【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座１０とヒータ１１とを別体にすると共に、排気ガス出口１１ａが台座１０よりも下方位置に配置されるようにすることで台座１０によって覆われないようにし、台座１０が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、ＳｉＣ単結晶の成長中に原料ガス３のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス３のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】貫通転位欠陥の少ない良質の大口径｛0001｝面ウェハを再現性良く製造できるSiC単結晶育成用種結晶、SiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によりSiC単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の２点間を結んだ長さが最大２ｍｍ以下である大きさを有すると共に、SiC単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から２ｍｍ以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたSiC単結晶育成用種結晶、これを用いたSiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】所望の口径の結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶１３からＳｉＣ単結晶１４を成長させる際において、Ｘ線発生装置２１とイメージ管２２を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構１７により結晶１４のガイド部材６ａへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上又はＳｉ基板上に良質のＡｌＮ結晶を高速成長させることができるＡｌＮのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第一ガス導入ポート１２から、ＨＣｌ＋Ｈ_２を導入し７５０℃以下でＡｌ金属とＨＣｌを反応させＡｌＣｌ_３を生成する。第二ガス導入ポート１４からＮＨ_３＋Ｈ_２を導入し混合部でＮＨ_３とＡｌＣｌ_３とを混合させる。混合したガスを基板部に輸送し反応させＡｌＮを生成する。混合部は原料反応部で生成されたＡｌＣｌ_３の石英反応チャンバー１８内での析出が起きない温度で、かつ、混合部でのＡｌＮの析出が起きない温度範囲８０℃以上７５０℃以下に保つ。基板結晶２４は、高周波加熱によって９００℃から１７００℃に維持される。この結果、基板結晶２４への途中でＡｌＮが析出してしまうことを防止し、ＡｌＮエピタキシャル成長速度が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）

融液−固体界面の形状を制御することを容易にする、シリコン結晶を成長させるシステムが開示されている。当該結晶成長システムは、チョクラルスキー法により単結晶を成長させる半導体融液を含む加熱された坩堝を有する。上記融液から引き上げられたシード結晶上においてインゴットは成長する。当該方法は、上記融液に対してアンバランスなカスプ磁場を付加する工程と、上記融液からインゴットを引き上げつつ、インゴット及び坩堝を同じ方向に回転させる工程と、を有する。
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【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０に対向されている複数のコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、固定サセプタ１１０に半径方向で分散された位置で複数が対向している。このため、複数の小径のコイル部材１３０による加熱が大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用するので、回路基板が大径でも均一に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が固定サセプタ１１０に対向されているコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持されている。このため、小径のコイル部材１３０による加熱を大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用させることができるので、小径のコイル部材１３０で大径の回路基板を均一に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタの座ぐりの側面との固着による不良発生を低減して、ウェーハを上面から熱の反射、下面から高周波誘導によって加熱する機構を有するエピタキシャル成長装置に用いられるサセプタおよびエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１４の上面に、内部にウェーハ１６が配置される座ぐりが形成され、前記座ぐりの側面において、配置される前記ウェーハ１６の水平中心面３０より上部に相当する部分３２を、上方に向かって広がる傾斜面とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル装置内のＳｉＣ粉塵がＳｉＣ基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。
【解決手段】軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管１内に、軸方向に沿って所定の長さのサセプタ３が、断熱材２を介して配置され、該サセプタ３の内側に設けられる反応室４空間内にＳｉＣ結晶基板５を載置するための複数の平板状支持基板５が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタ３の位置に対向する前記円筒管１の外側に誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板５のうち、より上側の支持基板１１が前記サセプタ３または断熱材２の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されているエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）

本発明は、材料、特に炭化珪素又は３族ナイトライドの結晶を成長させるための反応炉（１）に関する。当該反応炉は、第１ゾーン（２１）及び第２ゾーン（２２）に分割されたチャンバ（２）と、上記材料の少なくとも１の前駆体ガスを上記第１ゾーン（２１）に供給するように適合された射出手段（４１，４２）と、上記第２ゾーンから排気ガスを排出するように適合された排気手段（５）と、上記第２ゾーン（２２）に位置し、成長結晶を支持するように適合された支持手段（６）と、上記第１及び第２ゾーン（２１，２２）を２０００℃と２６００℃の間の温度に保持するように適合された加熱手段（７１，７２）を有し、上記分割は、上記第１及び第２ゾーン（２１，２２）を相互に連通させる少なくとも１の開口（３１，３２）を有する分割壁（３）を介して行われる。
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【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器内に酸素含有気体を供給する、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている気体供給管、反応容器内に珪素アルコキシドを含有する気体を供給する供給口、反応容器内に反応促進剤を含む気体を供給する供給口、および各気体供給口側の反応容器の端部と上記基板の設置位置との間に設けられ、基板表面に向いた開口部を有する、珪素アルコキシド含有気体と反応促進剤含有気体との混合室を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時におけるウェーハの表裏面での温度差に起因する結晶欠陥の発生を未然に防止すること。
【解決手段】 本発明では、エピタキシャル成長装置において、チャンバーの内部にウェーハを載置するためのサセプターを配設するとともに、このサセプターと対向する位置にヒータープレートを配設し、これらサセプターとヒータープレートとの間に反応ガスを導入するとともに、サセプター及びヒータープレートを加熱するように構成した。特に、前記サセプターの近傍に電磁誘導によって前記サセプターを加熱するための第１のコイルを配置するとともに、ヒータープレートの近傍に電磁誘導によって前記ヒータープレートを加熱するための第２のコイルを配置した。 （もっと読む）