【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャルによって材料を堆積し、カラム（４）が連続層（５）を与えるように継続することからなる構造体を製造する方法。前記表面は、ナノメートルスケールのバンプ（３）の周期的なアレイを備え、各々のバンプ（３）は、支持領域（３５）を有し、前記バンプ（３）のアレイの周期（３８）を調整することができる、その結晶格子がねじれ角及び／又は傾斜角を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの結晶素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから得られる。前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、連続層（４０）がバンプの存在なしにエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さを有するように調整される。
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【解決手段】基板と、基板上に設けられ直接形成された中間層と、遷移領域と、遷移領域の延長部分として設けられ形成されたＩＩ−ＶＩ族のバルク結晶材料とを含む構造が開示されている。遷移領域は、下層の基板からバルク結晶へ構造を変化させるために働く。製造方法において、同様の技術が、遷移領域及びバルク結晶を成長させるために使用されることができる。 （もっと読む）

【課題】基板とダイヤモンド層との密着性を高め、ダイヤモンド層の剥離、基板の浸食を防ぎ、基板の大型化やダイヤモンド厚みの増加を容易にし、ダイヤモンド被覆電極として背面側からの給電を可能にし、電力効率の向上を目的とする。
【解決手段】本発明は、多孔質の絶縁体基板上に導電性ダイヤモンド層を形成した構造の複合基板であって、前記導電性ダイヤモンド層が前記多孔質絶縁体基板の片側表面の空孔を塞いでいて、前記多孔質絶縁体基板の他方側から金属を含浸させることによって、前記導電性ダイヤモンド層を形成した側の表面と反対側の表面が電気的に導通することを特徴とする複合基板である。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、低コストで効率的にマイクロパイプを閉塞させること。
【解決手段】マイクロパイプＭＰを有するＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１表面に露出したマイクロパイプＭＰの開口部における短径と該マイクロパイプＭＰを閉塞するＳｉＣエピタキシャル成長層２の層厚との相関関係を予め求めておく工程と、ＳｉＣ単結晶基板１表面に露出したマイクロパイプＭＰの開口部の中で最大の短径を調べる工程と、前記相関関係に最大の短径を対応させて決定した目標層厚でＳｉＣエピタキシャル成長層２を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、以下の（１）の転位集中領域、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。
（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセッ ト面から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面の斜面を維持 させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させること で、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域
（２）転位集中領域を除く領域である低転位領域 （もっと読む）

【課題】厚いエピタキシャル層を形成する場合でも、平坦性に優れ、かつ抵抗率の均一性にも優れたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハを容易にかつ低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、少なくとも、裏面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を用い、該基板の表面にシリコンからなるエピタキシャル層を成長させる工程と、スピンエッチャーを用い、前記シリコン基板を回転させるとともに該基板の裏面に、前記シリコン酸化膜よりもシリコンに対するエッチング速度が大きいエッチング液を供給することにより、前記エピタキシャル層の成長の際に前記基板の裏面及び面取り部に形成されたシリコンをエッチングして除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時の基板温度を間接測定するアッパパイロメータを比較的短時間にかつ正確に校正して、エピタキシャル基板の品質を向上する。
【解決手段】 温度校正用サセプタ１７に取付けた熱電対２６によりアッパパイロメータ２２を校正した後に、ロアパイロメータ２３の測定値をアッパパイロメータの校正値に一致させる。次にサンプル基板１２上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Ｔｘを間接測定する。更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。
この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】リーク不良を低減しうる炭化珪素基板およびそれを用いた縦型半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０をＳｉＣインゴットから切り出す際に、ＳｉＣ基板１０の主面をｂａｓａｌ面からオフさせて、かつ、転位列ＤＳＬの方向とエピタキシャル成長の際に生じるステップＳＴＰの方向とが実質的に一致しないように、平面視におけるオフ方向を設定して切り出す。これにより、ＳｉＣ基板１０上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどの縦型半導体装置において、転位列ＤＳＬの方向と、ステップＳＴＰの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボン材料を強固に固着できるナノカーボン材料積層用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド膜３上にナノカーボン材料を合成することによって、ダイヤモンド膜３とナノカーボン材料の結合部分の炭素が、ナノカーボン材料のｓｐ２混成軌道とダイヤモンド膜のｓｐ３混成軌道とが混合した混成軌道を形成し、ナノカーボン材料とダイヤモンド膜とが強固に結合する。ナノカーボン材料のダングリングボンドとダイヤモンド膜のダングリングボンドとが共有結合を形成することによっても強固に結合する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を低減することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 珪素基板１を反らせ、稜線が所定方向に向かうように、珪素基板１の（００１）面に列状の起伏２を形成する。珪素基板１の（００１）面上に立方晶炭化珪素をヘテロ成長させた後、珪素基板１を除去する。珪素基板１の主面が曲面状（特に、従来工程で発生する反りの形状に対応して、反りを打ち消すような形状）となっている状態で立方晶炭化珪素をヘテロ成長させることにより、珪素基板１を除去した後の立方晶炭化珪素には形状を平面状に変える力（反りと逆方向の力）が働くので、基板の反りの発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１１は、シリコン基板１２とシリコン基板１２の表面に成膜されたエピタキシャル層１３とを備える。エピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有される。エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０¹³〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³であり、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がエピタキシャル層の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板とエピタキシャル層の界面までの領域であることが好ましい。その製造方法は、原料ガスを反応容器に流通させ、その原料ガスの流通の全期間にわたって又は一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層１３の全部又は厚さ方向の一部に窒素を含有させる。 （もっと読む）

【課題】新たな熱処理プロセスの追加や熱処理条件の変更を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生を低減する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面全体を４〜１５ｎｍエッチングした後、そのシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を成長させる。ドープされた窒素濃度は０．５×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンドは炭素原子の間隔が狭くて他の元素が格子点を置換して浅いレベルのドナー、アクセプタを作るのが難しい。ドーピングの方法を工夫して低抵抗のｎ型、ｐ型のダイヤモンドを作ること。
【解決手段】 炭素原子５つ取りだした空孔に価電子数合計が１９になる４つの原子を入れることによってｐ型ダイヤモンドを作る。炭素原子５つ取りだした空孔に価電子数合計が１９になる４つの原子を入れることによってｎ型ダイヤモンドを作る。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で、且つ表面欠陥が少ない高品質な高配向性ダイヤモンド膜が得られる高配向性ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面が研磨された高配向性ダイヤモンド膜に対して、負のバイアス電圧を印加しながら、水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理する。又は、表面が研磨された高配向性ダイヤモンド膜に対して、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理した後、負のバイアス電圧を印加しながら、水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理し、更に、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理する。 （もっと読む）

本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためシステムであって、処理室の中に配置され、サセプタ（３）を支持することができる支持部材（２）と、持上げガスの流れによって支持部材（２）を持ち上げることができる手段（４）と、回転ガスの流れによって支持部材（２）を回転させることができる手段（５）とを備えるシステムに関する。
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