することができる化合物半導体単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器２内にルツボ４とヒータ６を配置し、ルツボ４内の化合物原料融液３に種結晶８を接触させた後、ヒータ６の出力を調整しつつ種結晶８を上昇させることにより、種結晶８の下に結晶９を成長させる化合物半導体単結晶製造方法において、成長された結晶９の成長方向の温度勾配が−１５℃／ｃｍより緩やかとなるようにして結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ等の化合物単結晶において、単結晶から得られるウエハの取得歩留りを改善させる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容したルツボ５に原料と液体封止剤とを収納して加熱し、種結晶７を原料融液に接触させつつ回転させながら単結晶１０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、ルツボの内半径がｒ（ｍ）であるときに、種結晶の回転数を５．８ｅ^４．９ｒ（ｒｐｍ）以下とすることにより、成長中の単結晶固体と原料融液との界面（固液界面）を、その全面に亘って凸型面とする。 （もっと読む）

約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面内熱伝導率、および約２Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、１．８５ｇ／ｃｃ未満である。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法を提供することにあり、更には、転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＶＧＦ法による結晶成長炉１は、ルツボ２０内に収容した融液３４を、ルツボ２０の一端に設置された種結晶３０と接触させた状態で、ルツボの側面側及びルツボの開口部側から加熱することにより、少なくとも結晶成長中は、開口部側から加熱する温度を側面側から加熱する温度よりも高く保持して、種結晶３０側のルツボ２０の一端を、ルツボ２０の他端（ルツボ２０の開口部側）よりも低温に保持しつつ、融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側からルツボ２０の他端に向けて融液３４を徐々に固化させ、化合物半導体結晶の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶中のカーボン濃度の再現性が良好で、高濃度の酸化炭素ガスを発生させることが容易で、かつ炉外部から一酸化炭素ガスを供給する必要のないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】るつぼ１内に、ＧａＡｓ原料４および酸化ホウ素５が充填され、るつぼ１内で蒸発した酸化ホウ素５に起因したガス状物質と反応するように固体カーボン６が配置され、ＧａＡｓ原料４が加熱溶融された後に固化されて、カーボンが添加されたＧａＡｓ単結晶が形成される。ＧａＡｓ原料４にはるつぼ１内に充填される前に予めカーボンが添加されている。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術に従った方法の欠点を取り除く結晶化方法を提供すること。
【解決手段】材料を結晶化させるために、非晶質または多結晶材料の薄層（３）が、基板（１）の上部（２）の表面の少なくとも１つの領域上に堆積される。次いで、金属層（４）が薄層（３）の少なくとも１つの領域上に堆積される。次いで、熱処理（Ｆ２）が、薄層（３）の材料の結晶成長を可能にするように行われて、
・液体または過溶融液体状態が達成されるまでの、基板（１）の上部（２）の急速な温度上昇、および、
・基板（１）の上部（２）と薄層（３）の間の界面から薄層（３）と金属層（４）の間の界面への熱伝達、をもたらす。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に種結晶に加わる応力を緩和すると共に、種結晶、成長結晶、及びルツボの破損を防止して、低欠陥密度の半導体単結晶を再現性よく製造することのできる半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置を提供する。
【解決手段】半導体融液３２を収容したルツボ２０内の半導体融液３２の表面に、ルツボ２０又はルツボ２０に設置される支持部材により支持されている種結晶３０を接触させた状態で半導体融液３２の温度を降下させて、種結晶３０の側からルツボ２０の他端、すなわち、ルツボ２０の開口部と反対側のルツボ２０の底部に向けて半導体融液３２を徐々に固化させ、化合物半導体結晶を成長させる。このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の凹面化を抑制し、外形制御を容易にする。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器（高温炉１）内に収容したるつぼ３に、原料、液体封止剤を収容して加熱し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶８とるつぼを相対的に移動させて単結晶１５を成長させるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記るつぼ３以外の場所で加熱により軟化させた液体封止剤１３を、結晶成長中に前記るつぼ３に追加充填する。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置１７では、粒子線生成器３１は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口３１ａを有する。シャッタ装置３３では、シャッタ３５は粒子線生成器３１の開口３１ａの前方に位置し、回転軸３７は、シャッタ３５を支持しており所定の軸Ａｘに沿って延び、駆動機構３９は、回転軸３７を所定の軸Ａｘの回りに回転駆動する。シャッタ３５は、開口３１ａの位置に合わせて設けられた窓３５ａを有する。粒子線生成器３１からの粒子線は、窓３５ａを通して進み、或いは、シャッタ３５の遮蔽部３５ｂによって遮断される。矢印Ａｒｒｏｗの一方向のみにシャッタ３５を等角速度で回転させたとき、シャッタ３５の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓３５ａを介して軸Ｂｘに沿って供給される。 （もっと読む）

【課題】液体封止材を用いた単結晶引上法（ＬＥＣ法）において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＢＮ製のるつぼ３に、ＧａＡｓ多結晶、液体封止材として三酸化硼素を装入し、ヒータ４により加熱してＢ２Ｏ３、ＧａＡｓ多結晶原料および封止材を溶解させ、種結晶Ｓ先端と原料融液Ｌの接触面の温度を調整することにより結晶増径速度が２０ｍｍ／ｈ以内となるように種付け・増径をおこなう。増径後は結晶成長速度を６〜１２ｍｍ／ｈにして結晶径７５ｍｍ以上のＧａＡｓ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によってＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族単結晶等の半導体化合物を成長させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サポート・シリンダ２０５０は、統合されて封止されたアンプル４０００・るつぼ装置３０００を支持し、その一方で、サポート・シリンダ２０５０の内部の低密度断熱材２０６０が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料２０６０を貫通する輻射チャネル２０７０によって、シード・ウェル４０３０および結晶成長るつぼ３０００の移行領域３０２０に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】ウエハ歩留まりの低下や大口径化の妨げとなる半導体ウエハの割れを防止する半導体ウエハ装置を提供する。
【解決手段】第一の半導体ウエハ１と、第一の半導体ウエハ１と互いのヘキ開方向がずれた状態で、表面が第一の半導体ウエハ１裏面に貼り合わされる第二の半導体ウエハ２と、第二の半導体ウエハ２と互いのヘキ開方向がずれた状態で、表面が第二の半導体ウエハ２裏面に貼り合わされる第三の半導体ウエハ３とを備えた。これにより、半導体ウエハ装置は、ちょうど木目をずらせて何枚も貼り合わせたベニヤ板のように割れ難くなる。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｓ抜けを防止することで、結晶欠陥及び特性不良の少ないエピタキシャルウエハを製造するエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料溶液ホルダー２の底面を形成するスライダー３に、ＧａＡｓ基板４を保持する凹部５を形成し、その凹部５にＧａＡｓ基板４を保持させてエピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記凹部５にＧａＡｓ多結晶１０を入れ、成長時にそのＧａＡｓ多結晶１０のＡｓを昇華させつつ、エピタキシャル成長させる方法である。 （もっと読む）