【課題】下地基板に半導体膜が成膜されている構造体の下地基板から半導体膜を破損させることなく剥離させることができる剥離処理装置および方法を提供する。
【解決手段】剥離処理装置１００は、サファイア基板２１０が上側でＧａＮ膜２２０が下側の状態のサファイア／ＧａＮ構造体２００を基板支持部１２０で下面中央で下方から支持し、支持されたサファイア／ＧａＮ構造体２００を所定温度まで加熱し、加熱されているサファイア／ＧａＮ構造体２００に上方からレーザ光ＬＲを照射する。このため、加熱機構１３０の加熱によりサファイア／ＧａＮ構造体２００が下方に凹状に湾曲しても、その外縁部が処理装置本体１１０の内部底面に接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタの座ぐりの側面との固着による不良発生を低減して、ウェーハを上面から熱の反射、下面から高周波誘導によって加熱する機構を有するエピタキシャル成長装置に用いられるサセプタおよびエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１４の上面に、内部にウェーハ１６が配置される座ぐりが形成され、前記座ぐりの側面において、配置される前記ウェーハ１６の水平中心面３０より上部に相当する部分３２を、上方に向かって広がる傾斜面とする。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】バレル型気相成長装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写が抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させる気相成長方法であって、反応室内に複数枚の板状のサセプタが角錐台形状に設置され、該サセプタは表面にＳｉ膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタの外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部が形成されている気相成長装置の前記ザグリ部にウェーハを収容し、該ウェーハを外表面側から加熱して、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させ、その後冷却する際に、少なくとも気相成長温度より所定温度までは１００℃／分以下の降温速度で降温することを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体材料を用いた、発光特性に優れたナノ粒子蛍光体と、これを高い歩留りで製造出来る製造方法およびこれを用いた発光装置を提供すること。
【解決手段】直径が３ｎｍ以下の柱状結晶で構成される蛍光体であって、柱状結晶において発光領域と光吸収領域とが規定され、発光領域および光吸収領域は、柱状結晶の長手方向に隣接しており、発光領域は、蛍光体の長手方向において２つの光吸収領域に挟持されており、発光領域の呈する発光波長が４３０ｎｍより長波長であり、蛍光体の励起光の波長は２００〜４５０ｎｍであり、光吸収領域は、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）およびＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．１５）の少なくとも１つからなる蛍光体を提供する。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたＩＩＩ族窒化物材料からなる複数のピラー／アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および／または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー／アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、ベース基板上において核形成層をエピタキシャル成長させ、この核形成層を熱処理し、不連続なマスク層をエピタキシャル成長させることを含む。簡単に説明されるこの方法は、マスクし、消滅させ、および、融合させることによって欠陥を減少させることを促進し、それによって、小さい欠陥密度の半導体構造をもたらす。本発明は、広い範囲の半導体材料に適用されてもよく、元素半導体、例えば、ひずみＳｉ（ｓＳｉ）と組み合わせたＳｉ（シリコン）、および／または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、および、化合物半導体、例えば、ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料のいずれにも適用されてもよい。 （もっと読む）

本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【目的】形成されたＳｉＣ被膜を基材から割れを生じることなしに簡単に分離することができるＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法を提供する。
【構成】黒鉛基材を基材保持冶具に載置し、基材面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜した後、該ＳｉＣ被膜を黒鉛基材と分離してＳｉＣ単体膜を得る方法において、黒鉛基材として、所定の形状に成形した黒鉛材に、天然黒鉛粉と液状樹脂からなる混合物を塗布し、焼成して得られる脆弱層を形成してなる黒鉛基材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合に、シリコンウェーハ上に金属汚染の少ないエピタキシャル層を気相成長させることが可能となり、金属汚染レベルが低減されたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができ、製品品質レベル、生産性の向上を図ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、製品製造前に実際の製品製造条件のうちキャリアガス流量パージガス流量との比率を変更して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させ、該シリコンエピタキシャル層における金属汚染レベルを測定して、金属汚染レベルが相対的に低い範囲となる前記比率の条件を求め、求められた比率の範囲内の条件で製品となるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶基板中の、特に基底面転位（ＢＰＤ）密度を低減し、さらに、この低減に伴う基板表面の凹凸を平坦化できる炭化珪素半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】オフ角１度乃至８度の炭化珪素基板１上にエピタキシャル成長層を形成する際に、前記エピタキシャル成長に先立ち、前記炭化珪素基板のｔａｎオフ角以上の凹凸断面のアスペクト比を有する平行線状の凹凸を前記基板表面に形成した後、エピタキシャル成長層を形成する炭化珪素半導体基板の製造方法において、前記凹凸の高さが０．２５μｍ乃至５μｍである炭化珪素半導体基板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】サイズを低減させた装置、及びその作成方法を提供する。
【解決手段】装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

加熱ゾーンの長さに沿って所定の温度プロファイルを与えるために加熱ゾーンを加熱するように構成された単一のマルチゾーン・ヒータを有する結晶の気相成長用の装置。第１のリム８、第２のリム１２、および第１及び第２のリム８、１２を接続するリンク部を有するほぼＵ字状の管６が加熱ゾーンに配置される。第１のリム８は原材料１６を含む。原料と種１８との間に所定の温度差を与えるために原材料１６および種１８が加熱ゾーン内において長手方向に離間するように第２のリム１２は種１８を支持する。結晶は種１８上に成長される。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）