【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII−V族窒化物系半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固体基板上のＣＶＤリアクタとそのウェハ上にエピタキシャル層を蒸着させる装置のリアクタ・サイクルの低減と、構成部品の低コストおよび長寿命と、高精度の温度制御とを提供する。
【解決手段】リアクタ内にウェハ・キャリヤ１１０を装着し、装着位置と蒸着位置Ｄの間を移動する。蒸着位置では、ウェハ・キャリヤは、中間サセプタを必要とせずに、回転式スピンドル１２０の上端に取り外し可能に取り付けられる。リアクタは、単一ウェハまたは同時に複数のウェハを処理できる。１つの変形形態では、スピントルを通るウェハ支持アセンブリの熱放散の低減と、そのための新規の加熱機構。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りを低減可能な半導体装置の構造及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素(ＳｉＣ)膜を有する半導体基板を用いて製造される半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ１０上に炭化珪素膜を形成する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態を確認する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態に応じて定められる形状の溝１０７を炭化珪素膜に形成する工程とを含む。また、半導体ウエハ１０に一方向に延びる隆起状の反りがある場合には、溝１０７は、反りの延びる長手方向と略垂直に延びるスリット状の複数の溝１０７とする。 （もっと読む）

【課題】簡便に行え、基体の硬さや形状によらず、良好なダイヤモンド膜の形成を可能にする前処理、及びダイヤモンド膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体５にリード線１１を接続し、基体５を前処理液１３に浸漬する。前処理液１３は、微粒子を、電解質を濃度１Ｍで含む電解質溶液に懸濁させたものであり、微粒子の量は、電解質溶液１００ｍｌあたり、０．２５〜０．３５ｇである。次に、電源３を用い、基体５とルツボ９との間で通電し、電解処理を行う。通電は、交流または直流である。通電の条件は、交流の場合には、電圧１０Ｖ、周波数６０Ｈｚ、通電時間１分間であり、直流の場合には、電圧１２Ｖ、通電時間３０秒間である。その後、基体５の表面にダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル膜中の結晶欠陥を減少させて結晶品質を改善させたＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 （もっと読む）

【課題】テンプレート基板の種結晶膜上にIII 族金属窒化物単結晶を育成するのに際して、III 族金属窒化物単結晶のクラックや反りを抑制し、その生産性を向上させることである。
【解決手段】単結晶基板９と、この単結晶基板９の表面９ａに形成された種結晶膜１０とを備えているテンプレート基板８に、III 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。単結晶基板９の背面９ｂに、種結晶膜１０の劈開面に平行な方向と異なる方向Ａ（またはＢ）に向かって延びる凹部１１（または１２）を形成する。次いでIII 族金属窒化物単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】生成される気相成長膜による基板と支持部材の貼りつきを低減させる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０７と、チャンバ１０７内に原料ガスを供給する供給部１０８と、チャンバ１０７内に配置され、面１０３でウェハ１０１を載置し、面１０３におけるウェハ１０１の外縁部の直下となる位置に凹部１０４が形成された回転可能なホルダ１０２と、チャンバ１０１内から気相成長後の原料ガスを排気する排気部１０９とを備えることによって、ウェハ１０１とホルダ１０２に気相成長膜が生成されたとしても、それぞれに生成される気相成長膜が接触しないため、ウェハ１０１とホルダ１０２を固着させないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）

【課題】 気相成長中にウエーハが反っても高品質のエピタキシャルウエーハを生産することができる気相成長用サセプタ等を提供する。
【解決手段】 単結晶基板の表面にエピタキシャル層を気相成長し、エピタキシャルウエーハの製造を行う気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、少なくとも、前記ウエーハを載置するウエーハ載置面に曲率半径を有する凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面の曲率半径は、少なくとも、気相成長中のウエーハの表裏間の温度差及び前記単結晶基板と前記エピタキシャル層との間の格子不整合に基づいて計算で求められた前記気相成長中のウエーハの反りと一致している気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

本発明は、同じ寸法を有するバルクの単結晶シリコン構造よりも優れた熱消散特性を備えた複合構造を製造する方法に関し、該構造は、支持基板を備え、支持基板および上部層の間の上部層および酸化層を備えており、ａ）単結晶材料からなる上部層を設けること、ｂ）上記構造を得るために、高い熱消散特性を有する多結晶材料からなる支持基板を上部層に結合することであって、不活性ガス雰囲気又は還元雰囲気で、所定の温度で所定の継続期間、構造を熱処理して、酸化層の少なくとも一部を分解することによって熱消散特性を増大することを特徴とする。
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【課題】大面積のダイヤモンド基板を短時間、低コストで製造し、研磨時等における単結晶ダイヤモンド種基板の脱落を防止することを目的とする。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド種基板とシリコン基板が、ダイヤモンド層を介して接合されたダイヤモンド基板において、この断面構造がシリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板が配置されており、該単結晶ダイヤモンド種基板の上面の一部又は全部が傾斜しており、当該傾斜角が、１）底面と傾斜面が交わる一点と上面と対向する側面が交わる一点を結んだ直線と底面のなす角より大きく、２）９０°未満であることを特徴とするダイヤモンド基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体用途にも使用できる高品質なダイヤモンド単結晶基板を短時間でコストを下げて製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子含有量の異なる２つ以上の層からなり、少なくとも炭素原子に対する窒素原子含有量が０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層、及び５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である層を有し、かつ０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層より５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の層の窒素原子含有量が多いダイヤモンド単結晶基板であって、これらの層は気相合成法において窒素原子を含むガスの導入量を調整することにより形成される。 （もっと読む）

本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウェハの抵抗異常やノンドープ不良を回避できる気相成長用サセプター及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長用サセプター１は、黒鉛基材の表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素膜２，３が少なくとも２層以上被覆されており、前記炭化ケイ素膜３の最表層膜３ａが、純化処理されており、前記純化処理されている表面の不純物量が、すべての元素において１×１０^１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下である。また、気相成長用サセプター１の製造方法は、座ぐり凹部が形成された黒鉛基材の表面１ａに、ＣＶＤ法により炭化ケイ素膜を複数回被覆する炭化ケイ素膜被覆工程と、炭化ケイ素膜被覆工程において被覆された最表層の前記炭化ケイ素膜を、純化処理する最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とを有し、炭化ケイ素膜被覆工程と、最表層炭化ケイ素膜純化処理工程とが同一炉内で行われる。 （もっと読む）

特に単結晶シリコンからなる少なくとも１つの基板（３）および単結晶シリコンの覆い層シリコン（５）を有するタイプの電子および／または光電子デバイスを実現するのに適している半導体基板（１）について記載する。有利なことに、本発明によれば、半導体基板（１）は、使われた材料の差違に関連した欠陥を減らすのに適している少なくとも１つの機能的カップリング層（１０）を有している。特に、機能的カップリング層１０は、単結晶シリコンからなる層（５）に形成され前述の使われた材料の結晶格子の差違に関連した欠陥を減らすのに適した波形状または山谷形状の部分（６）を有している。他の実施形態として、機能的カップリング層（１０）は、単結晶シリコンからなる基板（３）および単結晶シリコンからなる層（５）の間に配置され、使われた材料の熱膨張率の差違によって生じたストレスを減らすのに適した多孔質層（４）を有している。前述の半導体基板の製造プロセスも記載されている。
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【課題】成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。
【解決手段】円筒形状のヒータ部材６の内部に、台座７ａとガイド部材７ｂとを有する円筒状の結晶成長容器７を配置する。このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。そして、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する温度で発熱する結晶成長温度領域６ａと、炭化珪素単結晶が析出する上限温度よりも高い温度で発熱する結晶未成長温度領域６ｂとを有するように、ヒータ部材６を発熱させる。この状態で、結晶成長容器７の一部１４がヒータ部材６の結晶未成長温度領域６ｂと接触した状態を維持するように一部１４をすり動かしながら、結晶成長容器７を引き上げて、種結晶１２上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置の反応室部材に付着したパーティクルのみを選択的に除去することで、ＳｉＣエピタキシャル膜の品質を改善することのできるＳｉＣエピタキシャル膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板を載置するステージと当該ＳｉＣ基板に対向する天板を昇温する工程、ＳｉＣエピタキシャル膜の成膜工程前に天板温度をエピタキシャル成長工程時の温度より一定時間高く保持する加熱工程、当該加熱工程中の高温保持時間内のクリーニング工程、前記ＳｉＣ基板が設置されたステージと天板との間の空間を水素ガスと成膜原料ガスを導入して該ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する工程、とを有し、前記クリーニング工程は、水素ガスによるエッチング工程であるＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いるＳｉＣ単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、気相成長装置内の汚染を抑え、被処理ウェーハおよびこれを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ上に成膜を行うための反応室１と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するためのヒータ２と、ウェーハを保持するための保持機構８と、反応室１上部に設けられ、保持機構８と接続され、ウェーハを回転させるための回転機構１１と、ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構１４、１５を備える。 （もっと読む）