【課題】活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材は、非ダイヤモンド炭素からなる基材１と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が１０ｎｍ以下である微結晶ダイヤモンド膜２からなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が２０ｎｍ以上であるダイヤモンド膜３と、を有する。基材１はアモルファス炭素又はグラファイトからなるか、又は熱間静水圧加圧処理された炭素材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】成長容器１内に配置された複数の基板７の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置において、原料ガスが通過する第１ガス経路９ｅと、キャリアガスが通過する第２ガス経路９ｆとを有するガス導入管９を設け、第１ガス経路９ｅには、複数の基板７のそれぞれに向かって開口している第１開口部９ａを設け、第２ガス経路９ｆには、複数の基板７における隣り合う基板７の間に向かって開口している第２開口部９ｂを設ける。第２開口部９ｂは、隣り合う基板７の間における中心位置に向かって開口させる。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた立方晶系単結晶炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、単結晶炭化シリコン膜６の上に気相成長法により非晶質炭化シリコン膜７を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３を除去し、基板を加熱して非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化し、単結晶炭化シリコン膜５，６と非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化して生成した単結晶炭化シリコン膜とからなる積層構造を立方晶系単結晶炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた単結晶炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３とを除去して、単結晶炭化シリコン膜５，６の積層構造を単結晶炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

ダイヤモンド膜の成長の核を形成するための新規な方法を提供する。該方法は、基体にダイヤモンドイドが化学的に付着された該基体であって、優れた核形成部位として働き、次いで、ダイヤモンド膜の成長を促進する該基体を提供する工程を含む。
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【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】３次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。
【解決手段】熱フィラメント法による気相ダイヤモンド膜のコーティング方法において、コーティング装置の内部に、加熱用フィラメント１、加熱用フィラメント１の近傍に配置した被コーティング試料４及びフィラメント加熱用の上部電極と下部電極を配置し、コーティング装置本体に上部電極を固定すると共に、該上部電極にフィラメント１の上端部を固定し、フィラメント１の下端部を移動自在な下部電極に固定して、下部電極がフィラメント１により吊持された状態とし、下部電極の重量及びフィラメント１の自重によりフィラメント１を緊張させると共に、該緊張したフィラメント１を通電加熱し、かつダイヤモンド原料となるガスを供給して、ダイヤモンド膜を試料４に気相ダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。該種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを昇華再結晶法により製造する。また、このインゴットから切り出した炭化珪素基板に炭化珪素エピタキシャル層を成長させてウエハとする。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
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【課題】エピタキシャル成長させるＳｉＣ層の結晶性を良好にして表面平坦性を向上させることができる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳＯＩ基板１を準備し、上記ＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ膜に変成させ、上記単結晶ＳｉＣ膜をシード層５としてエピタキシャル成長させることにより単結晶ＳｉＣ層６を形成する方法であって、上記エピタキシャル成長の際、少なくともエピタキシャル成長温度に達するまでの１１００℃以上の温度域において、毎秒２５℃以上の昇温速度で急速加熱を行ってエピタキシャル成長させることにより、エピタキシャル成長過程での昇華による部分的なシード層５の消滅が防止され、結晶性と表面の平坦性の良好な単結晶ＳｉＣ層６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ装置のガス供給ゾーンにおける材料ガスの反応を抑えて、パーティクル発生を抑える。
【解決手段】 ＣＶＤ装置１０は、材料ガスをガス供給ゾーン５１に供給する２重に構成されたガス供給管２６、２７を備えている。ガス供給管２６、２７を通る材料ガスは、その先端に設けられた微小なオリフィス２８、２９を通って、成膜ゾーン５２に到達してウェハ４１、４２上に薄膜を形成する。材料ガスは、ガス供給管２６，２７のオリフィス２８，２９に至るまでは所定の高圧を維持しており、ガス供給ゾーン５１で断熱膨張することによって材料ガスは冷却され、材料ガスの温度は反応温度以下に低下する。 （もっと読む）

本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の４Ｈ形の炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】 種結晶基板上でＳｉ含有原料ガスとＣ含有原料ガスを反応させて炭化珪素単結晶を気相成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶が１５Ｒ形炭化珪素単結晶であり、Ｓｉ含有原料ガスとＣ含有原料ガスを1700℃以上の温度において、Ｃ／Ｓｉ比1.0以下で反応させて４Ｈ形炭化珪素単結晶を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも傾斜角度の小さい傾斜基板上に、３Ｃ構造を生じさせずにエピタキシャル層を成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 珪素の水素化ガスと炭化水素ガスをキャリアガスと共に加熱したＳｉＣ基板５上に供給し、熱分解反応により単結晶を成長させるＣＶＤ法による炭化珪素単結晶の製造方法において、上記ＳｉＣ基板５として、（０００１）面から小さい傾斜角度で傾斜したＳｉＣ単結晶基板を用い、このＳｉＣ単結晶基板上に、珪素の水素化ガス、炭化水素ガス及びキャリアガスと共に、ＨＣｌガスを同時に供給する。傾斜角度は、４ＨのＳｉＣ単結晶基板の場合、０．５〜７．０°の範囲、６ＨのＳｉＣ単結晶基板場合、０．５〜２．５°の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】
DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】
原料ガス導入口に、炭酸ガスレーザーを照射することで，原料ガス分子を原子状に解離させ，基板構成原子の原子間結合エネルギーに相当する5eV程度の並進エネルギーを有する原子ビームを発生させる。原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。シリコン基板上に炭素系薄膜の堆積を確認し、ラマン分光法による分析結果からDLC薄膜であるとことを確認した。 （もっと読む）