【課題】 フォトメカニカル効果を示し、有機化合物とは異なる性質を有する全く新規なフォトメカニカル物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属ジチオナイト錯体からなる針状単結晶であり、光異性化反応により結晶形状変化を起こす。金属ジチオナイト錯体は、例えば下記式１で示される構造を有する。この構造の金属ジチオナイト錯体において、例えば置換基Ｒはｎ−ブチル基であり、金属原子Ｍはロジウムである。針状単結晶は、金属ジチオナイト錯体を合成した後、ジクロロメタンを含む混合溶媒から再結晶することにより得る。
【化１】
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【課題】膜成長性を適切に制御することができ、均質性および機能性を向上させた薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板２に滴下された薄膜形成材料を含む溶液の溶媒が揮発してなる結晶性薄膜５の形成方法であって、第１の溶液１を上記基板２の特定領域に滴下する第１の滴下工程と、第１の溶液１中に上記薄膜の成長核３が形成されるまで、第１の溶液１の溶媒を揮発させる第１の揮発工程と、第２の溶液４を上記特定領域に滴下して第１の溶液１と混合する第２の滴下工程と、第１の溶液１と第２の溶液４とが混合した溶液の溶媒を揮発させ、結晶性薄膜５を形成させる第２の揮発工程とを含んでおり、第１の滴下工程における第１の溶液１が含む上記薄膜形成材料の濃度は、第２の滴下工程における第２の溶液４が含む上記薄膜形成材料の濃度よりも低いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶から発生するテラヘルツ波の発生時間を向上させた有機光学単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】有機光学単結晶をアニーリング処理する。アニーリング処理は、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する。アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する。さらに、磁場を作用させた条件のもとで行う。また、有機光学単結晶として、スチルバゾリウム誘導体からなる結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。
【解決手段】メッシュ構造でモデル化したホットゾーンの各部材の物性値をコンピュータに入力し、各部材の表面温度分布をヒータ１９の発熱量及び各部材の輻射率に基づいて求める。上記各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて各部材の内部温度分布を求めた後に対流を考慮したシリコン融液１３の内部温度分布を求め、固液界面形状をシリコン単結晶２３の三重点を含む等温線に合せて求め、更に上記ステップを三重点がシリコン単結晶の融点になるまで繰返す。シリコン融液のメッシュを所定の範囲に限定し、乱流モデル式がｋｌ−乱流モデル式であり、このｋｌ−乱流モデル式中の乱流プラントル数がチューニングパラメータである。 （もっと読む）

【課題】ラフィノース結晶の製造において、従来行われてきた冷却結晶化法に比して、製造時間を短縮し且つ結晶粒径を自由に調整することのできる新しい結晶化方法を開発する。
【解決手段】蒸発結晶化法、例えばラフィノース含有液調製工程、ラフィノース含有液濃縮工程、種晶添加工程、減圧下での結晶成長工程、微細結晶の溶解工程、助晶工程、遠心分離（分蜜）によるラフィノース結晶回収工程からなる蒸発結晶化法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】材料が長時間高温の状態にさらされても分解や変質を生じない熱的安定性を有し、飽和溶液の温度低下を厳密に制御することができ、材料、特に有機半導体材料に適する単結晶薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】（１）第１温度で溶媒に溶けないで残る材料の固体７０を有する混合物６０を準備する工程、（２）熱伝導部材１０の少なくとも一部を混合物６０に浸す工程、（３）混合物６０を第１温度に保持する工程、及び（４）熱伝導部材１０の混合物６０に浸されていない部分の少なくとも一部を第２温度に保持する工程を含む材料の単結晶薄膜製造方法であり、混合物６０から、それに浸した熱伝導部材１０の少なくとも一部に、材料の単結晶薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】結晶同士の合体や、多結晶化を防止して、品質の高い結晶を得る有機物単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】有機物の過飽和溶液中に、金属製物体である白金線を配置して、過飽和溶液を冷却することにより、金属製物体である白金線の表面に優先的に有機物の結晶核が生成し、これを起点とした結晶成長が進行することから、結晶核の発生数の抑制、発生位置の特定および低過飽和度での結晶成長が可能となる有機物単結晶の形成方法。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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【課題】結晶性の優れた大型の有機単結晶の形成方法及びその有機単結晶を提供する。
【解決手段】有機単結晶４Ａを構成する有機物が溶解した溶液１中にゲル化剤２を投入することによりゲル３を形成し、ゲル３を冷却することにより有機物が過飽和となり、この有機物の結晶核４がゲル３の中に発生する。そして、ゲル３の中に形成された結晶核４から結晶成長が進行して、有機単結晶４Ａが形成される方法において、結晶の成長に最適なゲル３の性状を特定する。ゲルの振動による複素粘度を、温度２５℃、周波数１Ｈｚのときに０．２Ｐａ・ｓ以上６００Ｐａ・ｓ以下に調整することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 大面積の単結晶膜を得ることができるルブレン系化合物単結晶の製造方法及び有機半導体素子の製造方法並びに有機半導体素子を提供する。
【解決手段】 ルブレン系化合物単結晶膜を基板上に形成する際に、前記基板を１５０℃以上に保持すると共にこの基板上に前記ルブレン系化合物の気体を供給することにより当該基板上にルブレン系化合物の単結晶を成長させて単結晶膜を得る。 （もっと読む）

【課題】基板表面のダイマー列に直交する分子列を有する基板の提供。
【解決手段】少なくとも１つのダングリングボンドを含む水素終端基板上に、チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子を供給することにより、前記分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化された基板を製造する方法。表面に分子が固定化された基板。チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化されている。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 清浄な表面を有し安価に製造できるＤＡＳＴ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶媒Ａに溶解した溶液中でＤＡＳＴ結晶を育成する工程と、この育成した結晶を溶媒Ａと相溶性があり溶媒ＡよりもＤＡＳＴの溶解性が低く且つ溶媒Ａよりも蒸気圧が低い溶媒Ｂ中に結晶を乾燥させずに移行させて結晶表面に付着した溶媒Ａを除去する工程と、この溶媒Ｂに移行させた結晶を溶媒Ｂと相溶性がありＤＡＳＴを溶解しない溶媒Ｃに結晶を乾燥させずに移行させて結晶に付着した溶媒Ｂを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶成長方法による形状の良いＤＡＳＴ結晶の製造方法及び種結晶の植付け方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶解した溶液中で土台に植付けたＤＡＳＴの種結晶を育成してＤＡＳＴ結晶を得るＤＡＳＴ結晶の製造方法において、前記種結晶を、そのａ軸［１００］方向及びｂ軸［０１０］方向を含む面にほぼ一致する表面が土台の上面に対して略直交すると共に、当該表面の２辺が前記土台の上面に対して略平行となり且つ成長方向が前記土台の上面に対して上向きになるように植付けてＤＡＳＴ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 平面性の良いＤＡＳＴ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶媒に溶解した溶液中で核を発生させその核を当該溶液中で育成することによりＤＡＳＴ結晶を形成するＤＡＳＴ結晶の製造方法において、前記溶媒をメタノールとエタノールの混合溶媒とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の優れた大型の有機単結晶の形成方法及びその有機単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機単結晶を構成する有機物が溶解した溶液中から有機単結晶を育成する方法において、前記溶液中にゲル化剤を投入することによりゲルを形成し、ゲル中で結晶成長を行う。４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド−４−ニトロフェニルヒドラゾン、または（−）−４−（４’−ジメチルアミノフェニル）−２−（２−ヒドロキシプロピルアミノ）シクロブテン−３，４−ジオン等において好適に実施される。 （もっと読む）

【課題】 レーザー耐久性等の品質の良いＤＡＳＴ結晶が得られるＤＡＳＴ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶解した溶液中で核を発生させその核を当該溶液中で育成することによりＤＡＳＴ結晶を形成するＤＡＳＴ結晶の製造方法において、育成温度を核発生時よりも高い温度にする。 （もっと読む）