【課題】 高速かつ安価に成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

基板（１３）上に高アスペクト比のエミッタ（２６）を成長させるための装置を提供する。この装置は、チャンバを画定するハウジング（１０）を備え、高アスペクト比のエミッタ（２６）をその上に成長させるための表面を有する基板を保持するために、ハウジングに取付けられ、かつ、チャンバ内に配置された基板ホルダ（１２）を備える。加熱エレメント（１７）は、基板近くに配置され、炭素、伝導性サーメット、及び伝導性セラミックスからなる群から選択された１つ以上の材料である。ハウジングは、高アスペクト比のエミッタ（２６）を形成するために、ガスをチャンバ内へ受け入れるためのチャンバ内への開口部（１５）を画定する。
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【課題】 大口径かつこれまでのシリコンプロセスを流用可能な窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法を提案する。
【解決手段】 半導体材料として優れた特性を持つ窒化ガリウム系化合物を比較的安価なＳｉ基板上に形成することを特徴とする。Ｓｉ基板上へ形成することにより、これまでのシリコンプロセスを活用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】１時間当たり約１マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。
【解決手段】ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きい。 （もっと読む）

パルス状マイクロ波プラズマを使用して高速に電子製品向け品質のダイヤモンド膜を製造する方法であって、真空チャンバ内で、少なくとも水素と炭素を含んでいる気体をパルス状放電に曝すことによって、基板付近に有限の体積のプラズマが形成され、パルス状放電は、プラズマ中で少なくとも炭素含有ラジカルを得て、基板上にダイヤモンド膜を形成するために炭素含有ラジカルを基板上に被着させるように、一連の複数の低電力状態および複数の高電力状態と、ピーク吸収電力Ｐ_cとを有している、方法。基板を７００℃と１０００℃との間の基板温度に維持しながら、少なくとも１００Ｗ／ｃｍ³のピーク電力密度でもって、プラズマの体積内に電力が注入される。
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半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがＣＶＤ法により形成される１以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。 （もっと読む）

ダイヤモンドイド含有材料に基づく新規な光デバイスを開示する。ダイヤモンドイドから作り出すことのできる材料には、ダイヤモンドイドが核となるＣＶＤ膜、ダイヤモンドイド含有ＣＶＤ膜、分子結晶、及び重合材料が包含される。本明細書に開示される、ダイヤモンドイド含有材料から作り出すことのできるデバイスには、固体色素レーザー、半導体レーザー、発光ダイオード、受光素子、フォトレジスタ、フォトトランジスタ、光電池、太陽電池、反射防止コーティング、レンズ、ミラー、圧力窓、光導波路、並びに粒子検知器及び放射線検知器が包含される。
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【課題】ウェハ周辺のＳｉとＣとの濃度を一定に保ち、かつ、パーティクルの発生を抑制することにより、高品質のＳｉＣ半導体結晶を得ることができるサセプタを提供する。
【解決手段】ウェハを載置する部分の少なくとも一部が、炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタである。前記ウェハを載置する部分が分離自在な部材であってもよい。また、前記ウェハを載置する部分の周辺部が分離自在な炭化珪素被覆黒鉛材であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド担持半導体デバイス（２００）、およびそれを形成するための方法を提供する。１つの局面では、ダイヤモンド層（２０４）のデバイス表面（２１０）のために意図された構成に逆に適合するように構成された界面表面（２１２）を有する型（２２０）が提供される。次いで、無力なダイヤモンド層（２０４）が、型（２２０）のダイヤモンド界面表面（２１２）の上に堆積され、基材（２０２）が無力なダイヤモンド層（２０４）の成長表面（２２２）に接合される。次いで、型（２２０）の少なくとも一部が取り除かれ、型のダイヤモンド界面表面の構成に逆に対応する形状を受けた、ダイヤモンドのデバイス表面（２１０）が露出される。型（２２０）は、最終のデバイスを製造するために薄くされる適切な半導体材料から形成され得る。必要に応じて、半導体材料が、型（２２０）の除去のあと、ダイヤモンド層（２０４）に結合され得る。
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マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

基板が堆積チャンバー内に配置される。基板上にケイ素を含む第一の種の単層を化学吸着させるのに有効な条件で、チャンバーにトリメチルシランを流し、チャンバーに第一の不活性ガスを流す。第一の不活性ガスは第一の流量で流す。第一の種の単層を形成した後、酸化剤と化学吸着された第一の種とが反応し、基板上に二酸化ケイ素含有単層を形成するのに有効な条件で、チャンバーに酸化剤を流し、チャンバーに第二の不活性ガスを流す。第二の不活性ガス流は第一の流量未満である第二の流量を有する。基板上に二酸化ケイ素含有層を形成するのに有効となるように（ａ）トリメチルシラン及び第一の不活性ガス流及び（ｂ）酸化剤及び第二の不活性ガス流を連続的に繰り返す。他の態様や特徴が企図される。 （もっと読む）