【課題】歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。
【解決手段】基板および当該基板の上方の第一遷移本体を有する。前記第一遷移本体は、第一表面において第一の格子パラメータを有し、前記第一表面とは反対側の第二表面において第二の格子パラメータを有する。前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。前記第二遷移本体は２以上の遷移モジュールからなっていてもよく、各遷移モジュールは２以上の中間層を有していてもよい。前記第一遷移本体および前記第二遷移本体は前記半導体構造の歪みを減少させる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板にエピタキシャル膜を形成する際に生じる裏面が粗くなることを抑制することにより、炭化珪素単結晶ウエハの裏面の研磨によって生じる炭化珪素単結晶ウエハの品質の低下を抑制するとともに、工数を減少させることができる炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶ウエハの製造方法は、炭化珪素からなる主面３０ａを有するプレート３０の主面３０ａ上に基板１０を載置し、基板１０上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】主面の面積が大きく反りの小さいＧａＮ系膜を製造することが可能なＧａＮ系膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系膜の製造方法は、主面１１ｍ内の熱膨張係数が、ＧａＮ結晶のａ軸方向の熱膨脹係数に比べて、０．８倍より大きく１．２倍より小さい支持基板１１と、支持基板１１の主面１１ｍ側に配置されている単結晶膜１３と、を含み、単結晶膜１３が単結晶膜１３の主面１３ｍに垂直な軸に対して３回対称性を有する複合基板１０を準備する工程と、複合基板１０における単結晶膜１３の主面１３ｍ上にＧａＮ系膜２０を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子定数や歪などの情報も共通化させ、より結晶性の優れたモザイク状の単結晶を提供する。
【解決手段】種基板上に気相合成法によって単結晶ダイヤモンドを合成した後、その成長界面付近で種基板と成長層とを分離し、分離面が上面になるように配置して並べ、該２枚の基板上にダイヤモンドをエピタキシャル成長させて１枚の接合したダイヤモンド基板を作製する。さらに、上記で得た接合したダイヤモンド基板を種基板として利用し、２回、３回と同じ操作を繰り返すことによって、単結晶基板を大きくしてゆける。これにより、種結晶基板の結晶学的特徴を有する単位Ａ（種結晶の表面に由来）と、種結晶基板の結晶学的特徴と鏡像関係を有する単位Ｂ（成長層の分離面に由来）とがモザイク状に並んだ単結晶ダイヤモンド基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる複合基板を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向する第１の表面Ｔ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｔ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向する第２の表面Ｔ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｔ２をつなぎ、第１の側面Ｓ１との間に隙間ＧＰを形成する第２の側面Ｓ２とを有する。閉塞部２１は隙間ＧＰを閉塞している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応室内に載置された被処理基板にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において前記反応室内に設けられる部材に堆積したＳｉＣ膜を改質するために第１のガス（例えば塩素系ガス）を供給する改質工程と、前記改質工程において改質された堆積膜を除去するために前記第２のガス（例えばフッ素系ガス、酸化ガス、水素ガス）を供給する除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】所望の口径の結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶１３からＳｉＣ単結晶１４を成長させる際において、Ｘ線発生装置２１とイメージ管２２を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構１７により結晶１４のガイド部材６ａへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が１°以上６°以下の炭化珪素単結晶基板上に、ドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法であり、上記エピタキシャル膜が、０．５μｍ以下のドープ層と０．１μｍ以下のノンドープ層とを繰り返し成長させており、そのエピタキシャル成長において、ドープ層を形成する場合には材料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比(C/Si比)を１．５以上２．０以下とし、その時にドーピングガスである窒素を導入してドープ層とする。ノンドープ層を形成する場合にはC/Si比を０．５以上１．５未満とする。 （もっと読む）