部材処理装置
【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が固定サセプタ１１０に対向されているコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持されている。このため、小径のコイル部材１３０による加熱を大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用させることができるので、小径のコイル部材１３０で大径の回路基板を均一に加熱することができる。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が固定サセプタ１１０に対向されているコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持されている。このため、小径のコイル部材１３０による加熱を大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用させることができるので、小径のコイル部材１３０で大径の回路基板を均一に加熱することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱対象部材を加熱する部材処理装置に関し、特に、気相成長法により加熱対象部材の表面に層膜を形成する部材処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、加熱対象部材であるシリコンウェハなどの回路基板の表面に層膜を気相成長法により形成することがあり、これに部材処理装置として気相成長装置が利用されている。
【０００３】
この気相成長装置は、例えば、導電材で形成されていて回路基板を支持する円盤状の対象支持部材と、対象支持部材を軸支している回転軸と、回転軸とともに対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、対象支持部材で支持された回路基板の表面に原料ガスを供給するガス供給機構と、所定の高周波磁束を発生して対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させる対象加熱機構と、を有する。
【０００４】
その対象加熱機構は、金属管を対象支持部材の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材を有する。
【０００５】
このような気相成長装置では、層膜を形成する回路基板が対象支持部材で支持され、この対象支持部材とともに回路基板が回転駆動され、この回転駆動される回路基板の表面にガス供給機構により原料ガスが供給される。
【０００６】
このとき、コイル部材に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、このコイル部材が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる対象支持部材が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される回路基板の表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【０００７】
なお、コイル部材は、上述のように高周波磁束の発生を目的としているが、このために高電圧の電力が印加されるので発熱する。そこで、この発熱を抑制するため、コイル部材を形成している金属管の内部に冷媒が流動されている。
【０００８】
従来の気相成長装置は、例えば、数百rpmの速度で対象支持部材を回転させ、１２００℃程度の温度まで対象支持部材の表面を発熱させている。現在、上述のような構造の気相成長装置として、各種の提案がある(例えば、特許文献１，２参照)。
【特許文献１】特開平１１−０９２２８０号公報
【特許文献２】特開平０７−０４５５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような気相成長装置では、コイル部材からなる対象加熱機構により導電材からなる対象支持部材を発熱させることで加熱対象部材である回路基板を加熱し、その表面に層膜を気相成長法により形成する。
【００１０】
現在では気相成長法により層膜を形成する回路基板が大型化する傾向にある。その場合、当然ながら対象支持部材と対象加熱機構も大径化する必要がある。しかし、前述のように対象加熱機構のコイル部材も高電圧の印加により発熱するため、コイル部材の大径化には限界がある。
【００１１】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱することができる構造の部材処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の部材処理装置は、加熱対象部材を加熱する部材処理装置であって、加熱対象部材を支持する円盤状の対象支持部材と、対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、対象支持部材より小径で加熱対象部材を加熱する対象加熱機構と、対象加熱機構を対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構と、を有する。
【００１３】
従って、本発明の部材処理装置では、回転駆動機構により回転駆動される円盤状の対象支持部材により加熱対象部材が支持され、この加熱対象部材が加熱配置機構により対象支持部材に対向されている対象加熱機構で加熱される。この対象加熱機構は対象支持部材より小径であるが、加熱配置機構により対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持されている。このため、対象支持部材に対して対象加熱機構の位置を変位させることができるので、小径の対象加熱機構による加熱を大径の対象支持部材や加熱対象部材に均一に作用させることができる。
【００１４】
また、本発明の部材処理装置において、加熱配置機構は、対象加熱機構を対象支持部材の半径方向に往復移動させてもよい。
【００１５】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材より小径で複数の対象加熱機構を有してもよい。
【００１６】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材の半径の略Ｎ分の一(Ｎは二以上の整数)の外形のＮ個の対象加熱機構を有してもよい。
【００１７】
また、本発明の部材処理装置において、加熱配置機構は、複数の対象加熱機構を対象支持部材の円周方向に分散された位置に配置してもよい。
【００１８】
また、本発明の部材処理装置において、対象加熱機構は、対象支持部材を発熱させることで加熱対象部材を加熱してもよい。
【００１９】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材は、導電材で形成されており、対象加熱機構は、所定の高周波磁束を発生して対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させてもよい。
【００２０】
また、本発明の部材処理装置において、加熱対象部材は、気相成長法により表面に層膜が形成される回路基板からなり、対象支持部材で支持された加熱対象部材の表面に原料ガスを供給するガス供給機構を、さらに有してもよい。
【００２１】
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の部材処理装置では、回転駆動機構により回転駆動される円盤状の対象支持部材により加熱対象部材が支持され、この加熱対象部材が加熱配置機構により対象支持部材に対向されている対象加熱機構で加熱される。この対象加熱機構は対象支持部材より小径であるが、加熱配置機構により対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持されている。このため、対象支持部材に対して対象加熱機構の位置を変位させることができるので、小径の対象加熱機構による加熱を大径の対象支持部材や加熱対象部材に均一に作用させることができる。従って、小径の対象加熱機構で大径の加熱対象部材を均一に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施の一形態を図１ないし図３を参照して以下に説明する。本実施の形態の部材処理装置１００は、加熱対象部材である回路基板ＣＢを加熱する。
【００２４】
このため、本実施の形態の部材処理装置１００は、図２に示すように、回路基板ＣＢを支持する円盤状の対象支持部材である固定サセプタ１１０と、固定サセプタ１１０を回転駆動する回転駆動機構である駆動モータ１２０と、固定サセプタ１１０より小径で回路基板ＣＢを加熱する対象加熱機構であるコイル部材１３０と、図１に示すように、コイル部材１３０を固定サセプタ１１０に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構１４０と、を有する。
【００２５】
より詳細には、本実施の形態の部材処理装置１００では、コイル部材１３０は、例えば、螺旋状に曲折された断面円形の金属管からなる。このコイル部材１３０には外部から所定の周波数で交流の電力が印加され、その金属管の内部には冷媒が流動される。
【００２６】
ただし、本実施の形態の部材処理装置１００では、固定サセプタ１１０の半径の略三分の一の外形の三個のコイル部材１３０を有する。そこで、加熱配置機構１４０は、三個のコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向と円周方向とに略三等分の位置に配置している。
【００２７】
なお、加熱配置機構１４０は、円筒状のコイル支持ベース１４１を有し、このコイル支持ベース１４１でコイル部材１３０が支持されている。コイル支持ベース１４１は、図２に示すように、円環状のベース支持部材１４２と固定ボルト１４３とで部材処理装置１００の処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００２８】
ただし、コイル部材１３０はコイル支持ベース１４１の軸心から偏心した形状に形成されている。このため、図１に示すように、コイル支持ベース１４１が回動されるとコイル部材１３０は固定サセプタ１１０の半径方向に変位する。
【００２９】
固定サセプタ１１０は、導電材で形成されており、コイル部材１３０は、所定の高周波磁束を発生して固定サセプタ１１０を渦電流の誘導で発熱させることで回路基板ＣＢを加熱する。
【００３０】
本実施の形態の部材処理装置１００は、回路基板ＣＢを直接に保持する円盤状の基板保持部材である移動サセプタ１１１も有し、この移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０に着脱自在に装着される。
【００３１】
固定サセプタ１１０は、上面の所定位置に凹穴が形成されており、移動サセプタ１１１は、固定サセプタ１１０の凹穴に係合する係合ピン１１２が下面に装着されている。このため、固定サセプタ１１０は、回路基板ＣＢを間接的に保持する。
【００３２】
なお、固定サセプタ１１０と駆動モータ１２０とを連結している回転軸１１３，１２１は、駆動モータ１２０の回転軸１２１と、固定サセプタ１１０に一体の回転軸１１３からなる。この固定サセプタ１１０および回転軸１１３は、例えば、導電材である黒鉛で形成されており、その表面は熱分解性窒化硼素でコーティングされている。
【００３３】
なお、コイル部材１３０と固定サセプタ１１０とは隔壁１０２を介して対向しているが、この隔壁１０２は高周波磁束を最小限の減衰で透過する絶縁材からなる。さらに、固定サセプタ１１０と対向する隔壁１０２の上面には、やはり絶縁材からなる遮熱板１０３が設置されている。
【００３４】
なお、本実施の形態の部材処理装置１００は、例えば、気相成長装置であるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置であり、気相成長法により回路基板ＣＢの表面に層膜(図示せず)を形成する。
【００３５】
このため、部材処理装置１００は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に原料ガスを供給するガス供給機構１５０も有する。このため、ガス供給機構１５０は、処理装置本体１０１の上部に配置されている。
【００３６】
この処理装置本体１０１の下部には、排気口(図示せず)が形成されている。ガス供給機構１５０は、内部が複数に区分されており、例えば、III族やＶ族の原料ガスを押圧ガスとともに下方に噴射する。
【００３７】
上述のような構成において、本実施の形態の部材処理装置１００では、層膜を形成する回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して固定サセプタ１１０で支持される。この固定サセプタ１１０とともに回路基板ＣＢが駆動モータ１２０により回転駆動され、この回転駆動される回路基板ＣＢの表面にガス供給機構１５０により原料ガスが供給される。
【００３８】
このとき、三個のコイル部材１３０に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、これら三個のコイル部材１３０が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる固定サセプタ１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される回路基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【００３９】
ただし、図１および図３(ａ)に示すように、コイル部材１３０は外形が固定サセプタ１１０の半径の略三分の一しかない。このため、図３(ｂ)に示すように、コイル部材１３０は、個々には固定サセプタ１１０を半径方向で三分の一ほどしか発熱させることができない。
【００４０】
しかし、本実施の形態の部材処理装置１００では、図１に示すように、固定サセプタ１１０の半径の略三分の一の外形の三個のコイル部材１３０が、固定サセプタ１１０の半径方向に略三等分の位置に配置されている。
【００４１】
このため、図３(ｃ)に示すように、三個の小径のコイル部材１３０による加熱が大径の固定サセプタ１１０に均一に作用する。従って、回路基板ＣＢが大径でも均一に加熱することができ、大径の回路基板ＣＢの表面に均質に層膜を形成することができる。
【００４２】
しかも、三個のコイル部材１３０は固定サセプタ１１０の円周方向にも略三等分の位置に配置されている。このため、固定サセプタ１１０は全面が時分割にも均等に発熱することになる。従って、回路基板ＣＢが大径でも均一に加熱して層膜を均質に形成することができる。
【００４３】
特に、本実施の形態の部材処理装置１００は、固定サセプタ１１０の半径の略Ｎ分の一の外形のＮ個のコイル部材１３０を有し、Ｎ個のコイル部材１３０が固定サセプタ１１０の半径方向に略Ｎ等分の位置に配置されている。このため、必要最小限の個数およびサイズのコイル部材１３０で、大径の固定サセプタ１１０を均等に発熱させることができる。
【００４４】
しかも、固定サセプタ１１０の上面には回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して支持される。このため、固定サセプタ１１０の発熱は移動サセプタ１１１を介して回路基板ＣＢまで伝導する。
【００４５】
この伝導によっても発熱の不均一性が改善されるので、回路基板ＣＢを良好に均一に加熱することができる。また、上述のように固定サセプタ１１０に回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して着脱自在に装着されるので、回路基板ＣＢの交換も容易である。
【００４６】
なお、本実施の形態の部材処理装置１００では、上述のようにコイル部材１３０が発生する高周波磁束により渦電流が誘導されることで固定サセプタ１１０が発熱する。しかし、回転軸１１３が位置するために固定サセプタ１１０の中央にコイル部材１３０を対向させることはできない。
【００４７】
このため、固定サセプタ１１０の中央は良好に発熱しない懸念がある。しかし、本実施の形態の部材処理装置１００では、固定サセプタ１１０に連結されていてコイル部材１３０に対向している回転軸１１３も導電材で形成されている。
【００４８】
このため、この回転軸１１３もコイル部材１３０が発生する高周波磁束で発熱することになり、図４に示すように、その熱伝導により固定サセプタ１１０の中央も良好に発熱する。
【００４９】
特に、回転軸１１３と固定サセプタ１１０とが一体に形成されている。このため、回転軸１１３の発熱が固定サセプタ１１０の中央に良好な効率で伝導する。従って、固定サセプタ１１０は、上面の略全域が均等に発熱することになる。
【００５０】
従って、回路基板ＣＢを均一に加熱することができ、層膜を良好な品質で形成することができる。このため、移動サセプタ１１１の盤面に大径の一枚の回路基板ＣＢを設置した場合でも、その回路基板ＣＢを均一に加熱して盤面の全域に層膜を均質に形成することができる。
【００５１】
なお、高周波磁束の発生を目的としたコイル部材１３０は発熱する必要がないが、電力印加により自己発熱するので、内部に冷却水が流動されることで水冷されている。そして、上述のようにコイル部材１３０は固定サセプタ１１０に比較して大幅に小径なので、その流量長が大幅に削減されており、水冷の効果が極めて良好である。
【００５２】
また、本実施の形態の部材処理装置１００では、加熱配置機構１４０がコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持している。このため、例えば、移動サセプタ１１１の交換により小径の回路基板ＣＢを固定サセプタ１１０の半径方向の特定位置に配置した場合でも、これに対応してコイル部材１３０の位置を調整するようなことができる。
【００５３】
このため、固定サセプタ１１０の必要な位置のみ均一に発熱させ、無用な位置を発熱させないことにより、小径の回路基板ＣＢに均質な層膜を省電力に形成するようなことができる。
【００５４】
なお、加熱配置機構１４０は、図２に示すように、コイル部材１３０を支持している円筒状のコイル支持ベース１４１を有し、このコイル支持ベース１４１が円環状のベース支持部材１４２と固定ボルト１４３とで部材処理装置１００の処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００５５】
このため、固定ボルト１４３による締結を緩めてコイル支持ベース１４１を回動させることで、簡単にコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させることができる。
【００５６】
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では、加熱配置機構１４０が手動操作によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させる構造に形成されていることを例示した。
【００５７】
しかし、図５に示すように、加熱配置機構１６０が、駆動源であるサーボモータ１６１の動力によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させてもよい。より詳細には、この加熱配置機構１６０では、コイル部材１３０を支持している円筒状のコイル支持ベース１６２が、軸受１６３により処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００５８】
コイル支持ベース１６２の下部外周にはスパーギヤ１６４が一体に形成されており、このスパーギヤ１６４と歯合しているスパーギヤ１６５がサーボモータ１６１に装着されている。この部材処理装置(図示せず)では、サーボモータ１６１の動力によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させることができる。
【００５９】
なお、このような部材処理装置では、例えば、固定サセプタ１１０を回転駆動して回路基板ＣＢの表面に層膜を形成しているときに、コイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に往復移動させることもできる。この場合、固定サセプタ１１０の発熱温度を動的に均等化させることができるので、より均質に回路基板ＣＢに層膜を形成するようなことができる。
【００６０】
また、上記形態では固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で回路基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１５０は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給し、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、回転軸１１３は、コイル部材１３０の中心空間を経由して固定サセプタ１１０を下方から軸支していることを例示した。
【００６１】
しかし、図６に例示する部材処理装置２００のように、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で回路基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１５０は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給し、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を上方から軸支してもよい。
【００６２】
なお、この部材処理装置２００では、前述のように係合ピン１１２による係合では移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０から落下するので、ボルト２１２で移動サセプタ１１１を固定サセプタ１１０に保持させることがよい。
【００６３】
このような部材処理装置２００では、移動サセプタ１１１の交換の容易性は阻害される。しかし、回路基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。
【００６４】
また、上記形態では複数のコイル部材１３０が配置されている中心に回転軸１１３が挿通されていることを例示した。しかし、図７に例示する部材処理装置３００のように、複数のコイル部材１３０が配置されている中心にガス供給機構１５０のガス誘導管３１０が挿通されていてもよい。
【００６５】
より詳細には、この部材処理装置３００では、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で回路基板ＣＢを支持し、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を上方から軸支している。
【００６６】
コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、ガス供給機構１５０は、コイル部材１３０の中心空間に挿通されているガス誘導管３１０で回路基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給する。
【００６７】
この部材処理装置３００も、回路基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。さらに、加熱されている回路基板ＣＢの表面に原料ガスが下方から供給されるので、回路基板ＣＢの表面に到達する以前に原料ガスが反応することを有効に防止することができる。
【００６８】
なお、上述の部材処理装置３００を上下逆様とすることにより、固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で回路基板ＣＢを支持し、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を下方から軸支しており、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、ガス供給機構１５０は、コイル部材１３０の中心空間に挿通されているガス誘導管３１０で回路基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給する、部材処理装置(図示せず)も実現することができる。
【００６９】
また、上記形態では円盤状の固定サセプタ１１０の表面に円盤状の移動サセプタ１１１を着脱自在に装着することで、回路基板ＣＢの加熱の不均一性を改善することを例示した。
【００７０】
しかし、移動サセプタ１１１と固定サセプタ１１０との相互に当接する盤面の少なくとも一方に所定形状の凹部を形成することにより(図示せず)、この凹部で熱伝導を制御し、より良好に回路基板ＣＢの加熱の不均一性を改善してもよい。
【００７１】
さらに、上記形態ではコイル部材１３０が一般的な断面円形の金属管からなることを想定した。しかし、図８に示すように、水平な円盤状のコイル部材１７０が、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状の金属管１７１で形成されていてもよい。
【００７２】
この場合、コイル部材１７０を形成している金属管１７１の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の一般的な金属管からなる従来のコイル部材に比較して、その表面積が大幅に増加する。
【００７３】
従って、コイル部材１７０の表面電位を上昇させることなく通電する電流量を増加させることができるので、コイル部材１７０から発生する高周波磁束の密度を増加させることができる。このため、この高周波磁束により固定サセプタ１１０を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができ、より良質な層膜を高速に回路基板ＣＢに形成することができる。
【００７４】
特に、コイル部材１７０の金属管１７１は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている。このため、固定サセプタ１１０と対向するコイル部材１７０の上面の面積に比較して、金属管１７１の表面積が増大している。従って、さらに良好に固定サセプタ１１０を高温に高速に発熱させることができ、さらに良質な層膜を高速に回路基板ＣＢに形成することができる。
【００７５】
また、上記形態では対象加熱機構がコイル部材１３０からなり、導電材からなる固定サセプタ１１０を渦電流の誘導で発熱させることで、加熱対象部材である回路基板ＣＢを加熱することを例示した。しかし、対象加熱機構が一般的なヒータデバイスからなってもよい(図示せず)。
【００７６】
さらに、上記形態では固定サセプタ１１０に連結されていてコイル部材１３０に対向している回転軸１１３も導電材で形成されていることにより、コイル部材１３０が対向しない固定サセプタ１１０の中央も良好に発熱することを例示した。しかし、回転軸１１３が導電性で発熱することは必須ではない。
【００７７】
また、上記形態では三個のコイル部材１３０が固定サセプタ１１０の半径方向と円周方向とで略三等分の位置に配置されていることを例示した。しかし、このような個数や配置は各種に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態の部材処理装置の要部を示す模式的な平面図である。
【図２】部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図３】複数の対象加熱機構であるコイル部材と温度との関係を示す模式図である。
【図４】複数のコイル部材と温度との関係を示す模式図である。
【図５】一変形例の加熱配置機構の内部構造を示す縦断正面図である。
【図６】他の変形例の部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図７】さらに他の変形例の部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図８】さらに他の変形例のコイル部材を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００ 部材処理装置
１０１ 処理装置本体
１０２ 隔壁
１０３ 遮熱板
１１０ 固定サセプタ
１１１ 移動サセプタ
１１２ 係合ピン
１１３ 回転軸
１２０ 駆動モータ
１２１ 回転軸
１３０ コイル部材
１４０ 加熱配置機構
１４１ コイル支持ベース
１４２ ベース支持部材
１４３ 固定ボルト
１５０ ガス供給機構
１６０ 加熱配置機構
１６１ サーボモータ
１６２ コイル支持ベース
１６３ 軸受
１６４ スパーギヤ
１６５ スパーギヤ
１７０ コイル部材
１７１ 金属管
２００ 部材処理装置
２１２ ボルト
３００ 部材処理装置
３１０ ガス誘導管
ＣＢ 回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱対象部材を加熱する部材処理装置に関し、特に、気相成長法により加熱対象部材の表面に層膜を形成する部材処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、加熱対象部材であるシリコンウェハなどの回路基板の表面に層膜を気相成長法により形成することがあり、これに部材処理装置として気相成長装置が利用されている。
【０００３】
この気相成長装置は、例えば、導電材で形成されていて回路基板を支持する円盤状の対象支持部材と、対象支持部材を軸支している回転軸と、回転軸とともに対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、対象支持部材で支持された回路基板の表面に原料ガスを供給するガス供給機構と、所定の高周波磁束を発生して対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させる対象加熱機構と、を有する。
【０００４】
その対象加熱機構は、金属管を対象支持部材の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材を有する。
【０００５】
このような気相成長装置では、層膜を形成する回路基板が対象支持部材で支持され、この対象支持部材とともに回路基板が回転駆動され、この回転駆動される回路基板の表面にガス供給機構により原料ガスが供給される。
【０００６】
このとき、コイル部材に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、このコイル部材が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる対象支持部材が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される回路基板の表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【０００７】
なお、コイル部材は、上述のように高周波磁束の発生を目的としているが、このために高電圧の電力が印加されるので発熱する。そこで、この発熱を抑制するため、コイル部材を形成している金属管の内部に冷媒が流動されている。
【０００８】
従来の気相成長装置は、例えば、数百rpmの速度で対象支持部材を回転させ、１２００℃程度の温度まで対象支持部材の表面を発熱させている。現在、上述のような構造の気相成長装置として、各種の提案がある(例えば、特許文献１，２参照)。
【特許文献１】特開平１１−０９２２８０号公報
【特許文献２】特開平０７−０４５５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような気相成長装置では、コイル部材からなる対象加熱機構により導電材からなる対象支持部材を発熱させることで加熱対象部材である回路基板を加熱し、その表面に層膜を気相成長法により形成する。
【００１０】
現在では気相成長法により層膜を形成する回路基板が大型化する傾向にある。その場合、当然ながら対象支持部材と対象加熱機構も大径化する必要がある。しかし、前述のように対象加熱機構のコイル部材も高電圧の印加により発熱するため、コイル部材の大径化には限界がある。
【００１１】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱することができる構造の部材処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の部材処理装置は、加熱対象部材を加熱する部材処理装置であって、加熱対象部材を支持する円盤状の対象支持部材と、対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、対象支持部材より小径で加熱対象部材を加熱する対象加熱機構と、対象加熱機構を対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構と、を有する。
【００１３】
従って、本発明の部材処理装置では、回転駆動機構により回転駆動される円盤状の対象支持部材により加熱対象部材が支持され、この加熱対象部材が加熱配置機構により対象支持部材に対向されている対象加熱機構で加熱される。この対象加熱機構は対象支持部材より小径であるが、加熱配置機構により対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持されている。このため、対象支持部材に対して対象加熱機構の位置を変位させることができるので、小径の対象加熱機構による加熱を大径の対象支持部材や加熱対象部材に均一に作用させることができる。
【００１４】
また、本発明の部材処理装置において、加熱配置機構は、対象加熱機構を対象支持部材の半径方向に往復移動させてもよい。
【００１５】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材より小径で複数の対象加熱機構を有してもよい。
【００１６】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材の半径の略Ｎ分の一(Ｎは二以上の整数)の外形のＮ個の対象加熱機構を有してもよい。
【００１７】
また、本発明の部材処理装置において、加熱配置機構は、複数の対象加熱機構を対象支持部材の円周方向に分散された位置に配置してもよい。
【００１８】
また、本発明の部材処理装置において、対象加熱機構は、対象支持部材を発熱させることで加熱対象部材を加熱してもよい。
【００１９】
また、本発明の部材処理装置において、対象支持部材は、導電材で形成されており、対象加熱機構は、所定の高周波磁束を発生して対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させてもよい。
【００２０】
また、本発明の部材処理装置において、加熱対象部材は、気相成長法により表面に層膜が形成される回路基板からなり、対象支持部材で支持された加熱対象部材の表面に原料ガスを供給するガス供給機構を、さらに有してもよい。
【００２１】
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の部材処理装置では、回転駆動機構により回転駆動される円盤状の対象支持部材により加熱対象部材が支持され、この加熱対象部材が加熱配置機構により対象支持部材に対向されている対象加熱機構で加熱される。この対象加熱機構は対象支持部材より小径であるが、加熱配置機構により対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持されている。このため、対象支持部材に対して対象加熱機構の位置を変位させることができるので、小径の対象加熱機構による加熱を大径の対象支持部材や加熱対象部材に均一に作用させることができる。従って、小径の対象加熱機構で大径の加熱対象部材を均一に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施の一形態を図１ないし図３を参照して以下に説明する。本実施の形態の部材処理装置１００は、加熱対象部材である回路基板ＣＢを加熱する。
【００２４】
このため、本実施の形態の部材処理装置１００は、図２に示すように、回路基板ＣＢを支持する円盤状の対象支持部材である固定サセプタ１１０と、固定サセプタ１１０を回転駆動する回転駆動機構である駆動モータ１２０と、固定サセプタ１１０より小径で回路基板ＣＢを加熱する対象加熱機構であるコイル部材１３０と、図１に示すように、コイル部材１３０を固定サセプタ１１０に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構１４０と、を有する。
【００２５】
より詳細には、本実施の形態の部材処理装置１００では、コイル部材１３０は、例えば、螺旋状に曲折された断面円形の金属管からなる。このコイル部材１３０には外部から所定の周波数で交流の電力が印加され、その金属管の内部には冷媒が流動される。
【００２６】
ただし、本実施の形態の部材処理装置１００では、固定サセプタ１１０の半径の略三分の一の外形の三個のコイル部材１３０を有する。そこで、加熱配置機構１４０は、三個のコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向と円周方向とに略三等分の位置に配置している。
【００２７】
なお、加熱配置機構１４０は、円筒状のコイル支持ベース１４１を有し、このコイル支持ベース１４１でコイル部材１３０が支持されている。コイル支持ベース１４１は、図２に示すように、円環状のベース支持部材１４２と固定ボルト１４３とで部材処理装置１００の処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００２８】
ただし、コイル部材１３０はコイル支持ベース１４１の軸心から偏心した形状に形成されている。このため、図１に示すように、コイル支持ベース１４１が回動されるとコイル部材１３０は固定サセプタ１１０の半径方向に変位する。
【００２９】
固定サセプタ１１０は、導電材で形成されており、コイル部材１３０は、所定の高周波磁束を発生して固定サセプタ１１０を渦電流の誘導で発熱させることで回路基板ＣＢを加熱する。
【００３０】
本実施の形態の部材処理装置１００は、回路基板ＣＢを直接に保持する円盤状の基板保持部材である移動サセプタ１１１も有し、この移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０に着脱自在に装着される。
【００３１】
固定サセプタ１１０は、上面の所定位置に凹穴が形成されており、移動サセプタ１１１は、固定サセプタ１１０の凹穴に係合する係合ピン１１２が下面に装着されている。このため、固定サセプタ１１０は、回路基板ＣＢを間接的に保持する。
【００３２】
なお、固定サセプタ１１０と駆動モータ１２０とを連結している回転軸１１３，１２１は、駆動モータ１２０の回転軸１２１と、固定サセプタ１１０に一体の回転軸１１３からなる。この固定サセプタ１１０および回転軸１１３は、例えば、導電材である黒鉛で形成されており、その表面は熱分解性窒化硼素でコーティングされている。
【００３３】
なお、コイル部材１３０と固定サセプタ１１０とは隔壁１０２を介して対向しているが、この隔壁１０２は高周波磁束を最小限の減衰で透過する絶縁材からなる。さらに、固定サセプタ１１０と対向する隔壁１０２の上面には、やはり絶縁材からなる遮熱板１０３が設置されている。
【００３４】
なお、本実施の形態の部材処理装置１００は、例えば、気相成長装置であるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置であり、気相成長法により回路基板ＣＢの表面に層膜(図示せず)を形成する。
【００３５】
このため、部材処理装置１００は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に原料ガスを供給するガス供給機構１５０も有する。このため、ガス供給機構１５０は、処理装置本体１０１の上部に配置されている。
【００３６】
この処理装置本体１０１の下部には、排気口(図示せず)が形成されている。ガス供給機構１５０は、内部が複数に区分されており、例えば、III族やＶ族の原料ガスを押圧ガスとともに下方に噴射する。
【００３７】
上述のような構成において、本実施の形態の部材処理装置１００では、層膜を形成する回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して固定サセプタ１１０で支持される。この固定サセプタ１１０とともに回路基板ＣＢが駆動モータ１２０により回転駆動され、この回転駆動される回路基板ＣＢの表面にガス供給機構１５０により原料ガスが供給される。
【００３８】
このとき、三個のコイル部材１３０に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、これら三個のコイル部材１３０が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる固定サセプタ１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される回路基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【００３９】
ただし、図１および図３(ａ)に示すように、コイル部材１３０は外形が固定サセプタ１１０の半径の略三分の一しかない。このため、図３(ｂ)に示すように、コイル部材１３０は、個々には固定サセプタ１１０を半径方向で三分の一ほどしか発熱させることができない。
【００４０】
しかし、本実施の形態の部材処理装置１００では、図１に示すように、固定サセプタ１１０の半径の略三分の一の外形の三個のコイル部材１３０が、固定サセプタ１１０の半径方向に略三等分の位置に配置されている。
【００４１】
このため、図３(ｃ)に示すように、三個の小径のコイル部材１３０による加熱が大径の固定サセプタ１１０に均一に作用する。従って、回路基板ＣＢが大径でも均一に加熱することができ、大径の回路基板ＣＢの表面に均質に層膜を形成することができる。
【００４２】
しかも、三個のコイル部材１３０は固定サセプタ１１０の円周方向にも略三等分の位置に配置されている。このため、固定サセプタ１１０は全面が時分割にも均等に発熱することになる。従って、回路基板ＣＢが大径でも均一に加熱して層膜を均質に形成することができる。
【００４３】
特に、本実施の形態の部材処理装置１００は、固定サセプタ１１０の半径の略Ｎ分の一の外形のＮ個のコイル部材１３０を有し、Ｎ個のコイル部材１３０が固定サセプタ１１０の半径方向に略Ｎ等分の位置に配置されている。このため、必要最小限の個数およびサイズのコイル部材１３０で、大径の固定サセプタ１１０を均等に発熱させることができる。
【００４４】
しかも、固定サセプタ１１０の上面には回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して支持される。このため、固定サセプタ１１０の発熱は移動サセプタ１１１を介して回路基板ＣＢまで伝導する。
【００４５】
この伝導によっても発熱の不均一性が改善されるので、回路基板ＣＢを良好に均一に加熱することができる。また、上述のように固定サセプタ１１０に回路基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して着脱自在に装着されるので、回路基板ＣＢの交換も容易である。
【００４６】
なお、本実施の形態の部材処理装置１００では、上述のようにコイル部材１３０が発生する高周波磁束により渦電流が誘導されることで固定サセプタ１１０が発熱する。しかし、回転軸１１３が位置するために固定サセプタ１１０の中央にコイル部材１３０を対向させることはできない。
【００４７】
このため、固定サセプタ１１０の中央は良好に発熱しない懸念がある。しかし、本実施の形態の部材処理装置１００では、固定サセプタ１１０に連結されていてコイル部材１３０に対向している回転軸１１３も導電材で形成されている。
【００４８】
このため、この回転軸１１３もコイル部材１３０が発生する高周波磁束で発熱することになり、図４に示すように、その熱伝導により固定サセプタ１１０の中央も良好に発熱する。
【００４９】
特に、回転軸１１３と固定サセプタ１１０とが一体に形成されている。このため、回転軸１１３の発熱が固定サセプタ１１０の中央に良好な効率で伝導する。従って、固定サセプタ１１０は、上面の略全域が均等に発熱することになる。
【００５０】
従って、回路基板ＣＢを均一に加熱することができ、層膜を良好な品質で形成することができる。このため、移動サセプタ１１１の盤面に大径の一枚の回路基板ＣＢを設置した場合でも、その回路基板ＣＢを均一に加熱して盤面の全域に層膜を均質に形成することができる。
【００５１】
なお、高周波磁束の発生を目的としたコイル部材１３０は発熱する必要がないが、電力印加により自己発熱するので、内部に冷却水が流動されることで水冷されている。そして、上述のようにコイル部材１３０は固定サセプタ１１０に比較して大幅に小径なので、その流量長が大幅に削減されており、水冷の効果が極めて良好である。
【００５２】
また、本実施の形態の部材処理装置１００では、加熱配置機構１４０がコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持している。このため、例えば、移動サセプタ１１１の交換により小径の回路基板ＣＢを固定サセプタ１１０の半径方向の特定位置に配置した場合でも、これに対応してコイル部材１３０の位置を調整するようなことができる。
【００５３】
このため、固定サセプタ１１０の必要な位置のみ均一に発熱させ、無用な位置を発熱させないことにより、小径の回路基板ＣＢに均質な層膜を省電力に形成するようなことができる。
【００５４】
なお、加熱配置機構１４０は、図２に示すように、コイル部材１３０を支持している円筒状のコイル支持ベース１４１を有し、このコイル支持ベース１４１が円環状のベース支持部材１４２と固定ボルト１４３とで部材処理装置１００の処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００５５】
このため、固定ボルト１４３による締結を緩めてコイル支持ベース１４１を回動させることで、簡単にコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させることができる。
【００５６】
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では、加熱配置機構１４０が手動操作によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させる構造に形成されていることを例示した。
【００５７】
しかし、図５に示すように、加熱配置機構１６０が、駆動源であるサーボモータ１６１の動力によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させてもよい。より詳細には、この加熱配置機構１６０では、コイル部材１３０を支持している円筒状のコイル支持ベース１６２が、軸受１６３により処理装置本体１０１の底面に回動自在に装着されている。
【００５８】
コイル支持ベース１６２の下部外周にはスパーギヤ１６４が一体に形成されており、このスパーギヤ１６４と歯合しているスパーギヤ１６５がサーボモータ１６１に装着されている。この部材処理装置(図示せず)では、サーボモータ１６１の動力によりコイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に変位させることができる。
【００５９】
なお、このような部材処理装置では、例えば、固定サセプタ１１０を回転駆動して回路基板ＣＢの表面に層膜を形成しているときに、コイル部材１３０を固定サセプタ１１０の半径方向に往復移動させることもできる。この場合、固定サセプタ１１０の発熱温度を動的に均等化させることができるので、より均質に回路基板ＣＢに層膜を形成するようなことができる。
【００６０】
また、上記形態では固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で回路基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１５０は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給し、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、回転軸１１３は、コイル部材１３０の中心空間を経由して固定サセプタ１１０を下方から軸支していることを例示した。
【００６１】
しかし、図６に例示する部材処理装置２００のように、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で回路基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１５０は、固定サセプタ１１０で支持された回路基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給し、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を上方から軸支してもよい。
【００６２】
なお、この部材処理装置２００では、前述のように係合ピン１１２による係合では移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０から落下するので、ボルト２１２で移動サセプタ１１１を固定サセプタ１１０に保持させることがよい。
【００６３】
このような部材処理装置２００では、移動サセプタ１１１の交換の容易性は阻害される。しかし、回路基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。
【００６４】
また、上記形態では複数のコイル部材１３０が配置されている中心に回転軸１１３が挿通されていることを例示した。しかし、図７に例示する部材処理装置３００のように、複数のコイル部材１３０が配置されている中心にガス供給機構１５０のガス誘導管３１０が挿通されていてもよい。
【００６５】
より詳細には、この部材処理装置３００では、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で回路基板ＣＢを支持し、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を上方から軸支している。
【００６６】
コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、ガス供給機構１５０は、コイル部材１３０の中心空間に挿通されているガス誘導管３１０で回路基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給する。
【００６７】
この部材処理装置３００も、回路基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。さらに、加熱されている回路基板ＣＢの表面に原料ガスが下方から供給されるので、回路基板ＣＢの表面に到達する以前に原料ガスが反応することを有効に防止することができる。
【００６８】
なお、上述の部材処理装置３００を上下逆様とすることにより、固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で回路基板ＣＢを支持し、回転軸１１３は、固定サセプタ１１０を下方から軸支しており、コイル部材１３０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、ガス供給機構１５０は、コイル部材１３０の中心空間に挿通されているガス誘導管３１０で回路基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給する、部材処理装置(図示せず)も実現することができる。
【００６９】
また、上記形態では円盤状の固定サセプタ１１０の表面に円盤状の移動サセプタ１１１を着脱自在に装着することで、回路基板ＣＢの加熱の不均一性を改善することを例示した。
【００７０】
しかし、移動サセプタ１１１と固定サセプタ１１０との相互に当接する盤面の少なくとも一方に所定形状の凹部を形成することにより(図示せず)、この凹部で熱伝導を制御し、より良好に回路基板ＣＢの加熱の不均一性を改善してもよい。
【００７１】
さらに、上記形態ではコイル部材１３０が一般的な断面円形の金属管からなることを想定した。しかし、図８に示すように、水平な円盤状のコイル部材１７０が、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状の金属管１７１で形成されていてもよい。
【００７２】
この場合、コイル部材１７０を形成している金属管１７１の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の一般的な金属管からなる従来のコイル部材に比較して、その表面積が大幅に増加する。
【００７３】
従って、コイル部材１７０の表面電位を上昇させることなく通電する電流量を増加させることができるので、コイル部材１７０から発生する高周波磁束の密度を増加させることができる。このため、この高周波磁束により固定サセプタ１１０を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができ、より良質な層膜を高速に回路基板ＣＢに形成することができる。
【００７４】
特に、コイル部材１７０の金属管１７１は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている。このため、固定サセプタ１１０と対向するコイル部材１７０の上面の面積に比較して、金属管１７１の表面積が増大している。従って、さらに良好に固定サセプタ１１０を高温に高速に発熱させることができ、さらに良質な層膜を高速に回路基板ＣＢに形成することができる。
【００７５】
また、上記形態では対象加熱機構がコイル部材１３０からなり、導電材からなる固定サセプタ１１０を渦電流の誘導で発熱させることで、加熱対象部材である回路基板ＣＢを加熱することを例示した。しかし、対象加熱機構が一般的なヒータデバイスからなってもよい(図示せず)。
【００７６】
さらに、上記形態では固定サセプタ１１０に連結されていてコイル部材１３０に対向している回転軸１１３も導電材で形成されていることにより、コイル部材１３０が対向しない固定サセプタ１１０の中央も良好に発熱することを例示した。しかし、回転軸１１３が導電性で発熱することは必須ではない。
【００７７】
また、上記形態では三個のコイル部材１３０が固定サセプタ１１０の半径方向と円周方向とで略三等分の位置に配置されていることを例示した。しかし、このような個数や配置は各種に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態の部材処理装置の要部を示す模式的な平面図である。
【図２】部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図３】複数の対象加熱機構であるコイル部材と温度との関係を示す模式図である。
【図４】複数のコイル部材と温度との関係を示す模式図である。
【図５】一変形例の加熱配置機構の内部構造を示す縦断正面図である。
【図６】他の変形例の部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図７】さらに他の変形例の部材処理装置の内部構造を示す縦断正面図である。
【図８】さらに他の変形例のコイル部材を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００ 部材処理装置
１０１ 処理装置本体
１０２ 隔壁
１０３ 遮熱板
１１０ 固定サセプタ
１１１ 移動サセプタ
１１２ 係合ピン
１１３ 回転軸
１２０ 駆動モータ
１２１ 回転軸
１３０ コイル部材
１４０ 加熱配置機構
１４１ コイル支持ベース
１４２ ベース支持部材
１４３ 固定ボルト
１５０ ガス供給機構
１６０ 加熱配置機構
１６１ サーボモータ
１６２ コイル支持ベース
１６３ 軸受
１６４ スパーギヤ
１６５ スパーギヤ
１７０ コイル部材
１７１ 金属管
２００ 部材処理装置
２１２ ボルト
３００ 部材処理装置
３１０ ガス誘導管
ＣＢ 回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱対象部材を加熱する部材処理装置であって、
前記加熱対象部材を支持する円盤状の対象支持部材と、
前記対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、
前記対象支持部材より小径で前記加熱対象部材を加熱する対象加熱機構と、
前記対象加熱機構を前記対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構と、
を有する部材処理装置。
【請求項２】
前記加熱配置機構は、前記対象加熱機構を前記対象支持部材の半径方向に往復移動させる請求項１に記載の部材処理装置。
【請求項３】
前記対象支持部材より小径で複数の前記対象加熱機構を有する請求項１または２に記載の部材処理装置。
【請求項４】
前記対象支持部材の半径の略Ｎ分の一(Ｎは二以上の整数)の外形のＮ個の前記対象加熱機構を有する請求項３に記載の部材処理装置。
【請求項５】
前記加熱配置機構は、複数の前記対象加熱機構を前記対象支持部材の円周方向に分散された位置に配置している請求項３または４に記載の部材処理装置。
【請求項６】
前記対象加熱機構は、前記対象支持部材を発熱させることで前記加熱対象部材を加熱する請求項１ないし５の何れか一項に記載の部材処理装置。
【請求項７】
前記対象支持部材は、導電材で形成されており、
前記対象加熱機構は、所定の高周波磁束を発生して前記対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させる請求項６に記載の部材処理装置。
【請求項８】
前記加熱対象部材は、気相成長法により表面に層膜が形成される回路基板からなり、
前記対象支持部材で支持された前記加熱対象部材の表面に原料ガスを供給するガス供給機構を、さらに有する請求項１ないし７の何れか一項に記載の部材処理装置。
【請求項１】
加熱対象部材を加熱する部材処理装置であって、
前記加熱対象部材を支持する円盤状の対象支持部材と、
前記対象支持部材を回転駆動する回転駆動機構と、
前記対象支持部材より小径で前記加熱対象部材を加熱する対象加熱機構と、
前記対象加熱機構を前記対象支持部材に対向する位置で半径方向に変位自在に支持している加熱配置機構と、
を有する部材処理装置。
【請求項２】
前記加熱配置機構は、前記対象加熱機構を前記対象支持部材の半径方向に往復移動させる請求項１に記載の部材処理装置。
【請求項３】
前記対象支持部材より小径で複数の前記対象加熱機構を有する請求項１または２に記載の部材処理装置。
【請求項４】
前記対象支持部材の半径の略Ｎ分の一(Ｎは二以上の整数)の外形のＮ個の前記対象加熱機構を有する請求項３に記載の部材処理装置。
【請求項５】
前記加熱配置機構は、複数の前記対象加熱機構を前記対象支持部材の円周方向に分散された位置に配置している請求項３または４に記載の部材処理装置。
【請求項６】
前記対象加熱機構は、前記対象支持部材を発熱させることで前記加熱対象部材を加熱する請求項１ないし５の何れか一項に記載の部材処理装置。
【請求項７】
前記対象支持部材は、導電材で形成されており、
前記対象加熱機構は、所定の高周波磁束を発生して前記対象支持部材を渦電流の誘導で発熱させる請求項６に記載の部材処理装置。
【請求項８】
前記加熱対象部材は、気相成長法により表面に層膜が形成される回路基板からなり、
前記対象支持部材で支持された前記加熱対象部材の表面に原料ガスを供給するガス供給機構を、さらに有する請求項１ないし７の何れか一項に記載の部材処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−１０７８５６（Ｐ２００９−１０７８５６Ａ）
【公開日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７８９６０（Ｐ２００７−２７８９６０）
【出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【出願人】（０００１６５９７４）古河機械金属株式会社 (211)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【出願人】（０００１６５９７４）古河機械金属株式会社 (211)
【Ｆターム（参考）】
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