【課題】酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルクリーニングを施したGa₂O₃基板部材を窒化処理してGa₂O₃基板部材の表面上に六方晶GaNからなる第１のバッファ層を形成し、第１のバッファ層の表面上に成長温度480〜520℃で六方晶GaNからなる第２のバッファ層を成長形成した後、第２のバッファ層の表面上に光デバイス用基板の表面層として成長温度650〜750℃で六方晶GaN層を成長形成する。 （もっと読む）

ＳＡＭチップを使用して、基板上に堆積させた自己組織化単分子層に酸化物パターンを画定することにより、改良されたチップ・パターニング型原子層堆積が提供される。酸化物パターンは、ＡＬＤパターンを直接的に画定することができる。もう１つの方法としては、（例えば化学的エッチングによって）前記酸化物パターンを除去することにより基板露出パターンを形成し、その基板露出パターンをＡＬＤパターンの画定に使用するようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高品質で、しかも均質なＣＶＤダイヤモンド膜を効率よく、経済速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】一桁ナノダイヤモンド粒子凝膠体を、ビーズミリングを行なって水性コロイドを作成し、水を除いてフレーク状とした後、非水系分散媒に再分散させて一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを製造し、前記一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを、インクジェットプリント原理を利用したパターニング装置を用いて、一桁ナノダイヤモンド粒子が一平方糎当たり２×１０１１以上の密度となるように基板上に種付けしたあと、真空加熱乾燥法又はマイクロ波照射により、非水系分散媒を除去し、続いて、一桁ナノダイヤモンド粒子を種として、ＣＶＤ法により基板上にダイヤモンド膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】冷却部が破損して冷却用の液体が漏れ出しても、装置内の急激な圧力上昇を抑制することのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０内に、その内部空間３１に種結晶３３が配置されるルツボ３０と、ルツボ３０の内部空間３１に下方からＳｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む混合ガスを供給するためのガス導入管５０と、ガス導入管５０の近傍であって混合ガスの供給経路を妨げない位置にルツボ３０とは離れて配置された冷却部７０とを備える炭化珪素単結晶の製造装置であって、混合ガスをルツボの内部空間に供給するための開口部がルツボ３０の底部に設けられ、また、冷却部７０とルツボ３０の内部空間３１との間に、冷却部７０から漏れ出た液体がルツボ３０の内部空間３１で飛散するのを遮る遮蔽部９０が、混合ガスの供給経路を除いて配置される。 （もっと読む）

【課題】結晶軸の揃った、ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る。
【解決手段】ａ面を主面とするサファイア基板に、ｃ面からのオフ角が４５度以下の側面を有する凸部を形成する。この後、トリメチルアルミニウムを３００〜４２０℃で供給して厚さ４０Å以下のアルミニウム層を形成し、窒化処理して窒化アルミニウム層とする。すると、ａ面を主面とするサファイア基板のうち、凸部のｃ面からのオフ角が４５度以下の側面のみからIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長が可能となる。こうして、サファイア基板の主面に平行にｍ面を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成できる。 （もっと読む）

【課題】硬度に優れた領域と潤滑性に優れた領域とを同一平面内に局在させて併せ持つことが可能なＤＬＣ膜を備えた金属部材を提供すること。
【解決手段】少なくとも鉄を含む金属基材１１上にＤＬＣ膜１２を配してなる金属部材１０であって、ＤＬＣ膜１２は、ラマンスペクトルにおいて、波数が１５５０〜１６００［ｃｍ^―１］の範囲に観測されるグラファイトに起因したピークを有し、前記ピークの強度が膜面内に複数異なって混在し、前記ピークの強度の最大と最小の差が１桁以上であること。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板と、その基板の上にＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第１の割り溝および第２の割り溝とを有し、該第１の割り溝および第２の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のＭ面とＡ面とがなす角を二等分する平面に平行である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするように構成している。また、カルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするために、結晶成長開始前にＺｎＯ系基板表面を酸素ラジカル、酸素プラズマ、オゾンのいずれかに接触させるようにしている。したがって、ＺｎＯ系基板表面の清浄化を高め、基板上に品質の良いＺｎＯ系薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。そのために本発明の窒化ガリウム層製造方法は、ベース基板を準備する工程と、ベース基板上に複数のＩｎリッチ領域を有する窒化物挿入層を第１温度で成長させる工程と、窒化物挿入層上に第１温度より高い第２温度で窒化ガリウム層を成長させて、第２成長によってＩｎリッチ領域で金属化が起きるようにして多数のボイド（ｖｏｉｄ）を形成する工程を含んで構成される。 （もっと読む）

内部スペースを有する加熱チャンバ内において半導体ウェハをサポートするバレルサセプタを提供する。各ウェハは、フロント面、バック面及び外周面を有する。サセプタは、本体の仮想の中心軸の周りに配置された複数の面を有する本体を含む。各面は、外面及び当該外面から本体に横方向内側へ延びる凹部を有する。各凹部は、各凹部を画定するリムにより囲まれている。さらに、サセプタは、上記本体から外側に延びる複数の棚部を備える。各棚部は、凹部の１つに配置され、凹部に受容された半導体ウェハをサポートする上方に向いたサポート面を含む。各サポート面は、各面の外面から離間されている。
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【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本窒化物結晶基板は、窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが０．３×１０^-3以上２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶で形成されており、直径が５０ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が固定サセプタ１１０に対向されているコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持されている。このため、小径のコイル部材１３０による加熱を大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用させることができるので、小径のコイル部材１３０で大径の回路基板を均一に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶インゴットの径を大きくできるようにすることで歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】原料ガス加熱容器８内に排気管９を配置することにより、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにしている。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長面の広範囲にわたって原料ガス１１を供給できるため、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０に対向されている複数のコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、固定サセプタ１１０に半径方向で分散された位置で複数が対向している。このため、複数の小径のコイル部材１３０による加熱が大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用するので、回路基板が大径でも均一に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】エピウエハを形成した場合に要求される反り以下になり、かつコストを低減できるＧａＮ基板の製造方法、エピウエハの製造方法、半導体素子の製造方法およびエピウエハを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０の半径をｒ（ｍ）、厚みをｔ１（ｍ）、エピウエハ２０が形成される前のＧａＮ基板の反りをｈ１（ｍ）、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層２１の厚みをｔ２ｍ、エピウエハの反りをｈ２ｍ、ＧａＮの格子定数をａ１、ＡｌＮの格子定数をａ２としたときに、（１．５×１０¹¹×ｔ１³＋１．２×１０¹¹×ｔ２³）×｛１／（１．５×１０¹¹×ｔ１）＋１／（１．２×１０¹¹×ｔ２）｝／｛１５．９６×ｘ×（１−ａ２／ａ１）｝×（ｔ１＋ｔ２）＋（ｔ１×ｔ２）／｛５．３２×ｘ×（１−ａ２／ａ１）｝−（ｒ²＋ｈ²）／２ｈ＝０により求められるｔ１の値をＧａＮ基板の最小厚みとし、この最小厚み以上４００μｍ未満の厚みのＧａＮ基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）

【課題】水平円盤型サセプタを使用し、エピタキシャル成長膜を形成する際に、ウェハーとサセプタに跨った貼り付き現象の発生を十分に防止することを可能とするエピタキシャル成長膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水平円盤型のサセプタ５上の略中央部に、前記サセプタ５よりも小径のウェハーＷをほぼ水平に収容し、前記ウェハーＷ上に気相成長膜を形成する方法であって、前記ウェハーＷの周縁部よりも内側の底面に隣接する円周状凹部段差と、前記サセプタ５の周縁部よりも内側の上面円周上に設けられた凸部と、を当接させて、前記ウェハーＷ上に気相成長膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シード層の結晶欠陥を低減し、良質なＳｉＣ基板を製造する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、絶縁層２０上にＳｉＣ層３０を備えた半導体基板１の製造方法である。支持基板１０上に絶縁層２０とＳｉ層５０とが順次形成されてなるベース基板１００のＳｉ層５０に、絶縁層２０を露出させる溝部４０を形成し、溝部４０によってＳｉ層５０を複数の島状のＳｉ部５５に区画するＳｉ部区画工程と、Ｓｉ部５５を炭化して島状のシード部６５を形成し、シード部６５からなるシード層６０を形成するシード層形成工程と、シード部６５をエピタキシャル成長させて島状のＳｉＣ部３５を形成し、ＳｉＣ部３５からなるＳｉＣ層３０を形成するＳｉＣ層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを１９００℃よりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記１９００℃よりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。 （もっと読む）