【課題】点欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下である炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板１−１の上に形成された単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の中には、二次元の正孔または電子チャンネル１−３が形成される。基板１−１の面方位と基板１−１の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｓ、ダイヤモンド薄膜１−２の面方位と単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｄ、チャンネル１−３の面方位とダイヤモンド薄膜１−２の結晶軸「００１」方向との成す角度をαｃとする。単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の表面上には、ソース電極１−４、ゲート電極１−５、ドレイン電極１−６が形成される。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率が低く、しかも、エピタキシャル成長工程等のウエハプロセスにおいて炭化珪素単結晶基板が１０００℃以上に晒されても、積層欠陥が殆ど発生することがない炭化珪素単結晶基板、および、この基板を用いて得た炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】体積抵抗率が０．００１Ωcm以上０．０１２Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であると共に、外周側面の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板、および、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ（炭化珪素）膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用し、膜厚均一性と品質の高い膜を実現する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置５０の成膜室１を、珪素ソースガスを含む第１の反応ガス２５用の第１のガス供給路４と、炭素ソースガスを含む第２の反応ガス２６用の第２のガス供給路１４と、半導体基板６の置かれる胴部３０より断面積の小さい頭部３１を有して成膜室１内壁を被うライナ２とから構成する。第１のガス供給路４は、内管と外管とからなって、先端が半導体基板６近傍まで延び、外管に水素ガスを供給しながら、内管に第１の反応ガス２５を供給できるようにする。そして、第２のガス供給路１４からライナ２の頭部３１に供給された第２の反応ガス２６を流下させ、第１の反応ガス２５と半導体基板６の表面で混合し、半導体基板６表面にＳｉＣ膜形成を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）による大面積の単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】化学蒸着によりダイヤモンド基体上にホモエピタキシャル成長したダイヤモンドを、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離すことにより得られる単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つそれら主表面と交差する転位を有している該ダイヤモンドプレートにおいて、主表面と交差する前記転位の密度が、５０／ｍｍ^２を超えておらず、そして、少なくとも１つの長さ寸法が１０ｍｍを超えている （もっと読む）

Ｎ極性を有する発光ダイオード（「ＬＥＤ」）および関連する製造方法が本明細書に開示される。一実施形態では、基板材料を有する基板上に発光ダイオードを形成するための方法は、基板の表面上に基板材料の窒化産物を形成することなく、基板の表面に少なくとも近接して、窒素リッチな環境を形成することを含む。本方法はまた、窒素リッチな環境を有する基板の表面上に、窒素極性を有するＬＥＤ構造を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】今まで固定されていた第三ゾーンの発熱体の位置を外部から可変できる可変温度勾配式マルチゾーン型電気炉を提供する。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、発熱体を有する加熱部を有する所謂内熱型の単結晶を合成する電気炉において発熱体が２個以上で構成される電気炉で、加熱源である発熱体の位置を外部から変えることにより、温度分布を変えることができる電気炉の構成とした。 （もっと読む）

【課題】表面に結晶粒界がない高配向ダイヤモンド膜を、一定の形状及び寸法で規則的に配列することができ、意図せぬ方位の結晶が発生しないようにした低コストの高配向ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（００１）オフ面基板上に、［１００］方向に成長するように、第１の高配向ダイヤモンド膜１を成長させる。次いで、格子状のマスク２を第１の高配向ダイヤモンド膜１上に形成し、その後、平坦化膜としての第２の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により成長させる。その後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】加熱容器内に落下するＳｉＣ多結晶の影響を抑制できるＳｉＣ単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】台座９に配置された種結晶５の下方から炭化珪素の原料ガス３を供給することにより、前記種結晶５の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１において、前記原料ガス３の加熱を行う加熱容器８を構成する中空円筒状部材の内壁面に、内径が前記台座の寸法よりも小さな円環状の受皿８ｄを備えた炭化珪素単結晶の製造装置であって、前記受皿８ｄを備えることにより、台座９の周囲等に形成され、ＳｉＣ多結晶で構成されるスラグの加熱容器８底部への落下、および、邪魔板８ｂへのスラグの溶着を防止することができる。このため、前記スラグがパーティクルの発生原因とはならず、また、原料ガス３の流動も阻害されない。 （もっと読む）

【課題】気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において半導体基板Ｗを載置する凹形状のザグリ１１を有する気相成長用サセプタ１０であって、少なくとも、ザグリ１１は底面１３と側壁１４とからなり、側壁１４は、周縁の一部に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状又は曲線状の断面形状を含む傾斜側壁１５が形成され、側壁１４の残りの周縁には、傾斜側壁１５が形成されていないものである気相成長用サセプタ１０。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子１０１は、砒素のような、ドーピングにより格子定数が増大するドーパントを濃度Ｃ１でドーピングしたｎ型炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１と同じドーパントを炭化珪素基板よりも小さい濃度Ｃ２でドーピングしたｎ型炭化珪素ドリフト層３と、炭化珪素基板１と炭化珪素ドリフト層３との間に、前記ドーパントをドーピングしたｎ型バッファ層とを有している。バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。
【解決手段】反応容器９の中空部９ｃの外周に、反応容器９の中心軸に沿って延びる第１導入通路９ｄを設け、反応容器９の側部９ｅに、第１導入通路９ｄと反応容器９の中空部９ｃとを接続する第１出口通路９ｉを設ける。そして、第１導入通路９ｄを介して第１出口通路９ｉから反応容器９の中空部９ｃに不活性ガス１５を流すことにより、反応容器９の内壁９ｍと台座１０との間を通過する原料ガス３を希釈する。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程（図１(ａ)）後、前記エピタキシャル膜の表面を酸化洗浄する酸化洗浄工程（図１(ｂ)）と、酸化洗浄工程後２４時間以内に、前記エピタキシャル膜の表面を研磨するエピ後研磨工程（図１(ｃ)）とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層厚さが厚くてもＳｉＣ結晶中にある炭素空孔を低減できるＳｉＣ結晶成長層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】用いるシリコン単結晶基板の導電型や添加元素に関わらず、ミスフィット転位の発生を抑制したシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶基板２と、該シリコン単結晶基板２の主表面上に気相成長によって形成されたシリコン単結晶薄膜３とからなるシリコンエピタキシャルウェーハ１であって、前記シリコン単結晶基板２の格子歪み量εを（（Ｘ線回析法で測定した前記シリコン単結晶基板２の格子定数―真性シリコンの格子定数）／真性シリコンの格子定数の絶対値）とし、前記シリコン単結晶薄膜３の厚さをｔμｍとした時、ｔ＜（５．０×１０^−４）×ε^―１．１を満たすものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）